Альянс Память, Инк.

Альянс Память, Инк.(2556)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета Напряжение в режиме ожидания-мин.
AS4C256M8D3A-12BCN АС4К256М8Д3А-12БКН Альянс Память, Инк. $6,21
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~90°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bcn-datasheets-5471.pdf 78-ВФБГА 10,5 мм 8 мм 78 10 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В Р-ПБГА-Б78 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15нс 2147483648 бит
AS7C38098A-10TINTR AS7C38098A-10ТИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c38098a10bin-datasheets-5150.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,415 мм 10,16 мм 44 10 недель да 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 44 3,6 В 2,7 В 40 Р-ПДСО-Г44 8Мб 512К х 16 Неустойчивый СРАМ Параллельно 512КХ16 16 10 нс 8388608 бит 10 нс
AS4C16M32SC-7TINTR AS4C16M32SC-7TINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m32sc7tin-datasheets-8946.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 86 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 3,3 В 0,5 мм 3,6 В Р-ПДСО-Г86 512Мб 16М х 32 Неустойчивый 17нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 16MX32 32 15нс 536870912 бит
AS7C3256A-12JCNTR AS7C3256A-12JCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 3,7592 мм Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3256a12tcn-datasheets-6096.pdf 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) 18,415 мм 7,62 мм 28 8 недель 28 да 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 245 3,3 В 1,27 мм 28 3,6 В 40 256Кб 32К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 32КХ8 8 12нс 262144 бит 12 нс
AS4C1M16S-6TCNTR AS4C1M16S-6TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1m16s6tin-datasheets-6158.pdf 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) 8 недель 3В~3,6В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 16Мб 1М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 2нс
AS7C3256A-10TINTR AS7C3256A-10TINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3256a12tcn-datasheets-6096.pdf 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) 11,8 мм 8 мм 28 8 недель 28 да EAR99 8542.32.00.41 1 ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,55 мм 28 3,6 В 40 Не квалифицирован 256Кб 32К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 32КХ8 8 10 нс 262144 бит 10 нс
AS4C4M16D1A-5TCNTR AS4C4M16D1A-5TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16d1a5tcn-datasheets-6300.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 8 недель да неизвестный 2,3 В~2,7 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS6C1008-55TINTR AS6C1008-55TINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) Без свинца 8 недель 32 да неизвестный 2,7 В~5,5 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1Мб 128К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 55нс
AS4C4M32S-7BCNTR AS4C4M32S-7BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM 1,2 мм Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32s6bin-datasheets-3672.pdf 90-ТФБГА 13 мм 3,3 В 90 8 недель 90 128 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.02 1 ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ 3,3 В 0,8 мм 90 3,6 В 128Мб 4М х 32 Неустойчивый 32б 5,4 нс 143 МГц 12б ДРАМ Параллельно 4MX32 32 2нс
AS6C4008A-55BINTR АС6К4008А-55БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c4008a55stintr-datasheets-8279.pdf 36-ТФБГА 8 недель 36 да неизвестный 2,7 В~3,6 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 4Мб 512К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 55нс
AS4C16M32MD1-5BCNTR AS4C16M32MD1-5BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°C~85°C ТДж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m32md15bcn-datasheets-6651.pdf 90-ВФБГА 8 недель 90 да неизвестный 1,7 В~1,95 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 512Мб 16М х 32 Неустойчивый 5нс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS7C32096A-10TINTR AS7C32096A-10TINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32096a10tin-datasheets-6372.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,415 мм 10,16 мм 44 8 недель да 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 44 3,6 В 40 Р-ПДСО-Г44 2Мб 256К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 256КХ8 8 10 нс 2097152 бит 10 нс
AS7C316096A-10TINTR AS7C316096A-10TINTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316096a10tintr-datasheets-8911.pdf 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) 3,3 В 48 8 недель 48 16 Мб да 1 Нет 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 0,5 мм 48 3,6 В 2,7 В 40 16Мб 2М х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 21б СРАМ Параллельно 2MX8 8 10 нс 0,04А ОБЩИЙ
AS7C316096B-10TIN AS7C316096B-10ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316096b10bintr-datasheets-8909.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 54 8 недель 1 ДА 2,7 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 3,6 В 2,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-Г54 16Мб 2М х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 2MX8 8 10 нс 16777216 бит 10 нс
