Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W25Q128BVEIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128bveig-datasheets-5396.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 128 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 8,5 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1 | 50 мкс, 3 мс | 0,000015А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32DWZEIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32dwsfig-datasheets-5426.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | EAR99 | ВЕРХНИЙ/НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | 1,95 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,04 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 256КХ16 | 16 | 3 мс | 4194304 бит | СЕРИАЛ | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9812G6JH-6I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9812g6jh6i-datasheets-5598.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 75 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9464G6KH-4 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9464g6kh5-datasheets-5803.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,4 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 0,65 мм | 2,7 В | 2,4 В | Р-ПДСО-G66 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 55нс | 250 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 15нс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVCIG | Винбонд Электроникс | 2,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 24 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 256MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 268435456 бит | 0,000025А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256SL9T | Винбонд Электроникс | 1,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256sh9t-datasheets-3542.pdf | 56-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 14 мм | 56 | 14 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г56 | 256Мб 16М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 16MX16 | 16 | 90 нс | 268435456 бит | 0,0001А | 90 нс | ДА | ДА | ДА | 256 | 64К | ДА | ДА | 16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W978H6KBQX2E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w978h6kbvx2e-datasheets-3174.pdf | 168-ВФБГА | 12 мм | 12 мм | 168 | 168 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,5 мм | 1,3 В | 1,14 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL128CH9C | Винбонд Электроникс | 1,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl128ch9t-datasheets-5439.pdf | 56-ТФБГА | 9 мм | 7 мм | 56 | 14 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 1,8/3,33/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б56 | 128Мб 16М х 8 8М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 8MX16 | 16 | 90 нс | 134217728 бит | 8 | 0,000005А | 90 нс | ДА | ДА | ДА | 128 | 128 тыс. | ДА | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVFIF ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256PH9B ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256ph9t-datasheets-3540.pdf | 64-ЛБГА | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 16М х 16 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVSSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvsfig-datasheets-5409.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU8KB-15 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu8kb12-datasheets-3708.pdf | 78-ТФБГА | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256PH9B | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256ph9t-datasheets-3540.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 14 недель | 64 | неизвестный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 256Мб 32М х 8 16М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 16MX16 | 16 | 90 нс | 268435456 бит | 8 | 90 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256SL9C ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256sh9t-datasheets-3542.pdf | 56-ТФБГА | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 16М х 16 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVTCIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvsfig-datasheets-5409.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVZEIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvssig-datasheets-5384.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6KB12I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6kb15i-datasheets-3666.pdf | 96-ТФБГА | 1,283 В~1,45 В | 96-ШБГА (9х13) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40BVDAIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 5,33 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20bvsnig-datasheets-6541.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,27 мм | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 16,5 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 2,54 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 3 мс | 0,000005А | 1б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64BVSSIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64bvzeig-datasheets-6555.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 80 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 0,000005А | 1б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BVZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bvsnig-datasheets-5321.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVSIG ТР | Винбонд Электроникс | 0,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 7 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG8JB-18 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg8jb25itr-datasheets-3765.pdf | 60-ТФБГА | 11,5 мм | 1,8 В | 60 | 60 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1,066 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | 165 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 350пс | 533 МГц | 18б | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 0,012А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVEIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 800 мкм | 3,3 В | 8 | 14 недель | 8 | СПИ | 256 Мб | 1 | 20 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Не квалифицирован | 85°С | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 3В | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 256MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | СЕРИАЛ | 0,000025А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BVDAIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bvsnig-datasheets-5321.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2,7 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6KB15I | Винбонд Электроникс | $5,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6kb12i-datasheets-3642.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 96 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | 235 мА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 96 | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 667 МГц | 17б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 0,065А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVAIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | 104 МГц | Соответствует ROHS3 | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | SPI, серийный | 2,7 В~3,6 В | 8-ПДИП | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVTBIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvsfig-datasheets-5409.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVZEIF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvsf00-datasheets-5430.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 1 | 0,00005А | СПИ | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80DLUXIE | Винбонд Электроникс | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80dvsnigtr-datasheets-9191.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | да | 1 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 6 нс | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVBIP ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvfiptr-datasheets-5790.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс |
