Fujitsu Electronics America, Inc.

Fujitsu Electronics America, Inc. (526)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Тип Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Максимальная рабочая температура МИН рабочая температура Технология Частота Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Свободно привести Время выполнения завода Достичь SVHC Максимальное напряжение снабжения Мин напряжения питания Количество булавок Интерфейс Плотность Пол Количество контактов Радиационное упрочнение Напряжение - вход (макс) Максимальное входное напряжение Напряжение - поставка Количество схем Пакет устройства поставщика Размер памяти Максимальное выходное напряжение Мин входное напряжение Мин выходной напряжение Урегулирование времени Количество битов Выходное напряжение Тип генератора Номер в/вывода Тип памяти Периферийные устройства Основная архитектура Размер оперативной памяти Ширина шины данных Вывод типа Тип поставки Функция Частота (макс) Количество выходов Количество рядов Длина продукта (мм) Высота продукта (мм) Терминальное покрытие Скорость Сторожевой таймер Выходная конфигурация Power Dissipation-Max Перезагрузить Сбросить тайм -аут Количество контролируемых напряжений Топология Синхронный выпрямитель Выход Время доступа Тактовая частота Формат памяти Интерфейс памяти Время записи - слово, страница Напряжение - выход (макс) Напряжение - вход (мин) Количество преобразователей Напряжение - порог Вход PLL Ток - выход Напряжение - выход (мин/фиксирован) Основной процессор Напряжение - Поставка (VCC/VDD) Тип памяти программы Размер ядра Размер памяти программы Подключение Конвертер данных Частота - переключение
MB39C015WQN-G-JN-ERE1 MB39C015WQN-G-JN-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb39c015wqngjnere1-datasheets-6299.pdf 24-WFQFN открытая площадка Свободно привести 8 недель 5,5 В. 5,5 В. 24-QFN (4x4) 5,5 В. 2,5 В. 450 мВ Регулируемый Вниз 2 Положительный Бак Да 3,91 В. 2,5 В. 800 мА 0,45 В. 2 МГц
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85 ° C. -40 ° C. Фрам (сегнетоэлектрическая ОЗУ) 20 МГц ROHS COMPARINT 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs64vpnfgjnere1-datasheets-3682.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 10 недель 8 SPI, сериал 3 В ~ 5,5 В. 8-Sop 64 КБ 8K x 8 Нелетущий 20 МГц Фрам SPI
MB95F118JWPMC-GE1 MB95F118JWPMC-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

85 ° C. -40 ° C. 16 МГц ROHS COMPARINT LQFP I2c, lin, uart, usart 60 КБ Внешний 39 ВСПЫШКА LVD, POR, PWM, WDT
MB15F72ULPFT-G-BND-EFE1 MB15F72ULPFT-G-BND-EFE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Поверхностное крепление Вырезать ленту (CT) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb15f72ulpftgbndefe1-datasheets-3648.pdf TSSOP 20 1 1,3 ГГц Часы Да
MB15E07SLPV1-G-6E1 MB15E07SLPV1-G-6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 85 ° C. -45 ° C. ROHS COMPARINT LCC 1 2,1 ГГц Часы Да
MB88155PFT-G-410-XXE1 MB88155PFT-G-410-XXE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Поверхностное крепление 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT TSSOP 1 80 МГц Кристалл
MB95F156JPMT-GE1 MB95F156JPMT-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

85 ° C. -40 ° C. 16 МГц ROHS COMPARINT LQFP Лин, UART, USART 32 КБ Внешний 39 ВСПЫШКА LCD, LVD, POR, PWM, WDT
MB86065PB-G-K1E1 MB86065PB-G-K1E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Поверхностное крепление 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 120 LVD, серийный 1,8 нс 14 Аналоговый, цифровой 870 МВт 1
MB3793-42PNF-ER-6E1# MB3793-42PNF-ER-6E1# Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Простое сброс/сброс мощности Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT SOIC 8 Активный низкий 80 мс 1 4,2 В.
MB95F213KPH-G-SNE2 MB95F213KPH-G-SNE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

85 ° C. -40 ° C. 16 МГц ROHS COMPARINT ОКУНАТЬ Свободно привести 8 КБ Внешний 5 ВСПЫШКА LVD, POR, PWM, WDT
FCN568J050-G/1 FCN568J050-G/1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Компактная флэш -карта М 50 2 Палладий
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 Mb85rs64tupnf-g-jnere2 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Фрам (сегнетоэлектрическая ОЗУ) ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs64tupngamewe1-datasheets-7846.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 10 недель 1,8 В ~ 3,6 В. 8-Sop 64 КБ 8K x 8 Нелетущий 10 МГц Фрам SPI
MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) Фрам (сегнетоэлектрическая ОЗУ) 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc64pnfgjnere1-datasheets-4079.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop 64 КБ 8K x 8 Нелетущий 900NS 400 кГц Фрам I2c
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 MB85RE4M2TFN-G-ASE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 часов) Фрам (сегнетоэлектрическая ОЗУ) ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85re4m2tfngase1-datasheets-2335.pdf 44-тфу (0,400, 10,16 мм ширина) 1,8 В ~ 3,6 В. 44-центр 4 МБ 256K x 16 Нелетущий Фрам 150ns
MB3793-45PF-G-BND-JN-6E1 MB3793-45PF-G-BND-JN-6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Простое сброс/сброс мощности Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2000 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb379345pfgjner6e1-datasheets-0100.pdf 8 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) 8 недель 8-Sop Активный низкий 80 мс минимум 1 CMOS перевернута 4,5 В.
MB9BF504RPMC-GE1 MB9BF504RPMC-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать FM3 MB9B500 Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. 80 МГц ROHS COMPARINT 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemyonductorcorp-cy9bf506npmcgjne1-datasheets-7095.pdf 120-LQFP 8 недель CAN, EBI/EMI, I2C, LIN, UART, USART, USB 100-LQFP (16x16) 256 КБ Внутренний 100 ВСПЫШКА DMA, LVD, POR, PWM, WDT РУКА 32K x 8 80 МГц ARM® Cortex®-M3 2,7 В ~ 5,5 В. ВСПЫШКА 32-битный 256KB 256K x 8 Canbus, CSIO, EBI/EMI, I2C, Linbus, UART/USART, USB A/D 16x12b
MB39C007WQN-G-JN-ERE1 MB39C007WQN-G-JN-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc. $ 3,15
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb39c007wqngjnere1-datasheets-6259.pdf 24-WFQFN открытая площадка Свободно привести 8 недель 5,5 В. 24-QFN (4x4) 3,9 В. Регулируемый Вниз 2 Положительный Бак Да 3,86 В. 2,5 В. 800 мА 0,446 В. 2 МГц
MB85RC64APNF-G-JNERE1 MB85RC64APNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Фрам (сегнетоэлектрическая ОЗУ) 1 МГц ROHS COMPARINT 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc64apnfgjnere1-datasheets-3729.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 20 недель 8 2-й провод, i2c, сериал 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop 64 КБ 8K x 8 Нелетущий 550ns 1 МГц Фрам I2c
MB3773PF-G-BND-ERE1 MB3773PF-G-BND-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Не совместимый с ROHS
MB15F73ULPFT-G-BND-EFE1 MB15F73ULPFT-G-BND-EFE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Поверхностное крепление Вырезать ленту (CT) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb15f73ulpftgbndefe1-datasheets-3804.pdf TSSOP 20 1 2,25 ГГц Часы Да
MB88153APNF-G-111-JNE1 MB88153APNF-G-111-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Поверхностное крепление 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT SOIC 1 134 МГц CMOS Да
MB88155PFT-G-412-XXE1 MB88155PFT-G-412-XXE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Поверхностное крепление 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT TSSOP 1 80 МГц Кристалл
MB15U36PFV-G-BND-ERE1 MB15U36PFV-G-BND-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Поверхностное крепление Лента и катушка (TR) 85 ° C. -40 ° C. ROHS COMPARINT LSSOP 20 1 2 ГГц Часы Да
MB3793-37APF-G-BND-JN6E1 MB3793-37APF-G-BND-JN6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

ROHS COMPARINT Соп Свободно привести 8
MB3773PF-G-BND-ER MB3773PF-G-BND-ER Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

Не совместимый с ROHS Соп Да
FCN-707B026-AU/0 FCN-707B026-AU/0 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать IDC Connector Накапливаться 26 2 37.6 9.5
FCN-568H050-G/A2AD FCN-568H050-G/A2AD Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Компактная флэш -карта М 50 2 53,05 5.8 Палладий
MB85RS128TYPNF-G-BCERE1 MB85RS128TYPNF-G-BCERE1 Fujitsu Electronics America, Inc. $ 2,62
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 125 ° C TA Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Фрам (сегнетоэлектрическая ОЗУ) ROHS COMPARINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuredectronicsamericainc-mb85rs128typnfgsbcere1-datasheets-8201.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 10 недель 1,8 В ~ 3,6 В. 8-Sop 128KB 16K x 8 Нелетущий 33 МГц Фрам SPI
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Фрам (сегнетоэлектрическая ОЗУ) 1 МГц ROHS COMPARINT 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc64vpnfgjnere1-datasheets-4082.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) 10 недель 8 2-й провод, i2c, сериал 64 КБ Нет 3 В ~ 5,5 В. 8-Sop 64 КБ 8K x 8 Нелетущий 8B 1 МГц Фрам I2c
MB85RC16VPNF-G-JNE1 MB85RC16VPNF-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 1 (неограниченный) 85 ° C. -40 ° C. Фрам (сегнетоэлектрическая ОЗУ) 400 кГц ROHS COMPARINT 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuredectronicsamericainc-mb85rc16vpnfgjnn1ere1-datasheets-4057.pdf 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) Неизвестный 5,5 В. 8 2-й провод, i2c, сериал 16 КБ Нет 3 В ~ 5,5 В. 8-Sop 16 КБ 2K x 8 Нелетущий 8B 550ns 1 МГц Фрам I2c

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.