| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDNE25YZT3J1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 2304lm Тип | 450 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN945YHW3KG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdn945yhu3kg-datasheets-0350.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 25°С | 1114лм 1041лм~1187лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHW2CG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 118 лм/Вт | 25°С | 754лм 698лм~810лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZP3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | 2419lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZU3H4 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | /files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 118 лм/Вт | 85°С | 1473lm Тип | 360 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHT3CG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 25°С | 886 лм 816 лм~956 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDN825YHV3ED | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 25°С | 909 лм 817 лм~1001 лм | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 149 лм/Вт | 85°С | Тип 1857lm | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZU3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 85°С | 1635 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SL-B8R1N60LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 11,2 В | 5000К | 191 лм/Вт | 55°С | 3060 лм тип. | 1,43А | 2.2А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||
| SL-B8T7NK0L2WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-F564A | Масса | 558,80 мм Д x 40,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-slb8t7nk0l2ww-datasheets-4041.pdf | 558,8 мм | 5,90 мм | 40 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 1,5 А | 48В | Плоский | Линейная световая полоса | 49,6 В | 4000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 119 лм/Вт | 25°С | 8850 лм тип. | 1,5 А | Плоский | 80 | ||||||||||||
| SPHWW1HDN948YHU2EC | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 102 лм/Вт | 25°С | 892лм 803лм~981лм | 240 мА | Плоский | 95 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZR3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 133 лм/Вт | 85°С | 4188lm Тип | 900 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 11,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZW2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | 2837lm Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH27YZR3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 114 лм/Вт | 85°С | 3592 лм Тип | 900 мА | 1,38А | Плоский | 90 | Диаметр 11,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH28YZU3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 107 лм/Вт | 85°С | 3343lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 85°С | 4755 лм Тип. | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||
| SPHCW1HDNC25YHQT2G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 158 лм/Вт | 25°С | 4050лм 3820лм~4280лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND28YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 98 лм/Вт | 85°С | 1223 лм Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDN945YHU3KH | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 149 лм/Вт | 25°С | 1301лм 1221лм~1380лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZT2J1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 2304lm Тип | 450 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 126 лм/Вт | 85°С | 1967lm Типовой | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||
| SPHWW1HDN947YHW2FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 25°С | 1050лм 929~1171лм | 240 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||
| СИ-B8V17156CWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Серия V | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | Линейная световая полоса | 24В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 50°С | 2270лм 2043~2497лм | 700 мА | 900 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZR3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 156 лм/Вт | 85°С | 5839lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 163 лм/Вт | 85°С | 4989 лм Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH27YZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 85°С | 4364lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZV2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 162 лм/Вт | 85°С | 5963lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||
| SI-B8U07128HWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S282H | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r07128hww-datasheets-6270.pdf | 279,7 мм | 5,80 мм | 23,8 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 540 мА | С разъемом | 23,4 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 23,4 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 50°С | 1090 лм тип. | 300 мА | 540 мА | Плоский | 80 | |||||||||
| SPHWW1HDNC23YHVN3F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 21,5 мм | 1,50 мм | 21,5 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 1,3А | 35,5 В | 115° | Плоский | Квадрат | 35,5 В | 3000К | 152 лм/Вт | 25°С | 3897лм 3429лм~4365лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 70 | Диаметр 17,00 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.