Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAdesto Technologies (1445)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Код ECCN | Контакт | Радиационное упрочнение | HTS -код | Количество функций | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Время доступа | Напряжение программирования | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Параллель/сериал | Вспомогательный ток-макс | Размер слова | Серийный тип автобуса | Выносливость | Время хранения данных | Защита от записи | Синхронизированная/асинхронная | Размер страницы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT25SF128A-SHB-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Flash - NO | Синхронно | 2,16 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25sf128accubt-datasheets-0775.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 13 недель | 1 | E4 | Никель/палладий/золото (Ni/pd/au) | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3,3 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 3В | НЕ УКАЗАН | S-PDSO-G8 | 128m 16m x 8 | Нелетущий | 2,7 В. | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O | 128mx1 | 1 | 50 мкс, 2,4 мс | 134217728 бит | Сериал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB161E-SHF-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | /storage/upload/at45db161e-shf-b.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF021A-SSHN-T | Adesto Technologies | $ 0,65 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ВСПЫШКА | 104 МГц | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df021asshnt-datasheets-9512.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | Свободно привести | 8 недель | 3,6 В. | 1,65 В. | 8 | SPI, сериал | 16 МБ | 1,65 В ~ 3,6 В. | 8 лет | 2 МБ 256K x 8 | Нелетущий | 7,5 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 2,5 мс | 256b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF321A-SH-B | Adesto Technologies | $ 8,01 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | 2,16 мм | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df321asht-datasheets-1517.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,29 мм | 3,6 В. | Свободно привести | 20 мА | 8 | 1 неделя | 540.001716mg | Неизвестный | 8 | Сериал | 32 МБ | 3A991.B.1.A | Золото | Нет | 1 | 20 мА | E4 | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В. | 3/3,3 В. | 32 МБ 256bytes x 16384 страницы | Нелетущий | 8B | 5 нс | 2,7 В. | 100 МГц | 1B | ВСПЫШКА | SPI | 8 | 7 мкс, 3 мс | 0,00001A | 8B | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | Синхронно | 256b | ||||||||||||||||||||||||||
| AT25SF041-XMHD-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25sf041shdb-datasheets-0605.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 2,5 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | 3,6 В. | 2,5 В. | НЕ УКАЗАН | R-PDSO-G8 | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 2,7 В. | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 4mx1 | 1 | 5 мкс, 2,5 мс | 4194304 бит | Сериал | SPI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C128C-LMAI-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Cbram | Синхронно | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c128clsnit-datasheets-8047.pdf | 8-Ufdfn открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 7 недель | SPI, сериал | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 0,5 мм | R-PDSO-N8 | Размер страницы 128 КБ 64B | Нелетущий | 10 МГц | CBRAM® | SPI | 100 мкс, 5 мс | SPI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C512C-LMAI-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Cbram | Синхронно | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c512clmait-datasheets-5526.pdf | 8-Ufdfn открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 8 недель | SPI, сериал | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 0,5 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | R-PDSO-N8 | 512KB 128B Размер страницы | Нелетущий | 20 МГц | CBRAM® | SPI | 512KX1 | 1 | 100 мкс, 5 мс | 524288 бит | SPI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB321E-SHFHA-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 2,16 мм | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db321eshfb-datasheets-3511.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,29 мм | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 32 МБ | да | Золото | 1 | E4 | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | 32 МБ 528bytes x 8192 страниц | Нелетущий | 7 нс | 3В | 85 МГц | 22B | ВСПЫШКА | SPI | 32mx1 | 1 | 8 мкс, 4 мс | 528b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB641E-MWHN-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db641eshn2bt-datasheets-3606.pdf | 8-VDFN открытая площадка | Свободно привести | 22 мА | 8 | 12 недель | 8 | SPI, сериал | 64 МБ | да | Золото | 1 | E4 | 1,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 2,3 В. | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | 64 МБ 264bytes x 32K страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 64mx1 | 1 | 8 мкс, 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF041B-XMHN-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df041bsshnt-datasheets-9800.