Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAlliance Memory, Inc. (2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Завершение | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Вспомогательный ток-макс | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Вспомогательное напряжение-мимин |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS4C4M16D1-5TINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16d15tcntr-datasheets-8931.pdf | 66-tssop (0,400, ширина 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В. | 66 | 66 | 64 МБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | E3/E6 | Чистый матовый олово/олово висмут | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | Двойной | 260 | 2,5 В. | 0,65 мм | 66 | 2,7 В. | 2,3 В. | 40 | 64 МБ 4m x 16 | Нестабильный | 16b | 700 л.с. | 200 МГц | 12B | Драм | Параллель | 4mx16 | 16 | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C2M32S-6TINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SDRAM | 166 МГц | ROHS COMPARINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf | 86-TFSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 3,3 В. | Параллель | 64 МБ | 166 МГц | 3 В ~ 3,6 В. | 86-tsop II | 64 МБ 2m x 32 | Нестабильный | 5,5NS | 166 МГц | 11b | Драм | Параллель | 2ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3L-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3l12bin-datasheets-9678.pdf | 78-TFBGA | 10,5 мм | 1,35 В. | Свободно привести | 78 | 78 | 1 ГБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | 1 ГБ 128m x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 14b | Драм | Параллель | 128mx8 | 8 | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3-12BAN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312ban-datasheets-9872.pdf | 78-FBGA | 10,5 мм | 1,5 В. | 78 | 78 | 4ГБ | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | неизвестный | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | 4 ГБ 512M x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 16b | Драм | Параллель | 512mx8 | 8 | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3L-12BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95 ° C. | -40 ° C. | SDRAM - DDR3L | 800 МГц | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3l12bcn-datasheets-9776.pdf | 78-TFBGA | 1,35 В. | 78 | Параллель | 2 ГБ | 800 МГц | 1,283 В ~ 1,45 В. | 78-FBGA (8x10,5) | 2 ГБ 256 м x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 15B | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3-12BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95 ° C. | -40 ° C. | SDRAM - DDR3 | 800 МГц | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf | 78-TFBGA | 1,5 В. | 78 | Параллель | 2 ГБ | 800 МГц | 1,425 В ~ 1,575 В. | 78-FBGA (8x10,5) | 2 ГБ 256 м x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | 15B | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16MD1-5BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR | Синхронно | 1,025 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16md15bcntr-datasheets-2842.pdf | 60-TFBGA | 9 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 60 | 8 недель | 60 | 512 МБ | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 700 л.с. | 200 МГц | 13b | Драм | Параллель | 32MX16 | 16 | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16S-7BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | SDRAM | 143 МГц | ROHS COMPARINT | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf | 54-TFBGA | 8,1 мм | 710 мкм | 8,1 мм | Свободно привести | 100 мА | 3,6 В. | 3В | 54 | Параллель | 256 МБ | 143 МГц | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TFBGA (8x8) | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 16b | 5.4ns | 143 МГц | Драм | Параллель | 14ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC32M16A2TG-75: c | Alliance Memory, Inc. | $ 4,62 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 4 (72 часа) | 70 ° C. | 0 ° C. | SDRAM | 133 МГц | Не совместимый с ROHS | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | Параллель | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 5.4ns | 133 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M32D1-5BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SDRAM - DDR | 200 МГц | ROHS COMPARINT | BGA | Параллель | 2,3 В ~ 2,7 В. | 144-BGA | 128MB 4M x 32 | Нестабильный | 700 л.с. | 200 МГц | Драм | Параллель | 12NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D3A-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | Синхронно | 1 мм | Не совместимый с ROHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3a12bcn-datasheets-5138.pdf | 96-VFBGA | 13 мм | 8 мм | 96 | да | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,425 В ~ 1,575 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В. | 0,8 мм | 1,575 В. | 1.425V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 128mx16 | 16 | 15NS | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D3A-12BINTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3 | 2017 | /files/alliancememoryinc-as4c128m16d3a12bin-datasheets-5155.pdf | 96-VFBGA | 8 недель | 1,425 В ~ 1,575 В. | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 15NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3LA-12BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1 мм | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3la12bcn-datasheets-5239.pdf | 78-VFBGA | 10,5 мм | 9 мм | 78 | 10 недель | да | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B78 | 4 ГБ 512M x 8 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 512mx8 | 8 | 15NS | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3L-12BAN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Автомобиль, AEC-Q100 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3l12buntrtr-datasheets-5211.pdf | 96-VFBGA | 13 мм | 8 мм | 96 | да | 1 | Авто/самообновление | неизвестный | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | R-PBGA-B96 | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 64mx16 | 16 | 15NS | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D3LA-12BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1 мм | ROHS COMPARINT | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3la12bintr-datasheets-5271.pdf | 96-VFBGA | 13 мм | 8 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B96 | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 20ns | 800 МГц | Драм | Параллель | 128mx16 | 16 | 15NS | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16MD2-25BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR2 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md225bcn-datasheets-5873.pdf | 134-VFBGA | 1,14 В ~ 1,95 В. | 1 ГБ 64 м х 16 | Нестабильный | 400 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16MD2A-25BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -30 ° C ~ 85 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - Mobile LPDDR2 | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf | 134-VFBGA | 8 недель | 1,14 В ~ 1,95 В. | 2 ГБ 128m x 16 | Нестабильный | 400 МГц | Драм | Параллель | 15NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16SB-7BIN | Alliance Memory, Inc. | $ 13,31 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | 3 (168 часов) | SDRAM | ROHS3 соответствует | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 3 В ~ 3,6 В. | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 6ns | 143 МГц | Драм | Параллель | 14ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098A-10TIN | Alliance Memory, Inc. | $ 5,64 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098a10tin-datasheets-8225.