Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W972GG6KB-25 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6kb25-datasheets-6448.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 10 недель | 84 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80EWSSIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80ewzpig-datasheets-5254.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 10 недель | 1,65 В~1,95 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JWBYIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jwsnimtr-datasheets-8530.pdf | 8-УФБГА, ВЛЦП | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JWZPIM | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jwzpiqtr-datasheets-9550.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | совместимый | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q40CLUXIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q40clsnig-datasheets-9412.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,3 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32JVZPIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32jvssiqtr-datasheets-9691.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JWXGIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jwssiq-datasheets-2123.pdf | 8-XDFN Открытая площадка | 12 недель | 1,7 В~1,95 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40CLSVIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x40clsnig-datasheets-9270.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | 2,3 В~3,6 В | 8-ВСОП | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D2FBJX6E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d2fbjx5e-datasheets-6682.pdf | 90-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG6MB12I | Винбонд Электроникс | 1,97 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg6mb11-datasheets-6363.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W949D6DBHX5E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w949d6dbhx5i-datasheets-2990.pdf | 60-ТФБГА | 9 мм | 8 мм | 60 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25M02GVZEIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25m02gvzeittr-datasheets-8530.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 700 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9412G6KH-5I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM-DDR | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9412g6kh5-datasheets-7030.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | Параллельно | 2,3 В~2,7 В | 66-ЦОП II | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 50 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W947D6HBHX6E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w947d6hbhx5i-datasheets-6385.pdf | 60-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W947D6HBHX6E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w947d6hbhx5i-datasheets-6385.pdf | 60-ТФБГА | 9 мм | 1,8 В | 60 | 10 недель | 60 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 50 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||
| W9825G6KH-6I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9825g6kh6-datasheets-2753.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W947D2HBJX5I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w947d6hbhx5i-datasheets-6385.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 10 недель | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 55 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 90 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 200 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 15нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||
| W631GU8MB12I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu8mb15i-datasheets-6507.pdf | 78-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL512SL9T | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 56-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | Параллельно | 2,7 В~3,6 В | 56-ЦОП | 512Мб 32М х 16 | Энергонезависимый | 90 нс | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W978H2KBVX2I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w978h6kbvx2e-datasheets-3174.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 10 недель | 134 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 15нс | 268435456 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W97AH6KBVX2I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w97ah6kbvx2i-datasheets-7246.pdf | 134-ВФБГА | 10 недель | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32JVTCIQ | Винбонд Электроникс | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32jvssiqtr-datasheets-9691.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 10 недель | да | НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ 2,7 В ДОСТУПНО С 104 МГЦ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 4MX8 | 8 | 3 мс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVTCIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jvssiqtr-datasheets-9939.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 10 недель | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX1 | 1 | 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W74M64FVSSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9712G6KB25I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9712g6kb25tr-datasheets-0116.pdf | 84-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,9 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25N01GVZEIT ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25n01gvzeigtr-datasheets-8799.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG8NB-09 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg8nb12-datasheets-8538.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 1,067 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q512JVEIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q512jvbim-datasheets-5648.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6NB11I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6nb12-datasheets-8478.pdf | 96-ВФБГА | 10 недель | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X16VZPIG T&R | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x16vsfigtr-datasheets-1665.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 8-ВСОН (6x5) | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс |
