Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Тип монтажа	Упаковка	Размер / Размер	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Высота сидя (макс.)	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Длина	Высота	Ширина	Цвет	Время выполнения заказа на заводе	Код Pbfree	Достичь кода соответствия	Код HTS	Максимальный текущий рейтинг	Особенность	Пакет устройств поставщика	Прямое напряжение	Тип оптоэлектронного устройства	Угол обзора	Стиль объектива	Конфигурация	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	ЦКТ (К)	Термическое сопротивление упаковки	Люмен/Ватт @ ток — тест	Температура - Тест	Поток при токе/температуре — испытание	Текущий — Тест	Ток - Макс.	Тип объектива	CRI (индекс цветопередачи)	Поток при 85°C, ток — испытание	Поток при 25°C, ток — испытание	Светоизлучающая поверхность (LES)
SPHWHAHDNE25YZW3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый							115°		Квадрат	34В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		155 лм/Вт	85°С	2376lm Тип	450 мА	1,15 А	Плоский	80			Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG25YZQ3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026D			19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf			1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00						115°		Квадрат	34,6 В	5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		151 лм/Вт	85°С	3767lm Тип	720 мА	1,84А	Плоский	80			Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF25YZQ3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Холодный	4 недели		совместимый							115°		Квадрат	34В	5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		172 лм/Вт	85°С	3157lm Тип	540 мА	1,38А	Плоский	80			Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNK25YZU3C2	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	C-серия Gen2		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш					https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый							115°		Квадрат	35В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		127 лм/Вт	85°С	4657lm Тип	1,05А	1,61А	Плоский	80			Диаметр 11,50 мм
SI-N8T0754B0WW	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль				Диаметр 90,00 мм	1 (без ограничений)							5,20 мм		Белый, Нейтральный	8 недель					С разъемом				120°		Круглый	27,5 В	4000К		188 лм/Вт	25°С	1240 лм тип.	240 мА		Плоский	80
SPHWW1HDNA25YHT31F	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013B		Поднос	17,00 мм Д x 17,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS	2014 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhw31f-datasheets-3590.pdf			1,50 мм		Белый, Нейтральный	6 недель	да			660 мА					115°		Квадрат	35,5 В	4000К		130 лм/Вт	25°С	1665лм 1430лм~1900лм	360 мА		Плоский	80			Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNG27YZW2J6	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026D		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	1,84А					115°		Квадрат	34,6 В	2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		111 лм/Вт	85°С	2760 лм тип.	720 мА		Плоский	90			Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNA27YHV31F	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013B		Поднос	17,00 мм Д x 17,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS	2014 год				1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель	да			660 мА					115°		Квадрат	35,5 В	3000К		103 лм/Вт	25°С	1320 лм 1080 лм~1560 лм	360 мА		Плоский	90			Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNG27YZV2D1	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026D			19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00						115°		Квадрат	34,6 В	3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		122 лм/Вт	85°С	Тип 3048lm	720 мА	1,84А	Плоский	90			Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG25YZT3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026D Gen2		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели			8541.40.20.00						115°		Квадрат	34,6 В	4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		159 лм/Вт	85°С	3950 лм Тип.	720 мА	1,84А	Плоский	80			Диаметр 14,50 мм
SPHWH2HDNC07YHV3C1	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC020C		Поднос	15,00 мм Д x 12,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00	810мА					115°		Прямоугольник	34,5 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		93 лм/Вт	85°С	1730 лм тип.	540 мА		Плоский	90			Диаметр 8,00 мм
СИ-N8V1856B0WW	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль				Диаметр 130,00 мм	1 (без ограничений)							5,20 мм		Белый, Теплый	8 недель					С разъемом				120°		Круглый	27,9 В	3000К		178 лм/Вт	25°С	3170 лм Тип.	640 мА		Плоский	80
SPHWW1HDND27YHV23P	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC033B		Коробка	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS	2015 год				1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	1,62 А					115°		Квадрат	35,5 В	3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		115 лм/Вт	25°С	3663лм 3205лм~4121лм	900 мА		Плоский	90			Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDNE25YHT34H	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC040B Gen2		Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Нейтральный					1,9 А					115°		Квадрат	35,5 В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		152 лм/Вт	25°С	5830 лм 5635 лм~6025 лм	1,08А		Плоский	80			Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDNE23YHVT4J	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC040B Gen2		Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый					1,9 А					115°		Квадрат	35,5 В	3000К		142 лм/Вт	25°С	5428лм 4776лм~6079лм	1,08А		Плоский	70			Диаметр 17,00 мм
SPHWHHAHDNL271ZV3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC060D Gen2		Поднос	28,00 мм Д x 28,00 мм Ш								1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый							115°		Квадрат	52В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		131 лм/Вт	85°С	7352lm Тип	1,08А	2,76А	Плоский	90			Диаметр 22,00 мм
СИ-B8P115280WW	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	ФИН-РТ30		Коробка	216,00 мм Д x 273,00 мм Ш	1 (без ограничений)		Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t115280ww-datasheets-6671.pdf		216 мм	5,80 мм	273 мм	Белый, Холодный	6 недель				450 мА	С разъемом		30,2 В		115°	Плоский	Прямоугольник	30,2 В	6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		152 лм/Вт	50°С	1610 лм тип.	350 мА	450 мА	Плоский	80
SPHWHAHDNG28YZW3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen2		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый	8541.40.20.00						115°		Квадрат	34,6 В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		99 лм/Вт	85°С	2470 лм Тип.	720 мА	1,84А	Плоский	95 (тип.)			Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNA27YHV21G	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013B Gen2		Поднос	17,00 мм Д x 17,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,60 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00						115°		Квадрат	35,5 В	3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		123 лм/Вт	25°С	1575лм 1440лм~1710лм	360 мА	660 мА	Плоский	90			Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNK25YZT3N2	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC040D		Поднос	28,00 мм Д x 28,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf			1,50 мм		Белый, Нейтральный				8541.40.20.00	2,76А					115°		Квадрат	34,6 В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		148 лм/Вт	85°С	5535lm Тип	1,08А		Плоский	80			Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDNB25YHT32J	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC019B		Коробка	17,00 мм Д x 17,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf			1,50 мм		Белый, Нейтральный	6 недель			8541.40.20.00	980 мА					115°		Квадрат	35,5 В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		142 лм/Вт	25°С	2713лм 2438лм~2988лм	540 мА		Плоский	80			Диаметр 12,40 мм
SPHWW1HDNB27YHU22J	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC019B		Коробка	17,00 мм Д x 17,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	980 мА					115°		Квадрат	35,5 В	3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		113 лм/Вт	25°С	2165 лм 1894 лм~2435 лм	540 мА		Плоский	90			Диаметр 12,40 мм
SPHWHHAHDNH23YZT3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC033D Gen2		Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш								1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели									115°		Квадрат	34,6 В	4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		166 лм/Вт	85°С	5175 лм Тип	900 мА	2,3А	Плоский	70			Диаметр 14,50 мм
SPHWHHAHDNM251ZU2D2	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC080D Gen2			28,00 мм Д x 28,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели									115°		Квадрат	52В	3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		153 лм/Вт	85°С	12852lm Тип	1,62 А	4.14А	Плоский	80			Диаметр 22,00 мм
SPHWHHAHDNM251ZV3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC080D Gen2			28,00 мм Д x 28,00 мм Ш	2А (4 недели)		Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели									115°		Квадрат	52В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		148 лм/Вт	85°С	12468lm Тип	1,62 А	4.14А	Плоский	80			Диаметр 22,00 мм
SPHWHHAHDNM271ZU2D3	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Поднос	28,00 мм Д x 28,00 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый							115°		Квадрат	51В	3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама		140 лм/Вт	85°С	11529lm Тип	1,62 А	4.14А	Плоский	90			Диаметр 22,00 мм
SPMWHT541ML5XATMS6	Самсунг Полупроводник, Инк.	0,36 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		LM561C	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	0,197Дx0,118Вт 5,00x3,00 мм	2А (4 недели)	0,031 0,80 мм	Соответствует RoHS	2016 год		4-SMD, плоские выводы				Белый, Нейтральный	4 недели	да		8541.40.20.00					ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД	120°			2,75 В	4000К	12°С/Вт	207 лм/Вт			65 мА	200 мА		80		37лм 36лм~38лм
СИ-B8U102250WW	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	ФИН-SQ64		Коробка	259,00 мм Д x 250,00 мм Ш	1 (без ограничений)		Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t102250ww-datasheets-9844.pdf		259 мм	5,80 мм	250 мм	Белый, Теплый	6 недель				2,4А	С разъемом		11,2 В		115°	Плоский	Прямоугольник	11,2 В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		179 лм/Вт	35°С	1405 лм тип.	700 мА	2,4А	Плоский	80
SCP7RTF1HEL1RKP34E	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		LH181B	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	0,093Дx0,093Ш 2,36x2,36 мм	2А (4 недели)	0,019 0,48 мм	Соответствует RoHS			2-SMD, без свинца				Белый, Холодный	4 недели						СМД			110°			2,9 В	5000К	2°С/Вт	172 лм/Вт			350 мА	1,4 А		70	175лм 160лм~190лм
SPHWHHAHDNM271ZR3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3		Поднос	28,00 мм Д x 28,00 мм Ш			Соответствует RoHS					1,50 мм		Белый, Холодный	4 недели		совместимый							115°		Квадрат	51В	5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама		144 лм/Вт	85°С	11867lm Тип	1,62 А	4.14А	Плоский	90			Диаметр 22,00 мм

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии