Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAdesto Technologies (1445)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Контакт | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Время доступа | Напряжение программирования | Тактовая частота | Адреса ширины шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время записи - слово, страница | Плотность памяти | Параллель/сериал | Вспомогательный ток-макс | Размер слова | Серийный тип автобуса | Выносливость | Время хранения данных | Защита от записи | Синхронизированная/асинхронная | Размер страницы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RM24C128AF-0-GCSI-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 0,3 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm24c128af7gcsit-datasheets-7918.pdf | 4-xfbga, WLCSP | 0,75 мм | 0,75 мм | 4 | 8 недель | 1 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ДА | 1,65 В ~ 2,2 В. | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,4 мм | 2,2 В. | 1,65 В. | НЕ УКАЗАН | S-PBGA-B4 | 128KB 16K x 8 | Нелетущий | 1 МГц | Eeprom | I2c | 128KX1 | 1 | 1 мс | 131072 бит | Сериал | I2c | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF081A-MH-Y | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df081assht-datasheets-9966.pdf | 8-udfn открытая площадка | 6 мм | 3,3 В. | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 8 МБ | Ear99 | Нет | 1 | 20 мА | E4 | Никель/палладий/золото (Ni/pd/au) | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,7 В. | 8 МБ 256bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 8B | 2,7 В. | 100 МГц | 1B | ВСПЫШКА | SPI | 1 | 7 мкс, 3 мс | 0,00001A | 8B | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | Синхронно | 256b | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB041E-SSHN-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | /storage/upload/at45db041e-sshn-t.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF041B-SSHN-T | Adesto Technologies | $ 1,02 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Вырезать ленту (CT) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df041bsshnt-datasheets-9800.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | Свободно привести | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 32 МБ | да | Ear99 | Золото | 1 | E4 | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 1,8 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | НЕ УКАЗАН | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 7,5 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 4mx1 | 1 | 8 мкс, 2,5 мс | 256b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB321E-SHF-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db321eshfb-datasheets-3511.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,4 мм | 1,91 мм | 5,35 мм | Свободно привести | 22 мА | 8 | 8 недель | Неизвестный | 8 | SPI, сериал | 32 МБ | да | Золото | 1 | E4 | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | 32 МБ 528bytes x 8192 страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 3В | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 32mx1 | 8 мкс, 4 мс | 528b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C256C-LSNI-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Cbram | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c256clsnit-datasheets-9239.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | Размер страницы 256 КБ 64B | Нелетущий | 10 МГц | CBRAM® | SPI | 256KX1 | 1 | 100 мкс, 5 мс | 262144 бит | SPI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF256-SSHN-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df256mahnt-datasheets-9761.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | Свободно привести | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 256 КБ | да | 1 | 15 мА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 1,8 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | 256KB 32K x 8 | Нелетущий | 8 нс | 104 МГц | 24B | ВСПЫШКА | SPI | 256KX1 | 1 | 8 мкс, 2,5 мс | Синхронно | 256b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM24C128C-LMAI-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Cbram | Синхронно | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm24c128clsnit-datasheets-9624.pdf | 8-Ufdfn открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 7 недель | 2-й провод, i2c, сериал | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3,3 В. | 0,5 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | R-PDSO-N8 | Размер страницы 128 КБ 64B | Нелетущий | 1 МГц | CBRAM® | I2c | 128KX1 | 1 | 100 мкс, 2,5 мс | 131072 бит | I2c | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DQ161-SSHFHB-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 105 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45dq161sshfhbt-datasheets-8393.