Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС46ТР16128А-15ХБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM-DDR3 | 667 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 286 мА | 1,575 В | 1,425 В | 96 | Параллельно | 666 МГц | 1,425 В~1,575 В | 96-TWBGA (9x13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS25636A-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps25636a200tqlitr-datasheets-7607.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | 4 | 200 МГц | 275 мА | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32800Е-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 2,3 В~3 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ12824-10ТКИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 100 | 3 Мб | нет | 1 | 1 | 210 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,6 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,63 В | 2,97 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 3Мб 128К х 24 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 24 | 10 нс | 0,02 А | 24б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32640Б-25БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 14 недель | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ25616БЛЛ-10БЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 48 | 10 недель | 48 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 65 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32640Б-18БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 14 недель | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 недель | 48 | 2,4 В~3,6 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 8нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46LR16320C-6BLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10 мм | 1,8 В | 60 мА | 60 | 14 недель | 60 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | 0,0003А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | да | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 4Мб 128К х 32 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 128КХ32 | 32 | 4194304 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ102416ДБЛЛ-55ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,2 В | 2,5/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 55нс | 16777216 бит | 0,000025А | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP064A-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3В | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | НЕ УКАЗАН | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP032D-RMLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 8нс | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 4MX8 | 8 | 800 мкс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP128F-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 800 мкс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ЛВ1024-8КЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is63lv1024l12jl-datasheets-7623.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 32 | 1 Мб | 1 | 160 мА | 3В~3,6В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 8нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS63WV1024BLL-12JLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | 8 недель | 3,63 В | 2,97 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 45 мА | 3В~3,6В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 12нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 12нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64К6416АЛ-15ТЛА3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 125°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | Без свинца | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 50 мА | 4,5 В~5,5 В | 44-ЦОП II | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 15нс | 16б | СРАМ | Параллельно | 15нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К5128АС-25ХЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61c5128as25hlitr-datasheets-8294.pdf | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 5В | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 15 мА | 4,5 В~5,5 В | 32-сЦОП I | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 25нс | 19б | СРАМ | Параллельно | 25нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Л-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 100 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ25616АЛ-10БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv25616al10tl-datasheets-3928.pdf | 48-ТФБГА | 3,3 В | 48 | 8 недель | 48 | 4 Мб | 1 | 110 мА | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К5128БЛ-45ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62c5128bl45tli-datasheets-8396.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 5В | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 32 | 40 | 5В | 0,02 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 45нс | 45 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ25636А-7.5ТКИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 100 | 9 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,6 В | КВАД | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 30 | 0,185 мА | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,085А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF102418B-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | ПОТОК ЧЕРЕЗ | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ20488БЛЛ-25МЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 недель | 48 | 16 Мб | 1 | 30 мА | 2,4 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | 21б | СРАМ | Параллельно | 25нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416ALL-35MLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 1,8 В | 8 недель | 48 | 16 Мб | 1 | Нет | 30 мА | 1,65 В~2,2 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 35 нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416BLL-25TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $18,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 25нс | 16б | 25 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LPS25636A-166TQLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $21,78 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 9 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 300 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 40 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 166 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,13 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLS93200-25WBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 288Мб 32М х 9 | Неустойчивый | 20нс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX9 | 9 | 301989888 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36160А-25ЭВБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 576Мб 16М х 36 | Неустойчивый | 15нс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX36 | 36 | 603979776 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49РЛ18320-093БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ЛБГА | 13,5 мм | 168 | 14 недель | 168 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1,066 ГГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,28 В~1,42 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 1 мм | 168 | 1,42 В | 1,28 В | 1,35 В | 2,965 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 1066 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 248 | 248 |
