Самсунг Полупроводник, Инк.
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Упаковка Размер / Размер Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Длина Высота Ширина Цвет Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree Достичь кода соответствия Код HTS Максимальный текущий рейтинг Особенность Прямое напряжение Угол обзора Стиль объектива Конфигурация Напряжение — прямое (Vf) (тип.) ЦКТ (К) Люмен/Ватт @ ток — тест Температура - Тест Поток при токе/температуре — испытание Текущий — Тест Ток - Макс. Тип объектива CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES)
SPHWW1HDN827YHU2CG SPHWW1HDN827YHU2CG Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC006B Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 135 лм/Вт 25°С 862 лм 793 лм~931 лм 180 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND27YZW2D3 SPHWHAHDND27YZW2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 129 лм/Вт 85°С 1579 лм Тип. 360 мА 920 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC25YZP3D3 SPHWHAHDNC25YZP3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 169 лм/Вт 85°С 1550 лм тип. 270 мА 690мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SPHWW1HDN827YHW3CF SPHWW1HDN827YHW3CF Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC006B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 123 лм/Вт 25°С 786лм 695~876лм 180 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SPHWW1HDN825YHW3ED SPHWW1HDN825YHW3ED Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC006B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 320 мА 115° Квадрат 35,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 142 лм/Вт 25°С 909 лм 817 лм~1001 лм 180 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND25YZU3D2 SPHWHAHDND25YZU3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC013D Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 154 лм/Вт 85°С 1915лм Тип 360 мА 920 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SI-B8A071280WW SI-B8A071280WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Светодиодный модуль Т Поднос 275,00 мм Д x 16,00 мм Ш 1 (без ограничений) 2018 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8a071280ww-datasheets-3413.pdf 5,80 мм Белый, Теплый/Белый, Холодный 4 недели Линейная световая полоса 9В 2700К ~ 6500К 50°С 750 мА Плоский
SI-B8V111550WW СИ-B8V111550WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Светодиодный модуль ЛТ-М552А Поднос 550,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год 550 мм 5,80 мм 18 мм Белый, Теплый С разъемом 24,7 В 115° Плоский Линейная световая полоса 24,7 В 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама 132 лм/Вт 50°С 1460 лм тип. 450 мА Плоский 80
SI-B8R171560WW СИ-B8R171560WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Светодиодный модуль ЛТ-М562С Поднос 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год 560 мм 5,80 мм 18 мм Белый, Холодный 900 мА С разъемом 24В 115° Плоский Линейная световая полоса 24В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 151 лм/Вт 50°С 2530 лм тип. 700 мА 900 мА Плоский 80
SPHWHAHDNF27YZW2D1 SPHWHAHDNF27YZW2D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 115 лм/Вт 85°С 2157 лм 2104 лм~2210 лм 540 мА 970 мА Куполообразный 90 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNH25YZW3C2 SPHWHHAHDNH25YZW3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 120 лм/Вт 85°С 3765 лм Тип. 900 мА 1,38А Плоский 80 Диаметр 11,50 мм
SPHWHAHDNF25YZR3D2 SPHWHAHDNF25YZR3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели да 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 164 лм/Вт 85°С 3059 лм Тип 540 мА 1,38А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNH27YZV3C2 SPHWHHAHDNH27YZV3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама 108 лм/Вт 85°С 3389 лм Тип 900 мА 1,38А Плоский 90 Диаметр 11,50 мм
SPHWHAHDNH27YZU3C2 SPHWHHAHDNH27YZU3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 111 лм/Вт 85°С 3490 лм тип. 900 мА 1,38А Плоский 90 Диаметр 11,50 мм
SPHWHAHDNK25YZW2D1 SPHWHAHDNK25YZW2D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040D 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 140 лм/Вт 85°С 5248lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWHAHDNK27YZW2D1 SPHWHAHDNK27YZW2D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040D 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 120 лм/Вт 85°С 4497lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
SPHCW1HDN945YHR3KH SPHCW1HDN945YHR3KH Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC008B Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf 13,5 мм 1,50 мм 13,5 мм Белый, Холодный 7 недель 430 мА 36,5 В 115° Плоский Квадрат 36,5 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 150 лм/Вт 25°С 1310лм 1268лм~1351лм 240 мА 430 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND28YZV2D2 SPHWHAHDND28YZV2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 103 лм/Вт 85°С 1285 лм тип. 360 мА 920 мА Плоский 95 (тип.) Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNE25YZV2J0 SPHWHAHDNE25YZV2J0 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC016D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 1,15 А 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 140 лм/Вт 85°С 2182lm Тип 450 мА Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZR3J8 SPHWHAHDNF27YZR3J8 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Холодный 115° Квадрат 34,6 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 85°С 540 мА 1,38А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN948YHV3EC SPHWW1HDN948YHV3EC Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC008B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама 102 лм/Вт 25°С 892лм 803лм~981лм 240 мА Плоский 95 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNK25YZW3D1 SPHWHAHDNK25YZW3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040D 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 140 лм/Вт 85°С 5248lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWHAHDNK25YZV3D1 SPHWHAHDNK25YZV3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040D 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама 148 лм/Вт 85°С 5520 лм тип. 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWHAHDNH23YZT3D3 SPHWHHAHDNH23YZT3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 174 лм/Вт 85°С 5332lm Тип 900 мА 2,3А Плоский 70 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNH2VYZA2D2 SPHWHHAHDNH2VYZA2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB R-серия Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 3300K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 112 лм/Вт 85°С 3488 лм Тип 900 мА 2,3А Плоский Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNK25YZW2D3 SPHWHAHDNK25YZW2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 155 лм/Вт 85°С 5675 лм Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDNC25YHV32H SPHWW1HDNC25YHV32H Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC026B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама 152 лм/Вт 25°С 3880 лм 3770 лм~3990 лм 720 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNK23YZT3D2 SPHWHAHDNK23YZT3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040D Gen2 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk25yzv3d2-datasheets-7662.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 174 лм/Вт 85°С Тип 6506lm 1,08А 2,76А Плоский 70 Диаметр 22,00 мм
SPHWH2HDNE07YHU3C1 SPHWH2HDNE07YHU3C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040C Поднос 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 1,62А 115° Прямоугольник 34,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 99 лм/Вт 85°С 3700 лм тип. 1,08А Плоский 90 Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNK27YZT3D3 SPHWHAHDNK27YZT3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 146 лм/Вт 85°С 5369lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)