| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Пол | Количество контактов | Количество портов | Контактный материал | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Приложения | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Напряжение питания | Температурный класс | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Время урегулирования | Количество битов | Количество каналов АЦП | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Тип выхода | Тип поставки | Функция | Частота (макс.) | Количество выходов | Напряжение — выход 1 | Ток - Выход 1 | Количество строк | Длина продукта (мм) | Высота продукта (мм) | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Конфигурация выхода | Рассеиваемая мощность-Макс. | Перезагрузить | Сбросить тайм-аут | Количество контролируемых напряжений | Топология | Синхронный выпрямитель | Синхронизация часов | Напряжение — выход 2 | Ток - Выход 2 | Количество каналов ШИМ | Время доступа | Тактовая частота | Ширина внешней шины данных | Формат памяти | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Количество конвертеров | Напряжение – пороговое значение | Функции управления | Вход | ФАПЧ | Максимальное количество бит на пиксель | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Соотношение – Вход:Выход | Частота — переключение | Дифференциал — Вход:Выход | Изоляция выхода | с секвенсором | Напряжение/ток — выход 1 | Напряжение/ток — выход 2 | Рабочий цикл (макс.) | Делитель/Множитель | Количество терминалов |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB86065PB-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 120 | LVDS, серийный | 1,8 нс | 14 | Аналоговый, Цифровой | 870мВт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88181PFT-G-001-BNDE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | ЦСОП | 1 | 166 МГц | КМОП | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCN-724P026-AU/0-HN | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Незакрытый заголовок | HDR | 26 | 2 | 33.02 | 8.54 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCN-268D008-G/2D | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | SCSI | СКТ | 16Сигнал/9Земля | 1 | Медный сплав | Золото | 24.85 | 12 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS1MTPH-G-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs1mtphgjne1-datasheets-6808.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1,8 В~3,6 В | 8-ДИП | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RC128APNF-G-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | $3,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc128apnfgjne1-datasheets-1884.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | Неизвестный | 3,6 В | 2,7 В | 8 | I2C | 3В~3,6В | 8-СОП | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 1 МГц | ФРАМ | I2C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85R256FPNF-G-JNERE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85r256fpnfgjnere2-datasheets-4202.pdf | 28-SOIC (ширина 0,342, 8,69 мм) | 10 недель | 28 | Параллельно | 2,7 В~3,6 В | 28-СОП | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 150 нс | ФРАМ | Параллельно | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В~3,6 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | ФРАМ | Параллельно | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB86296SPB-GSE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Видео, графический контроллер | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb86296spbgsjxe1-datasheets-7404.pdf | 256-ББГА | 14 недель | Автомобильная, Промышленная | 256-ПБГА (27х27) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB3759PF-G-BND-JN-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 недель | 16 | 7В~32В | 1 кГц~300 кГц | Или | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB3775PFV-G-BNDE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | 16-LSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 недель | 500 кГц | Транзисторный драйвер | Повышение/понижение | 2 | Положительное и отрицательное | Бак, Буст | Да | Нет | Управление мертвым временем, управление частотой | 3,6 В~18 В | 1 кГц~500 кГц | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS16NPN-G-AMEWE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs16npngamewe1-datasheets-0224.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 8-СОН | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 20 МГц | ФРАМ | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88346BPF-G-BND-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 70°С | -40°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb88346bpfgbndjne1-datasheets-9148.pdf | СОИК | 20 | SPI, серийный | 4,4 мкс | 12 | Одинокий | 250мВт | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88151APNF-G-500-JNE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | СОИК | 1 | 16,7 МГц | Кристалл | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88155PFT-G-102-XXE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | ЦСОП | 1 | 25 МГц | Кристалл | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB96F387RSBPMC-GSE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 125°С | -40°С | 56 МГц | Соответствует RoHS | ЛКФП | Неизвестный | 5,5 В | 3В | 120 | CAN, EBI/EMI, I2C, LIN, SCI, UART, USART | Нет | 416КБ | 16 | Внутренний | 96 | ВСПЫШКА | DMA, ЖК-дисплей, LVD, POR, ШИМ, WDT | 16 КБ | 16б | 56 МГц | 3 | 96 | 800мВт | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB96F338USAPMC-GSE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 105°С | -40°С | 48 МГц | Соответствует RoHS | ЛКФП | Нет СВХК | 5,5 В | 3В | 144 | МОЖЕТ, I2C, УСАРТ | Нет | 544 КБ | 120 | ВСПЫШКА | 32 КБ | 16б | 48 МГц | 2 | 120 | 740 МВт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB88347PFV-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | ЛССОП | 16 | Серийный | 100 мкс | 8 | Одинокий | 250мВт | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB95F202KPF-G-SNE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 85°С | -40°С | 16 МГц | Соответствует RoHS | СОИК | Без свинца | ЛИН, УАРТ, УАРТ | 4 КБ | Внешний | 17 | ВСПЫШКА | НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCN-568P068-G/1594-4E | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PCMCIA | ПРИКОЛОТЬ | 68 | 2 | 56,6 | 7,6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCN-264D024-G/2F | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Высокоскоростной | СКТ | 48Сигнал/25Земля | 1 | Медный сплав | Золото | 48,85 | 11.4 | 73 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS1MTPW-G-APEWE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs1mtphgjne1-datasheets-6808.pdf | 8-XFBGA, WLCSP | 10 недель | 1,8 В~3,6 В | 8-ЛП (2,28x3,09) | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS4MTPF-G-JNERE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 10 недель | 1,8 В~3,6 В | 8-СОП | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85R256FPFCN-G-BNDE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85r256fpnfgjnere2-datasheets-4202.pdf | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | Без свинца | 12 недель | Параллельно | 2,7 В~3,6 В | 28-ЦОП I | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 150 нс | ФРАМ | Параллельно | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85R256FPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85r256fpfgbndere1-datasheets-6099.pdf | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 недель | 2,7 В~3,6 В | 28-СОП | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 150 нс | ФРАМ | Параллельно | 150 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB86297APBH-GSE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Видео, графический контроллер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | 85°С | -40°С | КМОП | 66 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb86297apbhgse1-datasheets-0132.pdf | 543-БГА | 543 | 14 недель | Неизвестный | 3,6 В | 3В | 543 | I2C, PCI | Автомобильные системы | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 64 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB39C022JPN-G-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-mb39c022npngere1-datasheets-8492.pdf | 10-WFDFN Открытая площадка | Без свинца | 8 недель | 2,5 В~5,5 В | 2 | 4,5 В | 600 мА | Понижающий (понижающий) синхронный (1), линейный (LDO) (1) | 2,85 В | 300 мА | 2 МГц | Нет | 0,8 В~4,5 В 600 мА | 2,85 В 300 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB15E05SLPFV1-G-ER-6E1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Синтезатор тактовых импульсов/частот, прескалер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb15e05slpfv1ger6e1-datasheets-0512.pdf | 16-LSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 недель | 16 | 2,4 В~3,6 В | 1 | 2 ГГц | Часы | Да | 1:1 | Нет/Нет | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS16NPNF-G-JNERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs16npngamewe1-datasheets-0224.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 8-СОП | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 20 МГц | ФРАМ | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB3793-37APNF-G-JN-ER6E1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Простой сброс/сброс при включении питания | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb379337apnfgjner6e1-datasheets-8936.pdf | СОИК | Активный низкий | 80 мс | 1 | 3,7 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.