Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Термическое сопротивление упаковки | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Поток при 85°C, ток — испытание | Поток при 25°C, ток — испытание | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPMWH3326FD5GBQ0SA | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM302Z | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,024 0,60 мм | 1212 (3030 метрических единиц) | Белый, Холодный | совместимый | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 6,3 В | 5700К | 12°С/Вт | 141 лм/Вт | 150 мА | 200 мА | 80 | 133 лм 128 лм~138 лм | |||||||||||||||||||||||||
| SPMWH3326MD5WAW0SA | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM301Z | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,024 0,60 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326md5waq0sa-datasheets-0478.pdf | 1212 (3030 метрических единиц) | Белый, Теплый | совместимый | 8541.40.20.00 | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 2,75 В | 2700К | 12°С/Вт | 173 лм/Вт | 65 мА | 200 мА | 80 | 31лм 29~32лм | ||||||||||||||||||||||
| SPMWH3326FD5GBQYSA | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM302Z | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,024 0,60 мм | 1212 (3030 метрических единиц) | Белый, Холодный | совместимый | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 6,3 В | 5700К | 12°С/Вт | 141 лм/Вт | 150 мА | 200 мА | 80 | 133 лм 128 лм~138 лм | |||||||||||||||||||||||||
| SPHWH2L3D30ED4Y0H3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LH351B | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм | 1 (без ограничений) | 0,081 2,06 мм | Соответствует RoHS | 1414 (3535 Метрическая единица) | Белый | совместимый | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 2,8 В | 4°С/Вт | 128 лм/Вт | 350 мА | 1,5 А | 80 | 125лм 110лм~140лм | |||||||||||||||||||||||||
| СИ-B8V11156CWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | $5,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-В562А | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 25,2 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 50°С | 1348 лм Тип | 420 мА | 540 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| СИ-B8T14156LWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | $3,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S562L | Поднос | 559,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | 559,7 мм | 5,80 мм | 23,8 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 720 мА | С разъемом | 35,2 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 35,2 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 160 лм/Вт | 50°С | 2250 лм тип. | 400 мА | 720 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||
| СИ-B8V342560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | 1,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-F562A_G2 | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r342560ww-datasheets-5423.pdf | 560 мм | 3,80 мм | 18 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 1,62 А | С разъемом | 24,8 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,8 В | 3000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 138 лм/Вт | 50°С | 4605 лм Тип | 1,35 А | 1,62 А | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZW3A9 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 230 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 133 лм/Вт | 85°С | 413 лм тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||
| SL-B8V1N30LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 11,1 В | 3000К | 178 лм/Вт | 55°С | 1980lm Тип. | 1А | 1,6А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZR3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 85°С | 1425 лм тип. | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 144 лм/Вт | 85°С | 1342lm Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZQ3H6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 85°С | 1772lm Тип | 360 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZV2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 161 лм/Вт | 85°С | 1476 лм Тип. | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZW3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 1669 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZQ3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 165 лм/Вт | 85°С | Тип 513lm | 90 мА | 230 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 85°С | 388 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZW2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | 475 лм тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZT3E4 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 126 лм/Вт | 85°С | Тип: 784 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZQ3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 157 лм/Вт | 85°С | 975 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 137 лм/Вт | 85°С | Тип 853lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 85°С | Тип 824lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZV3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 104 лм/Вт | 85°С | 1091 лм тип. | 300 мА | 380 мА | Плоский | 90 | Диаметр 6,00 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZR3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 172 лм/Вт | 85°С | 1052 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZW3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 118 лм/Вт | 85°С | 2485 лм Тип | 600 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,50 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZV3J0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 2182lm Тип | 450 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN945YHT3KG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdn945yhu3kg-datasheets-0350.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 7 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 25°С | 1256 лм 1174 лм~1338 лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHT2CF | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 25°С | 786лм 695~876лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZW3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | 2169lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 85°С | 1302 лм Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHT3CF | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 25°С | 786лм 695~876лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм |
