Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHHAHDNB25YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 167 лм/Вт | 85°С | 1023 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZV3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 85°С | 2625 лм Тип. | 600 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZR3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 144 лм/Вт | 85°С | 1760 лм тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHCW1HDN945YHRTKG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 5000К | 145 лм/Вт | 25°С | 1268 лм 1185 лм~1351 лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZQ3J2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 149 лм/Вт | 85°С | 2324lm Тип | 450 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZV3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 107 лм/Вт | 85°С | 2237lm Тип | 600 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZV3H3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 114 лм/Вт | 85°С | 1423lm Тип | 360 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHV3CG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 25°С | 839 лм 770 лм~907 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWW1HDN825YHW3EE | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 25°С | 888лм 833лм~942лм | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||
| SPHCW1HDN825YHRTED | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdn945yhu3kg-datasheets-0350.pdf | 1,60 мм | Белый, Холодный | 330 мА | Квадрат | 35,5 В | 5000K 7-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 25°С | Тип 907lm | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZT2H4 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 121 лм/Вт | 85°С | 1505 лм тип. | 360 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||
| SPHWW1HDNC27YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Масса | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 25°С | 3308лм 2870лм~3746лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||
| СИ-B8RZ91B2CUS | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-ВБ24Ф | 1200,00 мм Дx39,80 мм Ш | 1 (без ограничений) | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | Линейная световая полоса | 48,8 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 65°С | 15632лм 14070лм~17195лм | 2,24А | 3,24А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZU2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | 2739лм 2672~2805лм | 540 мА | 970 мА | Куполообразный | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZP3K3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,84А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 85°С | 3558 лм Тип | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNE28YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 85°С | 1791lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG27YZU3J8 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,84А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 120 лм/Вт | 85°С | 2990 лм тип. | 720 мА | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||
| SPHWW1HDNB28YHV31F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Коробка | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 106 лм/Вт | 25°С | 2023лм 1820лм~2225лм | 540 мА | Плоский | 95 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 5024lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||
| SPHCW1HDNC25YHR32F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 21,5 мм | 1,50 мм | 21,5 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 1,3А | 35,5 В | 115° | Плоский | Квадрат | 35,5 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 138 лм/Вт | 25°С | 3540лм 3080лм~4000лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||
| SPHWHAHDND28YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 111 лм/Вт | 85°С | 1379 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZT3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 133 лм/Вт | 85°С | Тип 2069lm | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||
| SPHWW1HDN945YHU2KH | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 149 лм/Вт | 25°С | 1301лм 1221лм~1380лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZU2H8 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 85°С | 1932lm Тип. | 450 мА | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||
| SPHWW1HDN94VYHT3FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 25°С | 1068лм 940~1196лм | Плоский | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZR3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 2756лм 2894~2825лм | 540 мА | 970 мА | Куполообразный | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH27YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 4276lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH28YZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 103 лм/Вт | 85°С | 3212lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH2VYZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 107 лм/Вт | 85°С | 3339lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||
| SPHWW1HDNC27YHU32G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 127 лм/Вт | 25°С | 3243 лм 2955 лм~3530 лм | 720 мА | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм |
