| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDNA25YZT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 230 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | 457 лм, тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 85°С | 419 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZW3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 133 лм/Вт | 85°С | 407 лм тип. | 90 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 168 лм/Вт | 85°С | 514 лм тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZP3F7 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | Тип 918lm | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZU2F5 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 145 лм/Вт | 85°С | Тип 902lm | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 164 лм/Вт | 85°С | 1024 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZW2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 119 лм/Вт | 85°С | Тип 744lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZP3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 170 лм/Вт | 85°С | Тип 1043lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZU2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 85°С | 1547lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZV2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 136 лм/Вт | 85°С | 1661lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 85°С | 1745 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDN945YHV3KG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdn945yhu3kg-datasheets-0350.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 25°С | 1186лм 1108лм~1263лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZU3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 85°С | 2376lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||
| SPHWW1HDN947YHV3FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 25°С | 1050лм 929~1171лм | 240 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZQ3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 170 лм/Вт | 85°С | 1563lm Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 169 лм/Вт | 85°С | 1550 лм тип. | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHCW1HDN825YHRTEE | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 149 лм/Вт | 25°С | 949 лм 887 лм~1011 лм | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 85°С | 1635 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SL-B8T2N70LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 281,00 мм Д x 41,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 22,3 В | 4000К | 192 лм/Вт | 55°С | 4280 лм Тип. | 1А | 1,6А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||
| СИ-Б8В341Б2001 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-МБ22С | 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Линейная световая полоса | 24В | 3000К | 151 лм/Вт | 5070лм | 1,4 А | 2.16А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||
| СИ-B8U171560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-М562С | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2008 год | 560 мм | 5,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 900 мА | С разъемом | 24В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 50°С | 2390 лм Тип. | 700 мА | 900 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZW3K0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,84А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 85°С | 3225 лм Тип | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNE2VYZVVD2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 101 лм/Вт | 85°С | 1745 лм Тип. | 450 мА | 1,15 А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | 2596 лм Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDNB27YHT22K | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 25°С | 2455лм 2245лм~2665лм | 540 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH28YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 98 лм/Вт | 85°С | Тип 3057lm | 900 мА | 2,3А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHCW1HDNC25YHRT2F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 21,5 мм | 1,50 мм | 21,5 мм | Белый, Холодный | 1,3А | 35,5 В | 115° | Плоский | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 154 лм/Вт | 25°С | 3934лм 3462лм~4406лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||
| SPHCW1HDNC23YHRT3F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 154 лм/Вт | 25°С | 3934лм 3462лм~4406лм | 720 мА | Плоский | 70 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND28YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 98 лм/Вт | 85°С | 1223 лм Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 9,80 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.