Samsung Semiconductor, Inc. (9858)

Имя	Производитель	Цены (доллар)	Количество	Статус частично	Тип	Ряд	Устанавливать	Монтажный тип	Упаковка	Размер / измерение	Уровень чувствительности влаги (MSL)	Высота сидя (максимум)	Статус ROHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет / корпус	Длина	Высота	Ширина	Цвет	Время выполнения завода	PBFREE CODE	Достичь кода соответствия	HTS -код	Максимальный ток	Особенность	Пакет устройства поставщика	Впередное напряжение	Оптоэлектронный тип устройства	Угол просмотра	Стиль объектива	Конфигурация	Напряжение - вперед (vf) (тип)	CCT (k)	Тепловое сопротивление упаковки	Lumens/watt @ current - тест	Температура - тест	Flux @ current/tempret - тест	Ток - тест	Ток - макс	Тип линзы	CRI (индекс цветового рендеринга)	Поток @ 85 ° C, ток - тест	Поток @ 25 ° C, ток - тест	Тестовая температура	Световая излучающая поверхность (LES)
Sphcw1hdne23yhrt5j	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC040B			Поднос	21.50 мм LX21.50 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, крутой					1.9а					115 °		Квадрат	35,5 В.	5000K		151 LM/W.	25 ° C.	5808LM 5111LM ~ 6505LM	1.08a		Плоский	70				17,00 мм
Sphwhahdnl271zu3d2	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC060D Gen2			Поднос	28,00 мм LX28,00 мм ш								1,50 мм		Белый, теплый	4 недели		соответствие							115 °		Квадрат	52 В.	3500K 3-ступенчатое эллипс Macadam		134 LM/W.	85 ° C.	7539LM Тип	1.08a	2.76a	Плоский	90				22,00 мм диа
Sphwhahdng28yzu2d2	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	Cob D Gen2			Поднос	19,00 мм LX19,00 мм ш			ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, теплый	4 недели		соответствие							115 °		Квадрат	34,6 В.	3500K 2-ступенчатого эллипса Macadam		108 LM/W.	85 ° C.	2701LM Тип	720 мА	1.84a	Плоский	95 (тип)				14,50 мм диаметром
Sphwhahdng28yzu3d2	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	Cob D Gen2			Поднос	19,00 мм LX19,00 мм ш			ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, теплый	4 недели		соответствие							115 °		Квадрат	34,6 В.	3500K 3-ступенчатое эллипс Macadam		108 LM/W.	85 ° C.	2701LM Тип	720 мА	1.84a	Плоский	95 (тип)				14,50 мм диаметром
SPHWW1HDNA27YHW21G	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC013B Gen2			Поднос	17,00 мм LX17,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf			1,60 мм		Белый, теплый				8541.40.20.00	660 мА					115 °		Квадрат	35,5 В.	2700K 2-ступенчатый эллипс Macadam		120 LM/W.	25 ° C.	1538LM 1405LM ~ 1670LM	360 мА		Плоский	90				11,00 мм Диа
Sphwhahdnk25yzq3n3	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC040D			Поднос	28,00 мм LX28,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf			1,50 мм		Белый, крутой				8541.40.20.00	2.76a					115 °		Квадрат	34,6 В.	5700K 3-ступенчатый эллипс Macadam		150 LM/W.	85 ° C.	5588LM Тип	1.08a		Плоский	80				22,00 мм диа
SPHWH2HDNC07YHT2C1	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC020C			Поднос	15,00 мм LX12,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, нейтральный										115 °		Прямоугольник	34,5 В.	4000K 2-ступенчатого эллипса Macadam		105 LM/W.	85 ° C.	1950LM Тип	540 мА	810 мА	Плоский	90				Диа
Sphwhahdnh25yzt3d2	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC033D Gen2			Поднос	19,00 мм LX19,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, нейтральный	4 недели			8541.40.20.00						115 °		Квадрат	34,6 В.	4000K 2-ступенчатого эллипса Macadam		157 LM/W.	85 ° C.	4875LM Тип	900 мА	2.3a	Плоский	80				14,50 мм диаметром
SPHWHAHDNH27YZR3D2	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC033D Gen2			Поднос	19,00 мм LX19,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, крутой	4 недели	да								115 °		Квадрат	34,6 В.	5000K 3-ступенчатый эллипс Macadam		135 LM/W.	85 ° C.	4216LM Тип	900 мА	2.3a	Плоский	90				14,50 мм диаметром
SPHWHAHDNM251ZV2D2	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC080D Gen2				28,00 мм LX28,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, теплый	4 недели									115 °		Квадрат	52 В.	2000K 2-ступенчатый эллипс Macadam		148 LM/W.	85 ° C.	12468LM Тип	1.62A	4.14a	Плоский	80				22,00 мм диа
SPHWHAHDNM251ZR3D2	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC080D Gen2				28,00 мм LX28,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, крутой	4 недели									115 °		Квадрат	52 В.	5000K 3-ступенчатый эллипс Macadam		157 LM/W.	85 ° C.	13196LM Тип	1.62A	4.14a	Плоский	80				22,00 мм диа
Si-B9W111250WW	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Светодиодный модуль	F-Series Gen3					1 (неограниченный)		ROHS COMPARINT							Белый	4 недели											Линейная легкая полоса									Плоский
SPHWH2L3D30CD4RTP3	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LH351B		Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,138LX0,138W 3,50 ммх .3,50 мм	2а (4 недели)	0,081 2,06 мм	ROHS COMPARINT	2016		1414 (3535 метрика)		1,93 мм		Белый, крутой	4 недели			8541.40.20.00	1,5а				Однократный светодиод	120 °	Купол		2,8 В.	5000K	4 ° C/W.	179 LM/W.			350 мА			70	175LM 160LM ~ 190LM		85 ° C.
SI-B8T102250WW	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Светодиодный модуль	FIN-SQ64			Коробка	259,00 мм LX250,00 мм ш	1 (неограниченный)		ROHS COMPARINT	2015	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-sib8t102250ww-datasheets-9844.pdf		259 мм	5,80 мм	250 мм	Белый, нейтральный	6 недель				2.4a	С разъемом		11.2V		115 °	Плоский	Прямоугольник	11.2V	4000K 3-ступенчатый эллипс Macadam		185 LM/W.	35 ° C.	1450LM Тип	700 мА	2.4a	Плоский	80
SPMWHD32AMD5XAR3S0	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LM301b		Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,118LX0,118W 3,00 ммх3,00 мм	2а (4 недели)	0,033 0,85 мм	Не совместимый с ROHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-pmwhd32amd5xav0s0-datasheets-9712.pdf	1212 (3030 метрика)				Белый, крутой	4 недели						3030			120 °			2,75 В.	5000K 3-ступенчатый эллипс Macadam	7,5 ° C/W.	212 lm/w			65 мА	180 мА		80		38LM 36LM ~ 40LM
SPHWHAHDNM251ZT3D3	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	Cob D Gen3			Поднос	28,00 мм LX28,00 мм ш			ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, нейтральный	4 недели		соответствие							115 °		Квадрат	51 В.	4000K 3-ступенчатый эллипс Macadam		166 LM/W.	85 ° C.	13721LM Тип	1.62A	4.14a	Плоский	80				22,00 мм диа
SPMWHT541MP5WAVMS5	Samsung Semiconductor, Inc.	$ 0,27	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LM561B Plus	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,197LX0.118W 5,00 ммх .3,00 мм	2а (4 недели)	0,031 0,80 мм	ROHS COMPARINT	2015		4-SMD, плоские лиды				Белый, теплый	4 недели	да		8541.40.20.00	180 мА				Однократный светодиод	120 °			2,95 В.	3000K	15 ° C/W.	177 LM/W.			65 мА			80		34LM 33LM ~ 35LM
SPHWHAHDNM251ZQ3V0	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	LC080D				28,00 мм LX28,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT					1,50 мм		Белый, крутой										115 °		Квадрат	52 В.	5700K 3-ступенчатый эллипс Macadam		141 LM/W.	85 ° C.	11904LM Тип	1.62A	2.76a	Плоский	80				22,00 мм диа
SPMWH1221FD5GBU0SA	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LM282B	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,110LX0,126W 2,80 ммх3,20 мм	2а (4 недели)	0,030 0,75 мм	ROHS COMPARINT	2016	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-pmwh1221fd5gbu0sa-datasheets-0067.pdf	1113 (2835 метрика)				Белый, теплый	6 недель	да		8541.40.20.00	160 мА				Однократный светодиод	120 °			6,3 В.	3500K	15 ° C/W.	114 LM/W.			150 мА			80		108LM 103LM ~ 113LM
Sphwhahdnl231zv3d3	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Чип на борту (COB)	Cob D Gen3			Поднос	28,00 мм LX28,00 мм ш								1,50 мм		Белый, теплый	4 недели									115 °		Квадрат	51 В.	3000K 3-ступенчатое эллипс Macadam		173 LM/W.	85 ° C.	9518LM Тип	1.08a	2.76a	Плоский	70				22,00 мм диа
SPMWHT32BMD7YBW0S0	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LM302C		Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,118LX0,118W 3,00 ммх3,00 мм	2а (4 недели)	0,033 0,85 мм			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-pmwht32bmd7ybw0s0-datasheets-2735.pdf	1212 (3030 метрика)				Белый, теплый	6 недель						3030			115 °			5,9 В.	2700K	8 ° C/W.	130 LM/W.			65 мА	150 мА		90		50LM 46LM ~ 54LM
Si-B8R261280WW	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Светодиодный модуль	F-Series Gen3				279,70 мм LX39,80 мм ш					https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-sib8v261560ww-datasheets-4889.pdf			5,20 мм		Белый, крутой	4 недели											Линейная легкая полоса	23V	5000K 3-ступенчатый эллипс Macadam		181 lm/w	65 ° C.	4650LM 4185LM ~ 5165LM	1.12a	1,8а	Плоский	80
SPMWHT32BMD5YBV3S0	Samsung Semiconductor, Inc.	$ 0,59	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LM302C		Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,118LX0,118W 3,00 ммх3,00 мм	2а (4 недели)	0,033 0,85 мм	ROHS COMPARINT	2017	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-pmwht32bmd5ybw0s0-datasheets-2723.pdf	1212 (3030 метрика)				Белый, теплый			соответствие						Однократный светодиод	115 °			5,9 В.	3000K 3-ступенчатое эллипс Macadam	8 ° C/W.	156 LM/W.			65 мА	150 мА		80		60LM 54LM ~ 66LM
Si-B8U261280WW	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Светодиодный модуль	F-Series Gen3				279,70 мм LX39,80 мм ш					https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-sib8v261560ww-datasheets-4889.pdf			5,20 мм		Белый, теплый	4 недели											Линейная легкая полоса	23V	3500K 3-ступенчатое эллипс Macadam		171 LM/W.	65 ° C.	4400LM 3960LM ~ 4890LM	1.12a	1,8а	Плоский	80
SPHWHTL3DA0GF4TPP6	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LH351D		Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,138LX0,138W 3,50 ммх .3,50 мм	2а (4 недели)	0,097 2,46 мм	ROHS COMPARINT	2018		1414 (3535 метрика)				Белый, нейтральный	4 недели			8541.40.20.00					Однократный светодиод	128 °			3В	4000K	2,2 ° C/W.	111 LM/W.			1.05A	3A		90	350LM 320LM ~ 380LM
SL-PGR2T47M3WW	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Светодиодный модуль	Т-тип			Поднос	150,00 мм LX65,00 мм ш	2а (4 недели)		ROHS COMPARINT	2014			150 мм	39,70 мм	65 мм	Белый, крутой	6 недель				1A			30 В				Прямоугольник	30 В	5000K		110 LM/W.	65 ° C.	2300LM Тип	700 мА	1A		75
SPMWH1229AD5SGR0SA	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LM283B	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,126LX0.110W 3,20 ммх2,80 мм	2а (4 недели)	0,030 0,75 мм	ROHS COMPARINT	2016	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-pmwh1229ad5sgv0sa-datasheets-8169.pdf	1113 (2835 метрика)				Белый, крутой	6 недель	да			110 мА				Однократный светодиод	120 °			9.4V	5000K	15 ° C/W.	122 LM/W.			100 мА			80		115LM 110LM ~ 120LM
Si-B8V171560WW	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Светодиодный модуль	LT-M562C			Поднос	560,00 мм LX18,00 мм W.	1 (неограниченный)		ROHS COMPARINT	2014			560 мм	5,80 мм	18 мм	Белый, теплый					900 мА	С разъемом		24 В		115 °	Плоский	Линейная легкая полоса	24 В	3000K 3-ступенчатое эллипс Macadam		140 LM/W.	50 ° C.	2350LM Тип	700 мА	900 мА	Плоский	80
SPMWH1229AD5SGRMSB	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		LM283B	Поверхностное крепление	Поверхностное крепление	Лента и катушка (TR)	0,126LX0.110W 3,20 ммх2,80 мм	2а (4 недели)	0,030 0,75 мм	ROHS COMPARINT	2016	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-pmwh1229ad5sgv0sa-datasheets-8169.pdf	1113 (2835 метрика)				Белый, крутой	6 недель	да			110 мА				Однократный светодиод	120 °			9.4V	5000K	15 ° C/W.	133 LM/W.			100 мА			80		125LM 120LM ~ 130LM
Si-B8R071280WW	Samsung Semiconductor, Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Светодиодный модуль	LT-M272B			Поднос	275,00 мм LX18,00 мм ш	1 (неограниченный)		ROHS COMPARINT	2015	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemononductorinc-sib8v051280ww-datasheets-5600.pdf		275 мм	5,80 мм	18 мм	Белый, крутой					360 мА			24 В		115 °	Плоский	Линейная легкая полоса	24 В	5000K		142 LM/W.	50 ° C.	1021LM Тип	300 мА	360 мА	Плоский	80

Samsung Semiconductor, Inc. (9858)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии