Fujitsu Electronics America, Inc.

Fujitsu Electronics America, Inc.(526)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Без свинца Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Пол Количество контактов Количество портов Контактный материал Контактное покрытие Радиационная закалка Приложения Напряжение питания Количество цепей Пакет устройств поставщика Размер памяти Количество битов Тип генератора Количество входов/выходов Тип памяти Периферийные устройства Основная архитектура Размер оперативной памяти Ширина шины данных Тип поставки Частота (макс.) Количество выходов Напряжение — выход 1 Ток - Выход 1 Количество строк Длина продукта (мм) Высота продукта (мм) Терминальное покрытие Сторожевой таймер Количество таймеров/счетчиков Количество программируемых входов/выходов Рассеиваемая мощность-Макс. Перезагрузить Сбросить тайм-аут Количество контролируемых напряжений Топология Напряжение — выход 2 Ток - Выход 2 Количество каналов ШИМ Время доступа Тактовая частота Формат памяти Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Количество конвертеров Напряжение – пороговое значение Вход ФАПЧ Основной процессор Тип памяти программы Соотношение – Вход:Выход Частота — переключение Дифференциал — Вход:Выход с секвенсором Напряжение/ток — выход 1 Напряжение/ток — выход 2 Делитель/Множитель Количество терминалов
MB39C022JPN-G-ERE1 MB39C022JPN-G-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc. 0,29 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует RoHS 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-mb39c022npngere1-datasheets-8492.pdf 10-WFDFN Открытая площадка Без свинца 8 недель 2,5 В~5,5 В 2 4,5 В 600 мА Понижающий (понижающий) синхронный (1), линейный (LDO) (1) 2,85 В 300 мА 2 МГц Нет 0,8 В~4,5 В 600 мА 2,85 В 300 мА
MB15E05SLPFV1-G-ER-6E1 MB15E05SLPFV1-G-ER-6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Синтезатор тактовых импульсов/частот, прескалер Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2000 г. /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb15e05slpfv1ger6e1-datasheets-0512.pdf 16-LSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) 8 недель 16 2,4 В~3,6 В 1 2 ГГц Часы Да 1:1 Нет/Нет Да/Нет
MB85RS16NPNF-G-JNERE1 MB85RS16NPNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs16npngamewe1-datasheets-0224.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 недель 2,7 В~3,6 В 8-СОП 16Кб 2К х 8 Энергонезависимый 20 МГц ФРАМ СПИ
MB3773PF-ERE1 MB3773PF-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Монитор источника питания Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 85°С -40°С Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb3773pfere1-datasheets-4851.pdf СОИК Активный высокий/активный низкий 50 мс 1 4,2 В
MB88152APNF-G-102-JNE1 MB88152APNF-G-102-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS СОИК 1 134 МГц Кристалл Да
MB88155PFT-G-110-XXE1 MB88155PFT-G-110-XXE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS ЦСОП 1 25 МГц Кристалл
MB39A118AQN-G-ERE1 MB39A118AQN-G-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 85°С -10°С Соответствует RoHS QFN 28
MB96F348HSCPMC-GSE2 MB96F348HSCPMC-GSE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

125°С -40°С 56 МГц Соответствует RoHS ЛКФП Нет СВХК 5,5 В 100 МОЖЕТ, I2C, УСАРТ Нет 576КБ 82 ВСПЫШКА ШИМ 24 КБ 16б 56 МГц Да 7 82 750 мВт 16
MB39A132QN-G-ERE1 MB39A132QN-G-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -30°С Соответствует RoHS QFN
MB95F203KPF-G-SNE2 MB95F203KPF-G-SNE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

85°С -40°С 16 МГц Соответствует RoHS СОИК Без свинца ЛИН, УАРТ, УАРТ 8КБ Внешний 17 ВСПЫШКА НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ
FCN-568H050-G/A4 FCN-568H050-G/A4 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Компактная флэш-карта М 50 2 50,6 6,64 Палладий
FCN-245D036-G/H FCN-245D036-Г/Ч Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать SCSI СКТ 36 1 Медный сплав Золото 43,51 9.4 36
MB85AS4MTPF-G-BCERE1 MB85AS4MTPF-G-BCERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) ReRAM (резистивная ОЗУ) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85as4mtpfgbcere1-datasheets-7708.pdf 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 10 недель 1,65 В~3,6 В 8-СОП 4Мб 512К х 8 Энергонезависимый 5 МГц БАРАН СПИ 17 мс
MB85RC16PNF-G-JNE1 MB85RC16PNF-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 1 МГц Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc16pnfgjne1-datasheets-4039.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 10 недель Неизвестный 3,6 В 2,7 В 8 2-проводной, I2C, последовательный 2,7 В~3,6 В 8-СОП 16Кб 2К х 8 Энергонезависимый 550 нс 1 МГц ФРАМ I2C
MB85RS128BPNF-G-JNERE1 MB85RS128BPNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 33 МГц Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs128bpnfgjnere1-datasheets-4113.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 20 недель 8 SPI, серийный 2,7 В~3,6 В 8-СОП 128Кб 16К х 8 Энергонезависимый 33 МГц ФРАМ СПИ
MB85R256GPF-G-BNDE1 MB85R256GPF-G-BNDE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 2,7 В~3,6 В 256Кб 32К х 8 Энергонезависимый ФРАМ Параллельно 150 нс
MB86276PB-GS-K5ZE1 MB86276PB-GS-K5ZE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Видео, графический контроллер Поверхностный монтаж Поднос 3 (168 часов) Соответствует RoHS /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb86276pbgsk5ze1-datasheets-1953.pdf 256-ББГА 14 недель Автомобильные системы
MB86R01PB-GSE1 MB86R01PB-GSE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Джейд Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Поднос 6 (время на этикетке) 320 МГц Соответствует RoHS 2009 год /files/fujitsuelectronicsamemericainc-mb86r01pbgse1-datasheets-3946.pdf 484-БГА 8 недель Нет СВХК 484 АЦП, ATA, CAN, EBI/EMI, I2C, I2S, Media LB, ШИМ, SD-карта, UART/USART, USB Графический контроллер 1,1 В~3,6 В 32 КБ 24 Внешняя память программ РУКА 64К х 8 ARM9® Внешняя память программ
MB15E07SLPFV1-G-ER-6E1 MB15E07SLPFV1-G-ER-6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Синтезатор тактовых импульсов/частот, прескалер Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2003 г. /files/fujitsuelectronicsamemericainc-mb15e07slpfv1ger6e1-datasheets-0643.pdf 16-LSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) 8 недель 16 2,4 В~3,6 В 1 2,5 ГГц Часы Да 1:1 Нет/Нет Да/Нет
MB85RS64TPNF-G-JNERE2 MB85RS64TPNF-G-JNERE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs64tpnfgjnere2-datasheets-0746.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 недель 1,8 В~3,6 В 8-СОП 64Кб 8К х 8 Энергонезависимый 10 МГц ФРАМ СПИ
MB3793-37APNF-G-JN-ER6 MB3793-37APNF-G-JN-ER6 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Простой сброс/сброс при включении питания Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS СОИК Активный низкий 80 мс 1 3,7 В
MB88152APNF-G-110-JNE1 MB88152APNF-G-110-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS СОИК 1 134 МГц Кристалл Да
MB88155PFT-G-111-XXE1 MB88155PFT-G-111-XXE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS ЦСОП 1 50 МГц Кристалл
MB86064PB-GE1 MB86064PB-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS 120 LVDS, серийный 14 Аналоговый, Цифровой 750 мВт 2
MB9AF314NPMC-G-JNE1 MB9AF314NPMC-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

105°С -40°С 40 МГц Соответствует RoHS ЛКФП Нет СВХК 5,5 В 2,7 В 100 256 КБ 83 прямой доступ к памяти 32 КБ 3
MB15E07SLPFV1-G-BND-6E1 MB15E07SLPFV1-G-BND-6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS ЛССОП Без свинца 16 1 2 ГГц Часы Да
MB95F203KP-G-SH-SNE2 МБ95Ф203КП-Г-Ш-СНЭ2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

85°С -40°С 16 МГц Соответствует RoHS Без свинца 24 ЛИН, УАРТ, УАРТ 8КБ Внешний 17 ВСПЫШКА НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ
FCN-565P136-G/Z-V4 FCN-565P136-G/Z-V4 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать PCMCIA ПЛ 136 2 78,5 14 Палладий
FCN-268D008-G/10-R FCN-268D008-G/10-R Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Высокоскоростной ПЛ 18Сигнал/8Земля 1 Медный сплав Золото над палладием, никель над никелем 29,8 12 26
MB85R1001ANC-GE1 MB85R1001ANC-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85r1001ancge1-datasheets-8682.pdf 48-TFSOP (ширина 0,488, 12,40 мм) Без свинца 12 недель Неизвестный 3,6 В 48 Параллельно 3В~3,6В 48-ЦОП 1Мб 128К х 8 Энергонезависимый 150 нс ФРАМ Параллельно 150 нс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.