Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Время доступа (макс.) | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| U6264BDK07LLG1 | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-u6264bs2c07llg1tr-datasheets-8713.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 5В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | 28 | 40 | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | 13б | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 70нс | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К16М16С-6БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 мА | 54 | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3Л-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3l12bin-datasheets-9678.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,35 В | 78 | 78 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М16С-6ТАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16s6tantr-datasheets-9455.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 85 мА | 54 | 54 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M16D3L-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bcn-datasheets-9916.pdf | 96-ТФБГА | 1,35 В | 96 | Параллельно | 4ГБ | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026C-10БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026c10bintr-datasheets-2905.pdf | 48-ЛФБГА | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 3В~3,6В | 48-БГА (7x7) | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3Л-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | -40°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bcn-datasheets-9916.pdf | 96-ТФБГА | 1,35 В | Без свинца | 96 | Параллельно | 4ГБ | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | 4Гб 256М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16МД1-5БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 8 недель | Параллельно | 1,7 В~1,9 В | 60-ФБГА (8х9) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М16С-7ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16s7tcntr-datasheets-8887.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 75 мА | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 64 Мб | Нет | 143 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M32D1-5BCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM-DDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | БГА | Параллельно | 2,3 В~2,7 В | 144-БГА | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3ЛА-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12bcn-datasheets-1891.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д3А-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bin-datasheets-5251.pdf | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3LA-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12bcntr-datasheets-5227.pdf | 78-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3ЛА-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3la12bintr-datasheets-5167.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3LA-12BANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12ban-datasheets-5273.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М32МД3-15БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m32md315bcn-datasheets-5962.pdf | 178-ВФБГА | 11,5 мм | 11 мм | 178 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | совместимый | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,8 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В178 | 16Гб 512М х 32 | Неустойчивый | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX32 | 32 | 15нс | 17179869184 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3Б-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16МД1-5БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16SA-6TAN | Альянс Память, Инк. | $3,95 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16sa6ban-datasheets-4192.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 12нс | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026B-12TCN | Альянс Память, Инк. | 2,97 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026b12tcn-datasheets-2660.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 1 Мб | 1 | 83 МГц | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 16б | СРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34096A-10JCN | Альянс Память, Инк. | $4,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34096a10jcn-datasheets-3571.pdf | 36-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 10 недель | 3,6 В | 3В | 36 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 36-СОЮ | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 10 нс | 19б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д1-6ТЦН | Альянс Память, Инк. | 19,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d16tcn-datasheets-5024.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M16SA-6TIN | Альянс Память, Инк. | 1,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16sa6tin-datasheets-2524.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 8 недель | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д2А-25БИН | Альянс Память, Инк. | $5,90 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d2a25bin-datasheets-4308.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 265 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 20 | Р-ПБГА-Б84 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C38098A-10ТИН | Альянс Память, Инк. | $12,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c38098a10bin-datasheets-5150.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,62 мм | 1,05 мм | 10,363 мм | 3,3 В | Без свинца | 10 недель | 3,6 В | 2,7 В | 44 | Параллельно | 8 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | 19б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C4098A-20ТИН | Альянс Память, Инк. | $5,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | Без свинца | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 44-ЦОП2 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 20нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 20нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3ЛК-12БАН | Альянс Память, Инк. | $8,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3lc12ban-datasheets-6015.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | АЭК-Q100 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7BCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16sa7tcn-datasheets-3641.pdf | 54-ТФБГА | Без свинца | 8 недель | Параллельно | 3В~3,6В | 54-ТФБГА (8х8) | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 14 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д2Б-25БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d2b25bcn-datasheets-2109.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ46В16М16ТГ-5Б:МТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt46v16m16tg5bmtr-datasheets-8645.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 12 недель | 2,5 В~2,7 В | 66-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс |
