Самсунг Полупроводник, Инк.

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Упаковка Размер / Размер Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Длина Высота Ширина Цвет Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree Достичь кода соответствия Код HTS Максимальный текущий рейтинг Особенность Прямое напряжение Угол обзора Стиль объектива Конфигурация Напряжение — прямое (Vf) (тип.) ЦКТ (К) Люмен/Ватт @ ток — тест Температура - Тест Поток при токе/температуре — испытание Текущий — Тест Ток - Макс. Тип объектива CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES)
SPHWHAHDNE25YZT3J1 SPHWHAHDNE25YZT3J1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC016D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 1,15 А 115° Квадрат 34,6 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 148 лм/Вт 85°С 2304lm Тип 450 мА Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN945YHW3KG SPHWW1HDN945YHW3KG Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdn945yhu3kg-datasheets-0350.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 127 лм/Вт 25°С 1114лм 1041лм~1187лм 240 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWW1HDN827YHW2CG SPHWW1HDN827YHW2CG Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006B Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 118 лм/Вт 25°С 754лм 698лм~810лм 180 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNE25YZP3D1 SPHWHAHDNE25YZP3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC016D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 6 недель 115° Квадрат 34,6 В 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 155 лм/Вт 85°С 2419lm Тип 450 мА 1,15 А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDND27YZU3H4 SPHWHAHDND27YZU3H4 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013D Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS /files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 920 мА 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 118 лм/Вт 85°С 1473lm Тип 360 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWW1HDN827YHT3CG SPHWW1HDN827YHT3CG Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006B Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 139 лм/Вт 25°С 886 лм 816 лм~956 лм 180 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SPHWW1HDN825YHV3ED SPHWW1HDN825YHV3ED Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 142 лм/Вт 25°С 909 лм 817 лм~1001 лм 180 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND25YZV2D2 SPHWHAHDND25YZV2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013D Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 149 лм/Вт 85°С Тип 1857lm 360 мА 920 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND27YZU3D2 SPHWHAHDND27YZU3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013D Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 131 лм/Вт 85°С 1635 лм Тип. 360 мА 920 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SL-B8R1N60LAWW SL-B8R1N60LAWW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль H приток Поднос 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш 1 (без ограничений) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf 5,20 мм Белый, Холодный 4 недели 118° Линейная световая полоса 11,2 В 5000К 191 лм/Вт 55°С 3060 лм тип. 1,43А 2.2А Плоский 80
SL-B8T7NK0L2WW SL-B8T7NK0L2WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль LT-F564A Масса 558,80 мм Д x 40,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-slb8t7nk0l2ww-datasheets-4041.pdf 558,8 мм 5,90 мм 40 мм Белый, Нейтральный 6 недель 1,5 А 48В Плоский Линейная световая полоса 49,6 В 4000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама 119 лм/Вт 25°С 8850 лм тип. 1,5 А Плоский 80
SPHWW1HDN948YHU2EC SPHWW1HDN948YHU2EC Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 102 лм/Вт 25°С 892лм 803лм~981лм 240 мА Плоский 95 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNH25YZR3C2 SPHWHHAHDNH25YZR3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 133 лм/Вт 85°С 4188lm Тип 900 мА 1,38А Плоский 80 Диаметр 11,50 мм
SPHWHAHDNF25YZW2D3 SPHWHAHDNF25YZW2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 155 лм/Вт 85°С 2837lm Тип 540 мА 1,38А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNH27YZR3C2 SPHWHHAHDNH27YZR3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 114 лм/Вт 85°С 3592 лм Тип 900 мА 1,38А Плоский 90 Диаметр 11,50 мм
SPHWHAHDNH28YZU3D2 SPHWHHAHDNH28YZU3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 107 лм/Вт 85°С 3343lm Тип 900 мА 2,3А Плоский 95 (тип.) Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNK27YZW2D2 SPHWHAHDNK27YZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040D Gen2 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 127 лм/Вт 85°С 4755 лм Тип. 1,08А 2,76А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
SPHCW1HDNC25YHQT2G SPHCW1HDNC25YHQT2G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 5700К 158 лм/Вт 25°С 4050лм 3820лм~4280лм 720 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDND28YZW2D2 SPHWHAHDND28YZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 98 лм/Вт 85°С 1223 лм Тип 360 мА 920 мА Плоский 95 (тип.) Диаметр 9,80 мм
SPHWW1HDN945YHU3KH SPHWW1HDN945YHU3KH Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 149 лм/Вт 25°С 1301лм 1221лм~1380лм 240 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNE25YZT2J1 SPHWHAHDNE25YZT2J1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC016D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 6 недель 8541.40.20.00 1,15 А 115° Квадрат 34,6 В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 148 лм/Вт 85°С 2304lm Тип 450 мА Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE27YZW2D2 SPHWHAHDNE27YZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC016D Gen2 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 126 лм/Вт 85°С 1967lm Типовой 450 мА 1,15 А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN947YHW2FG SPHWW1HDN947YHW2FG Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 120 лм/Вт 25°С 1050лм 929~1171лм 240 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SI-B8V17156CWW СИ-B8V17156CWW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль Серия V 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf 5,50 мм Белый, Теплый 4 недели Линейная световая полоса 24В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 135 лм/Вт 50°С 2270лм 2043~2497лм 700 мА 900 мА Плоский 80
SPHWHAHDNK25YZR3D1 SPHWHAHDNK25YZR3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040D 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 156 лм/Вт 85°С 5839lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWHAHDNH25YZU3D3 SPHWHHAHDNH25YZU3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 163 лм/Вт 85°С 4989 лм Тип 900 мА 2,3А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNH27YZT3D3 SPHWHHAHDNH27YZT3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 143 лм/Вт 85°С 4364lm Тип 900 мА 2,3А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNK25YZV2D3 SPHWHAHDNK25YZV2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 162 лм/Вт 85°С 5963lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SI-B8U07128HWW SI-B8U07128HWW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль LT-S282H Поднос 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r07128hww-datasheets-6270.pdf 279,7 мм 5,80 мм 23,8 мм Белый, Теплый 6 недель 540 мА С разъемом 23,4 В 115° Плоский Линейная световая полоса 23,4 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 155 лм/Вт 50°С 1090 лм тип. 300 мА 540 мА Плоский 80
SPHWW1HDNC23YHVN3F SPHWW1HDNC23YHVN3F Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 21,5 мм 1,50 мм 21,5 мм Белый, Теплый 6 недель 1,3А 35,5 В 115° Плоский Квадрат 35,5 В 3000К 152 лм/Вт 25°С 3897лм 3429лм~4365лм 720 мА 1,3А Плоский 70 Диаметр 17,00 мм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.