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 16 МБ | да | Золото | 2,3 В ~ 3,6 В. | 16 МБ 512bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 8 нс | 3В | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O | 8 мкс, 6 мс | 528b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB641E-MHN-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db641eshn2bt-datasheets-3606.pdf | 8-udfn открытая площадка | 6 мм | 22 мА | 8 | 12 недель | 9.49709mg | 8 | SPI, сериал | 64 МБ | да | Золото | 1 | E4 | 1,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 2,3 В. | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | 64 МБ 264bytes x 32K страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 64mx1 | 1 | 8 мкс, 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25PE40-SSHN-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25pe40sshnt-datasheets-2286.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | Он также работает на частоте 70 МГц при 1,65 до 3,6 В напряжения питания | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 1,27 мм | R-PDSO-G8 | 4M 2048 Pagesx256bytes | Нелетущий | 1,8 В. | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 3 мс | Сериал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF041B-SSHNHR-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df041bsshnt-datasheets-9800.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | Свободно привести | 18 недель | SPI, сериал | 32 МБ | да | 1,7 В ~ 3,6 В. | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 1,8 В. | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 2,5 мс | 256b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF081A-SH-T | Adesto Technologies | $ 8,69 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | 2,16 мм | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df081assht-datasheets-9966.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,29 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 8 МБ | Ear99 | Золото | Нет | 1 | 20 мА | E4 | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,7 В. | 8 МБ 256bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 8B | 2,7 В. | 100 МГц | 1B | ВСПЫШКА | SPI | 1 | 7 мкс, 3 мс | 0,00001A | 8B | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | Синхронно | 256b | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB081E-SSHNHA-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db081esshnt-datasheets-0668.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 8 МБ | Золото | 1 | E4 | 1,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,7 В. | НЕ УКАЗАН | 0,016 мА | Не квалифицирован | 8 МБ 264bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 7 нс | 2,7 В. | 85 МГц | 20B | ВСПЫШКА | SPI | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,000001a | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | 264b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB161E-SHFHA-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db161esshft-datasheets-1413.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 14 недель | 8 | SPI, сериал | 16 МБ | Золото | E4 | 2,3 В ~ 3,6 В. | 260 | НЕ УКАЗАН | 16 МБ 528bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 7 нс | 2,7 В. | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 4 мс | 528b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DN256-SSHF-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25dn256sshft-datasheets-1651.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 256 КБ | да | Золото | 1 | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 2,3 В. | 256KB 32K x 8 | Нелетущий | 6 нс | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 256KX1 | 1 | 8 мкс, 1,75 мс | 256b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF512C-SSHN-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df512cxmhnt-datasheets-0427.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | Свободно привести | 15 мА | 8 | 8 недель | 540.001716mg | 8 | SPI, сериал | 512 КБ | да | неизвестный | 1 | 10 мА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 1,8 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | 512KB 64K x 8 | Нелетущий | 8B | 8 нс | 104 МГц | 24B | ВСПЫШКА | SPI | 512KX1 | 1 | 8 мкс, 3,5 мс | Синхронно | 256b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C128DS-LSNI-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Cbram | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c128dslsnib-datasheets-9695.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | 26 недель | 1,65 В ~ 3,6 В. | Размер страницы 128 КБ 64B | Нелетущий | 20 МГц | CBRAM® | SPI | 100 мкс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25QL321-SUE-T | Adesto Technologies | $ 0,86 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 2,16 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25ql321mbuet-datasheets-0024.pdf | 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 1,7 В ~ 2 В. | Двойной | 1,8 В. | 1,27 мм | 2 В | 1,7 В. | S-PDSO-G8 | 32 МБ 4M x 8 | Нелетущий | 1,8 В. | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O, QPI | 32mx1 | 1 | 150 мкс, 5 мс | 33554432 бит | Сериал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25SF321B-SSHB-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25sf321bmhbt-datasheets-8329.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 32 МБ 4M x 8 | Нелетущий | 108 МГц | ВСПЫШКА | SPI - Quad I/O | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25SF161-SSHD-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25sf161sshdt-datasheets-9344.