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Свободно привести | 8 | 18 недель | 8 | SPI, сериал | 32 МБ | да | Золото | 1 | E4 | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,8 В. | 0,65 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | НЕ УКАЗАН | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 7,5 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 4mx1 | 1 | 8 мкс, 2,5 мс | 256b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB021E-MHN2B-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db021esshnt-datasheets-0109.pdf | 8-udfn открытая площадка | 6 мм | 15 мА | 8 | 14 недель | 8 | SPI, сериал | 2 МБ | Золото | 1 | E4 | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 1,8 В. | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 1,65 В. | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 2 МБ 264bytes x 1024 страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 2,7 В. | 70 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 2mx1 | 1 | 8 мкс, 3 мс | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | 256b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25XV021A-MHV-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25xv021asshvt-datasheets-0994.pdf | 8-udfn открытая площадка | 5 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | SPI, сериал | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 4,4 В. | Двойной | 1,8 В. | 1,27 мм | 4,4 В. | 1,65 В. | R-PDSO-N8 | 2 МБ 256K x 8 | Нелетущий | 1,8 В. | 70 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 2mx1 | 1 | 8 мкс, 2,5 мс | 2097152 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB081E-SSHN2B-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db081esshnt-datasheets-0668.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 15 мА | 8 | 8 недель | 540.001716mg | 8 | SPI, сериал | 8 МБ | Золото | 1 | 15 мА | E4 | 1,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 8 МБ 256bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 2,7 В. | 85 МГц | 21b | ВСПЫШКА | SPI | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,000001a | 8B | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | Синхронно | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DQ161-SHF2B-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45dq161sshfhbt-datasheets-8393.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 8 недель | да | 2,3 В ~ 3,6 В. | 16 МБ 528bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 3В | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O | 8 мкс, 6 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB081E-SHN-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db081esshnt-datasheets-0668.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,4 мм | 1,91 мм | 5,35 мм | Свободно привести | 15 мА | 8 | 8 недель | 540.001716mg | Неизвестный | 8 | SPI, сериал | 8 МБ | Золото | 1 | 15 мА | E4 | 1,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 8 МБ 264bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 2,7 В. | 85 МГц | 21b | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 4 мс | 0,000001a | 8B | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | Синхронно | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25SF081-SHF-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 2,16 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | /files/adestotechnologies-at25sf081sshdt-datasheets-9113.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,29 мм | 5,24 мм | 8 | 8 недель | 8542.32.00.51 | 1 | E4 | Никель/палладий/золото (Ni/pd/au) | ДА | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | R-PDSO-G8 | 8 МБ 1m x 8 | Нелетущий | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8mx1 | 1 | 5 мкс, 5 мс | 8388608 бит | Сериал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C32DS-LMAI-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Cbram | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c32dslsnib-datasheets-4687.pdf | 8-Ufdfn открытая площадка | 26 недель | 1,65 В ~ 3,6 В. | 8-udfn (2x3) | 32KB 32B Размер страницы | Нелетущий | 20 МГц | CBRAM® | SPI | 100 мкс, 2,5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM24C32C-LSNI-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Cbram | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm24c32clsnib-datasheets-0036.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | R-PDSO-G8 | 32KB 32B Размер страницы | Нелетущий | 1 МГц | CBRAM® | I2c | 32KX1 | 1 | 100 мкс, 1,2 мс | 32768 бит | Сериал | I2c | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C256C-LSNI-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Cbram | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c256clsnit-datasheets-9239.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | Свободно привести | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | R-PDSO-G8 | Размер страницы 256 КБ 64B | Нелетущий | 10 МГц | CBRAM® | SPI | 256KX1 | 1 | 100 мкс, 5 мс | 262144 бит | Сериал | SPI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF256-XMHNGU-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | ВСПЫШКА | 85 МГц | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df256mahnt-datasheets-9761.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | 8 недель | 3,6 В. | 1,65 В. | 8 | SPI, сериал | 256 КБ | Золото | 1,65 В ~ 3,6 В. | 8-tssop | 256KB 32K x 8 | Нелетущий | 8 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 2,5 мс | 256b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM24C64C-Ltai-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | Cbram | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm24c64clcsit-datasheets-9014.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 0,65 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | R-PDSO-G8 | Размер страницы 64 КБ 32B | Нелетущий | 1 МГц | CBRAM® | I2c | 64KX1 | 1 | 100 мкс, 1,2 мс | 65536 бит | Сериал | I2c | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM24C64C-LMAI-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | Cbram | Синхронно | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm24c64clcsit-datasheets-9014.pdf | 8-Ufdfn открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 0,5 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | R-PDSO-N8 | Размер страницы 64 КБ 32B | Нелетущий | 1 МГц | CBRAM® | I2c | 64KX1 | 1 | 100 мкс, 1,2 мс | 65536 бит | Сериал | I2c | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DN512C-SSHFGP-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ВСПЫШКА | 85 МГц | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25dn512csshft-datasheets-2646.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | SPI, сериал | 2,3 В ~ 3,6 В. | 8 лет | 512KB 64K x 8 | Нелетущий | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 1,75 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25SL641-UUE-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 0,52 мм | ROHS3 соответствует | 8-UFBGA, WLCSP | 3,007 мм | 1,924 мм | 8 | 1 | ДА | 1,7 В ~ 2 В. | НИЖНИЙ | 1,8 В. | 0,5 мм | 2 В | 1,7 В. | 0,025 мА | R-PBGA-B8 | 64 МБ 8m x 8 | Нелетущий | 1,8 В. | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O, QPI | 64mx1 | 1 | 150 мкс, 5 мс | 67108864 бит | Сериал | 0,00002а | SPI | 100000 циклов записи/стирания | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25XE041B-SSHN-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25xe041bsshnt-datasheets-1268.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | 8 | 18 недель | SPI, сериал | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 1,8 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | R-PDSO-G8 | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 1,8 В. | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 4mx1 | 1 | 8 мкс, 2,75 мс | 4194304 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DN512C-XMHFGP-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 3 (168 часов) | 85 ° C. | -40 ° C. | ВСПЫШКА | 85 МГц | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25dn512csshft-datasheets-2646.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | 8 недель | SPI, сериал | 2,3 В ~ 3,6 В. | 8-tssop | 512KB 64K x 8 | Нелетущий | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 1,75 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB321E-MWHF2B-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db321eshfb-datasheets-3511.pdf | 8-VDFN открытая площадка | 8,1 мм | 950 мкм | 6,1 мм | 22 мА | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 32 МБ | да | Золото | 1 | E4 | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | 32 МБ 512bytes x 8192 страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 3В | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 32mx1 | 8 мкс, 4 мс | 512b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB041E-UUN2B-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db041eshnt-datasheets-0221.pdf | 8-UFBGA, WLCSP | 26 недель | 1,65 В ~ 3,6 В. | 4 МБ 256bytes x 2048 страниц | Нелетущий | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB321E-SHF-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | 2,16 мм | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db321eshfb-datasheets-3511.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,29 мм | Свободно привести | 22 мА | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 32 МБ | да | Золото | 1 | 22 мА | E4 | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | 32 МБ 528bytes x 8192 страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 3В | 85 МГц | 22B | ВСПЫШКА | SPI | 32mx1 | 1 | 8 мкс, 4 мс | 8B | Синхронно | 528b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB011D-MH-SL955 | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS COMPARINT | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db011dmhsl955-datasheets-7972.pdf | 8-udfn открытая площадка | 8 | 8 | SPI, сериал | 1 МБ | Золото | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 1,27 мм | 3/3,3 В. | 0,025 мА | Не квалифицирован | 1 МБ 256bytes x 512 страниц | Нелетущий | 8B | 6 нс | 2,7 В. | 66 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 4 мс | 0,000025A | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | 256b |
