Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Максимальное время цикла записи (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип микросхемы памяти | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W632GU8KT-12 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6KB12J | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6kb12i-datasheets-3642.pdf | 96-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6KS-12 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6ks15-datasheets-9888.pdf | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | ДРУГОЙ | 85°С | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | ГДР ОЗУ | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FWBYIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fwbyigtr-datasheets-2990.pdf | 12-УФБГА, ВЛЦП | 1,65 В~1,95 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CVZPJP ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16cvssig-datasheets-5341.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DVSNJP ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JWZEIM | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jwssimtr-datasheets-2235.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | совместимый | 1,7 В~1,95 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FWSSIF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fwxgigtr-datasheets-2607.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | совместимый | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | С-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8MX8 | 8 | 60 мкс, 5 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8MB11I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8mb09-datasheets-7555.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64CVSSJG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64cvssjgtr-datasheets-8932.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVZPJQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvssig-datasheets-5384.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVBJQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128BVEJG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128bveig-datasheets-5396.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | ОРГАНИЗОВАННО КАК 65 536 СТРАНИЦ ПО 256 БАЙТОВ; ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ БОЛЕЕ 20 ЛЕТ | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 15 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVTCJF ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvzejqtr-datasheets-8915.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVZEJQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvzejqtr-datasheets-8915.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVPJQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W98AD6KBGX6E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25P10ВСНИГ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,72 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25p10vsnigtr-datasheets-0590.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 Мб | да | EAR99 | неизвестный | 1 | 18 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | ЭСППЗУ | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 13 нс | 2,7 В | 40 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 1MX1 | 1 | 5 мс | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||
| W25P20ВСНИГ Т&Р | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25p10vsnigtr-datasheets-0590.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,7 В~3,6 В | 8-СОИК | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40CLZPIG | Винбонд Электроникс | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x40clsnig-datasheets-9270.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 10 недель | 8 | SPI, серийный | EAR99 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 2,5/3,3 В | 0,015 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 800 мкс | 4194304 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40CLSNIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x40clsnig-datasheets-9270.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 8 | 10 недель | 8 | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 14 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 2,5/3,3 В | 85°С | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 800 мкс | СЕРИАЛ | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpiqtr-datasheets-0767.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | 10 недель | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКТОВОЙ ЧАСТОТЕ 104 МГц. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9825G6KH-6 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9825g6kh6-datasheets-2753.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16FWZPIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16fwssiq-datasheets-9129.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 14 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX1 | 1 | 60 мкс, 3 мс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG8MB-12 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg8mb12-datasheets-1633.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б78 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q40CLSNIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q40clsnig-datasheets-9412.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | 1 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | 0,016 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 800 мкс | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JWSNIM | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jwsnimtr-datasheets-8530.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JWZPIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jwzpiqtr-datasheets-9550.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W971GG6SB-18 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w971gg6sb25-datasheets-3241.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б84 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q40EWSNIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q40ewsvig-datasheets-8966.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | 1,65 В~1,95 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс |
