Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактIssi, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Ширина | Операционное напряжение питания | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Масса | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Контакт | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | HTS -код | Количество функций | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Подкатегория | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Напряжение программирования | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Вспомогательный ток-макс | Размер слова | Время доступа (макс) | Синхронизированная/асинхронная | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Последовательная длина взрыва | Чередовая длина взрыва | Вспомогательное напряжение-мимин |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16100F-6TLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS COMPARINT | 50-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 50 | 3 В ~ 3,6 В. | 16 МБ 1m x 16 | Нестабильный | 16b | 5,5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S16320B-6BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 54-TFBGA | 13 мм | 3,3 В. | 54 | 54 | 512 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Медь, серебро, олова | Нет | 1 | 180 мА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 3В | 10 | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5.4ns | 166 МГц | 15B | Драм | Параллель | 32MX16 | 16 | 0,004а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S32200E-5TL | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 86-TFSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В. | 86 | 86 | 64 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.02 | 1 | 200 мА | E3 | Матовая олова (SN) - отожжен | 3,15 В ~ 3,45 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 86 | 3,6 В. | 3В | 40 | Не квалифицирован | 64 МБ 2m x 32 | Нестабильный | 32B | 3-штат | 5NS | 200 МГц | 13b | Драм | Параллель | 2mx32 | 32 | 0,002а | ОБЩИЙ | 4096 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S16320B-7BL-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS COMPARINT | 54-TFBGA | 3,3 В. | 54 | 512 МБ | 150 мА | 3 В ~ 3,6 В. | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 16b | 5.4ns | 143 МГц | 15B | Драм | Параллель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42VM16160E-6BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Мобильный | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 54-TFBGA | 8 мм | 54 | 54 | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | 1,8 В. | 0,09 мА | Не квалифицирован | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5,5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 0,00001A | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42SM32400G-75BLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SDRAM - Мобильный | 133 МГц | ROHS3 соответствует | 90-TFBGA | 3,6 В. | 2,7 В. | 90 | Параллель | 133 МГц | 2,7 В ~ 3,6 В. | 90-TFBGA (8x13) | 128MB 4M x 32 | Нестабильный | 32B | 6ns | 133 МГц | Драм | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42VM16800G-6BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Мобильный | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 54-TFBGA | 8 мм | 54 | 54 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление, также работает при 2,5 В, 1,8 В. | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,8 мм | 54 | 3,6 В. | 2,7 В. | 1,8 В. | 0,105 мА | Не квалифицирован | 128 МБ 8m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5,5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | 8mx16 | 16 | 134217728 бит | 0,00001A | ОБЩИЙ | 4096 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR2 | Не совместимый с ROHS | 60-TFBGA | 1,8 В. | 120 мА | 60 | 1,7 В ~ 1,9 В. | 512MB 64M x 8 | Нестабильный | 8B | 450 с | 333 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32100C-6BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR | Синхронно | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 90-TFBGA | 13 мм | 1,8 В. | 90 | 90 | 32 МБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.02 | 1 | 90 мА | 1,7 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 0,8 мм | 90 | 1,95 В. | 1,7 В. | Не квалифицирован | 32 МБ 1M x 32 | Нестабильный | 32B | 3-штат | 5,5NS | 166 МГц | 12B | Драм | Параллель | 1mx32 | 32 | 12NS | 0,00001A | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR16128A-125KBL | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-TFBGA | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | Ear99 | Режим автоматического самостоятельного обновления, также работает при номинальном поставке 1,35 В. | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | 1,5 В. | 0,8 мм | 96 | 1,575 В. | 1.425V | 1,5 В. | 0,33 мА | Не квалифицирован | R-PBGA-B96 | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 3-штат | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 128mx16 | 16 | 15NS | 2147483648 бит | 0,02а | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16100E-7TLA1-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS3 соответствует | 50-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 50 | 3 В ~ 3,6 В. | 16 МБ 1m x 16 | Нестабильный | 16b | 5,5NS | 143 МГц | Драм | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16400J-6TLA2-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105 ° C. | -40 ° C. | SDRAM | 166 МГц | ROHS3 соответствует | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 3,6 В. | 3В | 54 | Параллель | 166 МГц | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | 64 МБ 4m x 16 | Нестабильный | 16b | 5.4ns | 166 МГц | Драм | Параллель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16160D-7BLA1-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS COMPARINT | 54-TFBGA | 3,3 В. | 54 | 54 | 256 МБ | 130 мА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3,3 В. | 0,8 мм | Не квалифицирован | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | 15B | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 0,003а | ОБЩИЙ | 8192 | 1248FP | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S32800D-6BLA1 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 90-TFBGA | 13 мм | 3,3 В. | 90 | 90 | 256 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.24 | 1 | 180 мА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 90 | 3,6 В. | 3В | 10 | Не квалифицирован | 256 МБ 32 м х 8 | Нестабильный | 32B | 5.4ns | 166 МГц | 13b | Драм | Параллель | 8mx32 | 32 | 0,003а | ОБЩИЙ | 4096 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S32400E-7BLA2 | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 90-TFBGA | 13 мм | 3,3 В. | 90 | 90 | 128 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 130 мА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 90 | 3,6 В. | 3В | 10 | 128MB 4M x 32 | Нестабильный | 32B | 3-штат | 5.4ns | 143 МГц | 14b | Драм | Параллель | 4MX32 | 32 | 0,001а | ОБЩИЙ | 4096 | 1248FP | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLC18320-25B | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 144-TFBGA | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | Ear99 | Автоматическое обновление | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 144 | 1,9 В. | 1,7 В. | 1,5/1,81,82,5 В. | 0,97 мА | Не квалифицирован | 576 МБ 32 м х 18 | Нестабильный | 18b | 3-штат | 20ns | Драм | Параллель | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048а | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLC96400-33B | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 144-TFBGA | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | Ear99 | Автоматическое обновление | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 144 | 1,9 В. | 1,7 В. | 1,5/1,81,82,5 В. | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576MB 64M x 9 | Нестабильный | 9B | 3-штат | 20ns | Драм | Параллель | 64mx9 | 9 | 603979776 бит | 0,048а | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLC18320-33BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 144-TFBGA | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | Ear99 | Автоматическое обновление | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 144 | 1,9 В. | 1,7 В. | 1,5/1,81,82,5 В. | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576 МБ 32 м х 18 | Нестабильный | 18b | 3-штат | 20ns | Драм | Параллель | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048а | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLC36160-33BI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 144-TFBGA | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | Ear99 | Автоматическое обновление | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 144 | 1,9 В. | 1,7 В. | 1,5/1,81,82,5 В. | 0,914 мА | Не квалифицирован | 576 МБ 16m x 36 | Нестабильный | 36B | 3-штат | 20ns | Драм | Параллель | 16mx36 | 36 | 603979776 бит | 0,048а | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLS18160-25BI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 144-TFBGA | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | Ear99 | Автоматическое обновление | 400 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 144 | 1,9 В. | 1,7 В. | 1,5/1,81,82,5 В. | 0,97 мА | Не квалифицирован | 288MB 16M x 18 | Нестабильный | 18b | 3-штат | 20ns | Драм | Параллель | 16mx18 | 18 | 301989888 бит | 0,048а | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61QDB41M36A-250M3L | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - синхронный, квадратный | 1,4 мм | ROHS3 соответствует | 165-LBGA | 17 мм | 15 мм | 165 | 165 | 3A991.B.2.a | Трубопроводная архитектура | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В ~ 1,89 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 165 | 1,89 В. | 1,71 В. | 1,5/1,81,8 В. | 0,7 мА | Не квалифицирован | 36 МБ 1m x 36 | Нестабильный | 3-штат | 8.4ns | 250 МГц | Шрам | Параллель | 1mx36 | 36 | 37748736 бит | 0,27а | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61QDPB42M18A-400M3I | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - синхронный, Quadp | 1,4 мм | Не совместимый с ROHS | 165-LBGA | 17 мм | 15 мм | 165 | 165 | 3A991.B.2.a | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В ~ 1,89 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 165 | 1,89 В. | 1,71 В. | 1,5/1,81,8 В. | 0,95 мА | Не квалифицирован | 36 МБ 2m x 18 | Нестабильный | 3-штат | 8.4ns | 400 МГц | Шрам | Параллель | 2mx18 | 18 | 37748736 бит | 0,32а | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLS18320-33B | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | Не совместимый с ROHS | 144-TFBGA | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | Ear99 | Автоматическое обновление | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 1 мм | 144 | 1,9 В. | 1,7 В. | 1,5/1,81,82,5 В. | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576 МБ 32 м х 18 | Нестабильный | 18b | 3-штат | 20ns | Драм | Параллель | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048а | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128DBLL-45TLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dbll45tlitr-datasheets-2461.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 32 | 2,3 В ~ 3,6 В. | 4 МБ 512K x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 45NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP102418-200B3LI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - Synchronous, SDR | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlp102418200b3li-datasheets-7632.pdf | 165-TBGA | 15 мм | 3,3 В. | 165 | 165 | 18 МБ | да | 2 | Трубопроводная архитектура | Нет | 1 | 475 мА | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 3.135V ~ 3.465V | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В. | 1 мм | 165 | 3.465V | 3.135V | 10 | 18 МБ 1m x 18 | Нестабильный | 3-штат | 3.1NS | 200 МГц | 20B | Шрам | Параллель | 1mx18 | 18 | 0,075а | 18b | Синхронно | ОБЩИЙ | 3,14 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WV51216DBLL-70BLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 48-TFBGA | 8 мм | 6 мм | 48 | 48 | 3A991.B.2.a | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,5 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В. | 2,5 В. | Другое память ICS | 3/3,3 В. | 0,028 мА | Не квалифицирован | 8 МБ 512K x 16 | Нестабильный | 3-штат | ПСРАМ | Параллель | 512KX16 | 16 | 70NS | 8388608 бит | 0,00013a | 70 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ080-JKLE-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105 ° C. | -40 ° C. | Flash - NO | 104 МГц | ROHS3 соответствует | 8-WDFN открытая площадка | 15 мА | 10.886217mg | 3,6 В. | 2,3 В. | 8 | SPI, сериал | 8 МБ | 104 МГц | 2,3 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x5) | 8 МБ 1m x 8 | Нелетущий | 8B | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O | 1 мс | 256b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25CQ032-JKLE-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | ROHS3 соответствует | 8-WDFN открытая площадка | 6 мм | 15 мА | 8 | 10.886217mg | 8 | SPI, сериал | 32 МБ | да | 1 | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | 32 МБ 4M x 8 | Нелетущий | 8B | 2,7 В. | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 32mx1 | 1 | 4 мс | 256b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV1288DBLL-45QLI-TR | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 32-Soic (0,445, 11,30 мм ширина) | 32 | 32 | ДА | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 1,27 мм | 2,5/3,3 В. | 0,008 мА | Не квалифицирован | 1 МБ 128K x 8 | Нестабильный | 3-штат | Шрам | Параллель | 128KX8 | 8 | 45NS | 1048576 бит | 0,000004a | 45 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS29LV032T-70TLI | Issi, интегрированное кремниевое решение Inc | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | Flash - NO | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 3В | 48 | 48 | 32 МБ | Top Boot | 1 | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | 32 МБ 4M x 8 2m x 16 | Нелетущий | 3В | ВСПЫШКА | Параллель | 2mx16 | 16 | 70NS | 8 |
