Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W25M02GVTCIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25m02gvzeittr-datasheets-8530.pdf | 24-ТБГА | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 700 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9825G2JB-6I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9825g6jb6tr-datasheets-8893.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 10 недель | 90 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 150 мА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 2,7 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X16VSSIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x16vsfigtr-datasheets-1665.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | EAR99 | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 75 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16VSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16vsfig-datasheets-6870.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 7,49 мм | 16 | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 16 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,018 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 16777216 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL032CB7A | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl032cb7a-datasheets-5403.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 48 | 48 | 32 Мб | да | 3A991.B.1.A | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 55 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,8 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 3В | 21б | ВСПЫШКА | Параллельно | 32MX1 | 1 | 70нс | 8 | 0,000005А | 70 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 863 | 8К64К | ДА | НИЖНИЙ | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BWSNIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bwsnig-datasheets-5509.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | 1,95 В | 1,65 В | 1,8 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX1 | 1 | 800 мкс | 8388608 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9412G6JH-5I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9412g6jh5i-datasheets-5608.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | неизвестный | 2,3 В~2,7 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 50 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DWUUIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dwssig-datasheets-5478.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 4 мм | 3 мм | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX1 | 1 | 40 мкс, 3 мс | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVFIF | Винбонд Электроникс | 1,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 16 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 2MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 2097152 бит | 0,000025А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CLZPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16clssig-datasheets-3517.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 14 недель | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | 3/3,3 В | 0,018 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 16777216 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVPIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 134217728 бит | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256SL9B | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/winbondelectronics-w29gl256sh9t-datasheets-3542.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 14 недель | 64 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 16MX16 | 16 | 90 нс | 268435456 бит | 0,0001А | 90 нс | ДА | ДА | ДА | 256 | 64К | ДА | ДА | 16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU8KB12I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu8kb12-datasheets-3708.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 78 | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,36 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б78 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVCIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256SL9T ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256sh9t-datasheets-3542.pdf | 56-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 16М х 16 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9464G6KH-4 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 2,4 В~2,7 В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 55нс | 250 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BWSVIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bwsnig-datasheets-5509.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,65 В~1,95 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8KB-12 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8kb15-datasheets-3704.pdf | 78-ТФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVPIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVEIF ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVZPIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvsfig-datasheets-5409.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BVDAIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | 104 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bvsnig-datasheets-5321.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 2,7 В | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | Нет | 2,7 В~3,6 В | 8-ПДИП | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 8,5 нс | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9464G6JH-4 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9464g6jh4-datasheets-7939.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 110 мА | 2,4 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55нс | 250 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 15нс | 0,005А | ОБЩИЙ | 4096 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6KB-12 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6kb12i-datasheets-3642.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 14 недель | 96 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | 250 мА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 96 | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | 17б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 0,07А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVEIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q40BWSSIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q40bwsnig-datasheets-5420.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 1,65 В~1,95 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG6JB-18 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6jb3i-datasheets-5367.pdf | 84-ТФБГА | 13 мм | 11 мм | 84 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,31 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | 0,012А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG8JB-3I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | 95°С | -40°С | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg8jb25itr-datasheets-3765.pdf | 60-ТФБГА | Параллельно | 1,7 В~1,9 В | 60-ШБГА (11x11,5) | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16BVSFIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16bvsfig-datasheets-6563.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16-СОИК | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16FWSVIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16fwssiq-datasheets-9129.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 14 недель | SPI, серийный | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | Р-ПДСО-Г8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX1 | 1 | 60 мкс, 3 мс | 16777216 бит |
