Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Максимальный ток питания | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС6К4016-55БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c401655zin-datasheets-7995.pdf | 48-ЛФБГА | 8 недель | 48 | да | неизвестный | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32096A-12TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32096a10tin-datasheets-6372.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 12нс | 2097152 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C316098A-10БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098a10bin-datasheets-7816.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | 1 | Нет | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C316098B-10ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c316098b10tintr-datasheets-8918.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | Без свинца | 54 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К3216А-55БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c3216a55bin-datasheets-9553.pdf | 48-ЛФБГА | 10 мм | 8 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 55нс | 33554432 бит | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1616-55БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c161655bintr-datasheets-5543.pdf | 48-ЛФБГА | 8 недель | 48 | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4016А-55БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c4016a55bintr-datasheets-8780.pdf | 48-ЛФБГА | 3,6 В | 2,7 В | 48 | Параллельно | 2,7 В~3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д2-25БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d225bintr-datasheets-8916.pdf | 84-ТФБГА | 1,8 В | Без свинца | 84 | 84 | 512 Мб | Нет | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 0,2 мА | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,008А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C3216-55ТИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c321655tintr-datasheets-8955.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 8 недель | 3,6 В | 2,7 В | 48 | Параллельно | 2,7 В~3,6 В | 48-ЦОП I | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U6264BDC07LLG1 | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 5В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | 28 | 40 | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | 13б | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 70нс | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C2M32S-5TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Параллельно | 64 Мб | 200 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 200 МГц | 11б | ДРАМ | Параллельно | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d312ban-datasheets-9736.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,5 В | 78 | 78 | 1 ГБ | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 1 ГБ 128 М x 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3Л-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3l12bcn-datasheets-0762.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 1,35 В | Без свинца | 96 | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16SM-7TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sm7tcntr-datasheets-2776.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Параллельно | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СМ-7ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sm7tcntr-datasheets-2776.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Г54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16MD1-6BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf | 60-ТФБГА | 1,8 В | 8 недель | 60 | Параллельно | 1 ГБ | 166 МГц | 1,7 В~1,95 В | 60-ФБГА (8x10) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М32МД1-5БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m32md15bcntr-datasheets-3365.pdf | 90-ВФБГА | 8 недель | 90 | Параллельно | 1,7 В~1,9 В | 90-ФБГА (8x13) | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М32С-7ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32s7tcntr-datasheets-8953.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 86 | 86 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | 0,24 мА | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 2нс | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | ||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32Д1-5БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM-DDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | БГА | Параллельно | 2,3 В~2,7 В | 144-БГА | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3А-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3a12bin-datasheets-5107.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3А-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | /files/alliancememoryinc-as4c128m16d3a12ban-datasheets-5142.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3А-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3a12bcn-datasheets-5229.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3А-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3a12bantr-datasheets-5208.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б78 | 1 ГБ 128 М x 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3ЛА-12БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3la12bintr-datasheets-5167.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 1 ГБ 128 М x 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М32МД2-25БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md225bcn-datasheets-5873.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | совместимый | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | Р-ПБГА-В134 | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3Б-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16МД1-5БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,05 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf | 60-ТФБГА | 10 мм | 8 мм | 60 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б60 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М16СА-6БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16sa6tin-datasheets-2524.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | Без свинца | 54 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б54 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31024B-12JCN | Альянс Память, Инк. | 3,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31024b12jcn-datasheets-2725.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 83 МГц | 3В~3,6В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 12нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32С-6БИН | Альянс Память, Инк. | $5,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6bin-datasheets-3666.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 90 | 8 недель | 90 | 64 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 0,1 мА | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 10б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 2нс | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 |