AS6C3216-55BINTR АС6К3216-55БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,4 мм Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c321655bin-datasheets-9302.pdf 48-ЛФБГА 10 мм 8 мм 48 8 недель 48 1 ДА 2,7 В~3,6 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 0,75 мм 3,6 В 2,7 В НЕ УКАЗАН 3/3,3 В 0,08 мА Не квалифицирован 32Мб 2М х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СРАМ Параллельно 2MX16 16 55нс 33554432 бит 0,002А 55 нс ОБЩИЙ 1,2 В
AS8C801800-QC150N AS8C801800-QC150N Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM – синхронный, SDR 1,6 мм Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as8c801800qc150n-datasheets-6112.pdf 100-LQFP 3,3 В Без свинца 100 8 недель 100 9 Мб да 2 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 ДА 3,135 В~3,465 В КВАД 3,3 В 0,65 мм 100 3,465 В 3,135 В 9Мб 512К х 18 Неустойчивый 3,8 нс 150 МГц 19б СРАМ Параллельно 18 6,7 нс
AS4C16M16S-6TANTR AS4C16M16S-6TANTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 54 54 да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 16MX16 16 12нс
AS4C64M16D2-25BCNTR AS4C64M16D2-25BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 1,2 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bcntr-datasheets-8914.pdf 84-ТФБГА 12,5 мм 1,8 В Без свинца 84 8 недель 84 1 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.32 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В 0,33 мА 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 400пс 400 МГц 13б ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 0,01 А ОБЩИЙ 8192 48 48
AS4C4M32S-7TCNTR AS4C4M32S-7TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM 1,2 мм Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32s7tcntr-datasheets-8953.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В 160 мА 86 86 128 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.02 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,5 мм 86 3,6 В 40 128Мб 4М х 32 Неустойчивый 32б 5,5 нс 143 МГц 12б ДРАМ Параллельно 4MX32 32 2нс
U6264BDK07LLG1 U6264BDK07LLG1 Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -40°C~85°C ТА Трубка 1 (без ограничений) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) Без свинца 28 8 недель 28 64 КБ да 1 EAR99 Нет 1 НЕТ 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 260 2,54 мм 28 40 64Кб 8К х 8 Неустойчивый 13б СРАМ Параллельно 8КХ8 8 70нс 70 нс
AS4C16M16S-6BIN АС4К16М16С-6БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf 54-ТФБГА 8 мм 3,3 В Без свинца 100 мА 54 54 256 Мб 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ 3,3 В 0,8 мм 3,6 В 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 166 МГц 13б ДРАМ Параллельно 16MX16 16 12нс
AS4C128M8D3L-12BIN АС4К128М8Д3Л-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3l12bin-datasheets-9678.pdf 78-ТФБГА 10,5 мм 1,35 В 78 78 1 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ неизвестный 8542.32.00.32 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В 1 ГБ 128 М x 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 14б ДРАМ Параллельно 128MX8 8 15нс
AS4C4M16S-6TAN АС4К4М16С-6ТАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16s6tantr-datasheets-9455.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В Без свинца 85 мА 54 54 64 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 166 МГц 14б ДРАМ Параллельно 4MX16 16 2нс
AS4C256M16D3L-12BCNTR AS4C256M16D3L-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С 0°С SDRAM-DDR3L 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bcn-datasheets-9916.pdf 96-ТФБГА 1,35 В 96 Параллельно 4ГБ 800 МГц 1,283 В~1,45 В 96-ФБГА (9x13) 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 15б ДРАМ Параллельно 15нс
AS7C31026C-10BINTR AS7C31026C-10БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С SRAM — асинхронный Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026c10bintr-datasheets-2905.pdf 48-ЛФБГА 3,6 В 48 Параллельно 3В~3,6В 48-БГА (7x7) 1Мб 64К х 16 Неустойчивый 10 нс СРАМ Параллельно 10 нс
AS4C256M16D3L-12BINTR АС4К256М16Д3Л-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С -40°С SDRAM-DDR3L 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bcn-datasheets-9916.pdf 96-ТФБГА 1,35 В Без свинца 96 Параллельно 4ГБ 800 МГц 1,283 В~1,45 В 96-ФБГА (9x13) 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 15б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M16MD1-5BINTR АС4К32М16МД1-5БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С SDRAM — мобильный LPDDR 200 МГц Соответствует RoHS 60-ТФБГА 8 недель Параллельно 1,7 В~1,9 В 60-ФБГА (8x9) 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C4M16S-7TCN АС4К4М16С-7ТЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) 70°С 0°С SDRAM 143 МГц Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16s7tcntr-datasheets-8887.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,35 мм 1,1 мм 10,29 мм 3,3 В Без свинца 75 мА 3,6 В 54 Параллельно 64 Мб Нет 143 МГц 3В~3,6В 54-ЦОП II 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 143 МГц 14б ДРАМ Параллельно 2нс
AS4C4M32D1-5BCN AS4C4M32D1-5BCN Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) 70°С 0°С SDRAM-DDR 200 МГц Соответствует RoHS БГА Параллельно 2,3 В~2,7 В 144-БГА 128Мб 4М х 32 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 12нс
AS4C64M16D3LA-12BIN АС4К64М16Д3ЛА-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12bcn-datasheets-1891.pdf 96-ВФБГА 13 мм 8 мм 96 8 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-В96 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 1073741824 бит

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.