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 3,3 В. | Свободно привести | 10 недель | 3,6 В. | 3В | 44 | Параллель | 4 МБ | 1 | Нет | 3 В ~ 3,6 В. | 44-tsop2 | 4 МБ 256K x 16 | Нестабильный | 10NS | 18b | Шрам | Параллель | 10NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026C-12TIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1 МГц | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026c12tin-datasheets-2933.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,42 мм | 1 мм | 10,16 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 44 | 8 недель | 44 | 1 МБ | да | 1 | Нет | 1 | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 0,8 мм | 44 | 3,6 В. | 3В | 1 МБ 64K x 16 | Нестабильный | 16b | Шрам | Параллель | 12NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C16M16MSA-6BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - мобильный SDRAM | Синхронно | 1 мм | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16msa6bin-datasheets-3895.pdf | 54-VFBGA | 8 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,95 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В. | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | S-PBGA-B54 | 256 МБ 16m x 16 | Нестабильный | 5,5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | 16mx16 | 16 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098B-10BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM - асинхронный | 1,4 мм | ROHS3 соответствует | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098b10bin-datasheets-6761.pdf | 48-LFBGA | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,75 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B48 | 4 МБ 512K x 8 | Нестабильный | Шрам | Параллель | 256KX16 | 16 | 10NS | 4194304 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16SA-6TIN | Alliance Memory, Inc. | $ 3,58 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16sa6tcn-datasheets-2639.pdf | 54-центр (0,400, 10,16 мм ширина) | 22,22 мм | 10,16 мм | Свободно привести | 54 | 8 недель | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,6 В. | 3В | 40 | R-PDSO-G54 | 128 МБ 8m x 16 | Нестабильный | 5NS | 166 МГц | Драм | Параллель | 8mx16 | 16 | 12NS | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS6C8016-55ZIN | Alliance Memory, Inc. | $ 6,93 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SMD/SMT | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c801655zin-datasheets-4628.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,42 мм | 1 мм | 10,16 мм | 3В | Свободно привести | 60 мА | 44 | 8 недель | Нет SVHC | 44 | 8 МБ | да | 1 | Ear99 | Нет | 1 | 2,7 В ~ 5,5 В. | Двойной | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 5,5 В. | 2,7 В. | 40 | 3/5 В. | 8 МБ 512K x 16 | Нестабильный | 3-штат | 19b | Шрам | Параллель | 55NS | 0,00005A | 55 нс | ОБЩИЙ | 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D2A-25BCN | Alliance Memory, Inc. | $ 5,19 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR2 | Синхронно | 1,2 мм | ROHS COMPARINT | 60-TFBGA | 10 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | соответствие | 1 | ДА | 1,7 В ~ 1,9 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,8 мм | 1,95 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B60 | 1 ГБ 128m x 8 | Нестабильный | 400 с | 400 МГц | Драм | Параллель | 128mx8 | 8 | 15NS | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C4098A-20JIN | Alliance Memory, Inc. | $ 5,03 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SRAM - асинхронный | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf | 44-BSOJ (0,400, ширина 10,16 мм) | 5 В | Свободно привести | 8 недель | 5,5 В. | 4,5 В. | 44 | Параллель | 4 МБ | 1 | Нет | 4,5 В ~ 5,5 В. | 44-Soj | 4 МБ 256K x 16 | Нестабильный | 20ns | 18b | Шрам | Параллель | 20ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C1G8D3LA-10BCN | Alliance Memory, Inc. | $ 23,90 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 95 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR3L | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8d3la10bcn-datasheets-6344.pdf | 78-TFBGA | 10,6 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 1,283 В ~ 1,45 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В. | 0,8 мм | 1,45 В. | 1.283V | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B78 | 8 ГБ 1G x 8 | Нестабильный | 20ns | 933 МГц | Драм | Параллель | 1GX8 | 8 | 8589934592 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C38096A-10TIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | SRAM - асинхронный | 1 МГц | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancemory-as7c38096a10tin-datasheets-8675.pdf | 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) | 18,62 мм | 1,05 мм | 10,363 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 10 недель | 3,6 В. | 2,7 В. | 44 | Параллель | 8 МБ | 1 | Нет | 3 В ~ 3,6 В. | 44-tsop2 | 8 МБ 1m x 8 | Нестабильный | 10NS | 20B | Шрам | Параллель | 10NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M32D1A-5BCN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM - DDR | Синхронно | 1,4 мм | Не совместимый с ROHS | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32d1a5bcn-datasheets-9087.pdf | 144-LFBGA | 12 мм | 12 мм | 144 | 8 недель | 1 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 2,3 В ~ 2,7 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В. | 0,8 мм | 2,7 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | S-PBGA-B144 | 128MB 4M x 32 | Нестабильный | 700 л.с. | 200 МГц | Драм | Параллель | 4MX32 | 32 | 12NS | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BIN | Alliance Memory, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sa7bcn-datasheets-5325.pdf | 54-TFBGA | 8 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | да | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | 1 | ДА | 3 В ~ 3,6 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 0,8 мм | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | S-PBGA-B54 | 512 МБ 32 м х 16 | Нестабильный | 5.4ns | 143 МГц | Драм | Параллель | 32MX16 | 16 | 2ns | 536870912 бит |
