Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Размер страницы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W25Q16ДВУЗИГ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVBIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80JVSNIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80jvssiq-datasheets-3111.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 8-СОИК | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVTCIG | Винбонд Электроникс | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvsf00-datasheets-5430.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 24 | 24 | SPI, серийный | 64 Мб | Нет | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 1 мм | 3,6 В | 3В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00005А | СПИ | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVEIP | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fveip-datasheets-5856.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 128MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG6KB12I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg6kb12tr-datasheets-9274.pdf | 96-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8MB-11 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8mb12tr-datasheets-7505.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6KB-11 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6kb12i-datasheets-3632.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8MB15I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8mb12tr-datasheets-7505.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6FBHX5J | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d6fb2x5j-datasheets-9861.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6MB12J | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6mb12-datasheets-6302.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FWSSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fwbyigtr-datasheets-2990.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 1,65 В~1,95 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CVSNJG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16cvssig-datasheets-5341.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25R128FVSIQ | Винбонд Электроникс | 1,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25r128fveiq-datasheets-4333.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JWUXIM | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jwzpiqtr-datasheets-9550.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8MB-09 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8mb09-datasheets-7555.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 1,067 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6MB15J | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6mb09j-datasheets-7553.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVFJQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64CVTBIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64cvssjgtr-datasheets-8932.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVCJF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVEJQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 256MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 268435456 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32BVZPJG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32bvsfjptr-datasheets-8896.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Н8 | АЭК-Q100 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 4MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64CVTBIP | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64cvssjgtr-datasheets-8932.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПБГА-Б24 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVSFJQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvssig-datasheets-5384.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25B40ВСНИГ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25b40vsnig-datasheets-0581.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | SPI, серийный | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 225 | 1,27 мм | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 40 мкс | 40 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 512КХ8 | 8 | 15 мс, 5 мс | 4194304 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25P20ВСНИГ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,72 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25p10vsnigtr-datasheets-0590.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,85 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | SPI, серийный | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 40 мкс | 2,7 В | 40 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 5 мс | 2097152 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||
| W25X80VSFIG Т&Р | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16-СОИК | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVSFIQ | Винбонд Электроникс | 1,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jvssiqtr-datasheets-9939.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | 10 недель | SPI, серийный | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX1 | 1 | 3 мс | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32JVSSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32jvssiqtr-datasheets-9691.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,16 мм | 3В | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | СПИ | 256 Мб | да | НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ 2,7 В ДОСТУПНО С 104 МГЦ | W25Q32JVSSIQ | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 85°С | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8 | 3 мс | СЕРИАЛ | 1 | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||
| W29N02GVBIAA | Винбонд Электроникс | 2,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29n02gvsiaa-datasheets-8031.pdf | 63-ВФБГА | 11 мм | 9 мм | 63 | 10 недель | 63 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | ВСПЫШКА | Параллельно | 2GX1 | 1 | 25нс | 2147483648 бит |