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | SPI, сериал | да | 1 | E4 | Никель/палладий/золото (Ni/pd/au) | ДА | 2,5 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | R-PDSO-G8 | 16 МБ 2m x 8 | Нелетущий | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 16mx1 | 1 | 5 мкс, 5 мс | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C64C-BTAC-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Cbram | Синхронно | 1,2 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c64cbsnct-datasheets-3670.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 64 КБ | 1 | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 0,65 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | Размер страницы 64 КБ 32B | Нелетущий | 6,5 нс | 5 МГц | CBRAM® | SPI | 64KX1 | 1 | 100 мкс, 3 мс | SPI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C32C-BSNC-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Mavriq ™ | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 70 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Cbram | Синхронно | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c32cbsnct-datasheets-4345.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | 3,9 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 32 КБ | 1 | ДА | 2,7 В ~ 3,6 В. | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,27 мм | 3,6 В. | 2,7 В. | НЕ УКАЗАН | 32KB 32B Размер страницы | Нелетущий | 6,5 нс | 5 МГц | CBRAM® | SPI | 32KX1 | 1 | 100 мкс, 3 мс | SPI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM24C128BF-0-GCSI-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF011-XMHNGU-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ВСПЫШКА | 85 МГц | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df011sshnt-datasheets-1223.pdf | 8-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | 8 недель | 3,6 В. | 1,65 В. | 8 | SPI, сериал | 8 МБ | Золото | 1,65 В ~ 3,6 В. | 8-tssop | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 8 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 3,5 мс | 256b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF011-MAHNGU-T | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -40 ° C. | ВСПЫШКА | 85 МГц | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df011sshnt-datasheets-1223.pdf | 8-Ufdfn открытая площадка | 8 недель | SPI, сериал | 1,65 В ~ 3,6 В. | 8-udfn (2x3) | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 8 мкс, 3,5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DN011-SSHF-T | Adesto Technologies | $ 0,42 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25dn011xmhft-datasheets-9464.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | Свободно привести | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 8 МБ | да | Золото | 1 | 12ma | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 3В | 1,27 мм | 3,6 В. | 2,3 В. | 1 МБ 128K x 8 | Нелетущий | 6 нс | 3В | 104 МГц | 24B | ВСПЫШКА | SPI | 1mx1 | 1 | 8 мкс, 1,75 мс | Синхронно | 256b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB321E-MWHF-T | Adesto Technologies | $ 4,02 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | 1 мм | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db321eshfb-datasheets-3511.pdf | 8-VDFN открытая площадка | 22 мА | 8 | 8 недель | 8 | SPI, сериал | 32 МБ | да | Золото | 1 | 22 мА | E4 | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | 32 МБ 528bytes x 8192 страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 3В | 85 МГц | 22B | ВСПЫШКА | SPI | 32mx1 | 1 | 8 мкс, 4 мс | 8B | Синхронно | 528b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25XE041B-MHN-Y | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Поднос | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | 0,6 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25xe041bsshnt-datasheets-1268.pdf | 8-udfn открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 18 недель | SPI, сериал | да | 1 | ДА | 1,65 В ~ 3,6 В. | Двойной | 1,8 В. | 1,27 мм | 3,6 В. | 1,65 В. | R-PDSO-N8 | 4 МБ 512K x 8 | Нелетущий | 1,8 В. | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI | 4mx1 | 1 | 8 мкс, 2,75 мс | 4194304 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB161E-SSHF-B | Adesto Technologies | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TC | Масса | 1 (неограниченный) | CMOS | 1,75 мм | ROHS3 соответствует | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db161esshft-datasheets-1413.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 4,925 мм | Свободно привести | 22 мА | 8 | 14 недель | 8 | SPI, сериал | 16 МБ | да | Ear99 | Золото | 1 | 26 мА | E4 | 2,3 В ~ 3,6 В. | Двойной | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В. | 2,3 В. | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В. | Не квалифицирован | 16 МБ 528bytes x 4096 страниц | Нелетущий | 8B | 7 нс | 2,7 В. | 85 МГц | 21b | ВСПЫШКА | SPI | 16mx1 | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,00001A | SPI | 100000 циклов записи/стирания | 20 | Аппаратное обеспечение/программное обеспечение | Синхронно | 528b |
