Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42С32800Б-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s32800b6tli-datasheets-3007.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 256 Мб | 143 МГц | 150 мА | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200Б-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 120 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 0,001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Д-7Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16800d75etl-datasheets-2922.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Параллельно | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Э-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16100e7tlitr-datasheets-7168.pdf | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 3,3 В | 50 | 16 Мб | Нет | 150 мА | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WD020-JVLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,8 В | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | 1,65 В~1,95 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 80 МГц | 18б | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100К-50ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 44 | 44 | 16 Мб | Олово | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 0,09 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WD020-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,8 В | 5мА | 540,001716мг | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | 1,65 В~1,95 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 80 МГц | 18б | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105К-50ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 44 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Ф-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 50 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512A-JDLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | SPI, серийный | 2,3 В~3,6 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 400 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Б-75ЭТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 512 Мб | неизвестный | 180 мА | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-75ЭБИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 133 МГц | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Б-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 512 Мб | 180 мА | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32160С-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ЛФБГА | 90 | 90 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | 0,00004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16400К-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 54 | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 54 | 1,95 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,06 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32400Г-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM – мобильная версия | 166 МГц | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 1,95 В | 1,7 В | 90 | Параллельно | 166 МГц | 1,7 В~1,95 В | 90-ТФБГА (8х13) | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640А-125ДЖБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 96 | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR16800F-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 60 | 60 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | 134217728 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16160Д-6БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 0,18 мА | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128АЛ-125КБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 1,45 В | 1,283 В | 96 | Параллельно | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-TWBGA (9x13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16800Э-6ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 54 | 54 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42SM32160C-75BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ЛФБГА | 90 | 90 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | 0,00004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR16200C-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 10 мм | 1,8 В | 60 | 60 | 32 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 80 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 12нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК18160-25БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 1,8 В | 144 | 144 | 288 Мб | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 400 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,97 мА | 288Мб 16М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 23б | ДРАМ | Параллельно | 16MX18 | 18 | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Б-7БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 512 Мб | Нет | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36800-25БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,99 мА | Не квалифицирован | 288Мб 8М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 8MX36 | 36 | 301989888 бит | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18320-25Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 1,8 В | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | 668 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 24б | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ42М18А-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ21М36-275М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ЛБГА | 165 | 1,71 В~1,89 В | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 275 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК96400-25БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,97 мА | Не квалифицирован | 576Мб 64М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 64MX9 | 9 | 603979776 бит | 0,048А | ОБЩИЙ | 248 |
