Самсунг Полупроводник, Инк.
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Упаковка Размер / Размер Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Высота Цвет Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree Достичь кода соответствия Код HTS Максимальный текущий рейтинг Особенность Угол обзора Конфигурация Напряжение — прямое (Vf) (тип.) ЦКТ (К) Люмен/Ватт @ ток — тест Температура - Тест Поток при токе/температуре — испытание Текущий — Тест Ток - Макс. Тип объектива CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES)
SPHWW1HDND25YHT33G SPHWW1HDND25YHT33G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC033B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 1,62 А 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 149 лм/Вт 25°С 4748лм 4437лм~5058лм 900 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNK28YZW3D2 SPHWHAHDNK28YZW3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 101 лм/Вт 85°С 3760 лм тип. 1,08А 2,76А Плоский 95 (тип.) Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDND27YHU33Q SPHWW1HDND27YHU33Q Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC033B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 1,62 А 115° Квадрат 35,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 127 лм/Вт 25°С 4051лм 3707лм~4394лм 900 мА Плоский 90 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNL251ZV2D2 SPHWHHAHDNL251ZV2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC060D Gen2 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 52В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 152 лм/Вт 85°С 8542lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWH2HDNE07YHV2C1 SPHWH2HDNE07YHV2C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040C Поднос 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 115° Прямоугольник 34,5 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 111 лм/Вт 85°С 3470 лм тип. 1,08А 1,62 А Плоский 90 Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNE27YZV2D3 SPHWHAHDNE27YZV2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 140 лм/Вт 85°С 2139lm Тип 450 мА 1,15 А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF25YZU2J5 SPHWHAHDNF25YZU2J5 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 139 лм/Вт 85°С 2605лм 2538~2672лм 540 мА 970 мА Куполообразный 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNF27YZV2D2 SPHWHAHDNF27YZV2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 131 лм/Вт 85°С 2449 лм Тип 540 мА 1,38А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF2VYZV2D2 SPHWHAHDNF2VYZV2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB R-серия Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 111 лм/Вт 85°С Тип 2068lm 540 мА 1,38А Плоский Диаметр 14,50 мм
SPHWH2HDNA05YHT3C1 SPHWH2HDNA05YHT3C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC010C Поднос 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 405 мА 115° Прямоугольник 34,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 128 лм/Вт 85°С 1190 лм тип. 270 мА Плоский 80 Диаметр 6,00 мм
SPHWH2HDNA05YHQTC1 SPHWH2HDNA05YHQTC1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC010C Поднос 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 115° Прямоугольник 34,5 В 5700К 135 лм/Вт 85°С 1260 лм тип. 270 мА 405 мА Плоский 80 Диаметр 6,00 мм
SPHWHAHDNK25YZV3C2 SPHWHAHDNK25YZV3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 123 лм/Вт 85°С 4524lm Тип 1,05А 1,61А Плоский 80 Диаметр 11,50 мм
SPHWW1HDNA25YHU31D SPHWW1HDNA25YHU31D Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC013B Gen2 Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf 1,60 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 660 мА 115° Квадрат 35,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 153 лм/Вт 25°С 1950 лм 1840 лм~2060 лм 360 мА Плоский 80 Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNK27YZT3C2 SPHWHAHDNK27YZT3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 111 лм/Вт 85°С 4073lm Тип 1,05А 1,61А Плоский 90 Диаметр 11,50 мм
SPHWW1HDNA27YHV31G SPHWW1HDNA27YHV31G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC013B Gen2 Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf 1,60 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 660 мА 115° Квадрат 35,5 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 123 лм/Вт 25°С 1575лм 1440лм~1710лм 360 мА Плоский 90 Диаметр 11,00 мм
SPHWH2HDNA07YHW2C1 SPHWH2HDNA07YHW2C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC010C Поднос 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 115° Прямоугольник 34,5 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 86 лм/Вт 85°С 800 лм тип. 270 мА 405 мА Плоский 90 Диаметр 6,00 мм
SPHWHAHDNG27YZV2D3 SPHWHAHDNG27YZV2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 137 лм/Вт 85°С 3355 лм Тип. 720 мА 1,84А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG25YZP3D2 SPHWHAHDNG25YZP3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC026D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 6500K 2-ступенчатый эллипс Макадама 159 лм/Вт 85°С 3950 лм Тип. 720 мА 1,84А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNG27YZR3D3 SPHWHAHDNG27YZR3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) COB D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 145 лм/Вт 85°С Тип: 3556 лм 720 мА 1,84А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SI-N8U1856B0WW СИ-N8U1856B0WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Светодиодный модуль Диаметр 130,00 мм 1 (без ограничений) 5,20 мм Белый, Теплый 8 недель С разъемом 120° Круглый 27,9 В 3500К 180 лм/Вт 25°С 3210 лм Тип 640 мА Плоский 80
SPHWW1HDNE25YHW34J SPHWW1HDNE25YHW34J Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040B Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель да 1,62 А 115° Квадрат 35,5 В 2700К 115 лм/Вт 25°С 4398 лм 3695 лм~5 100 лм 1,08А Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHCW1HDNE25YHR34G SPHCW1HDNE25YHR34G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040B Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 1,9 А 115° Квадрат 35,5 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 148 лм/Вт 25°С 5690лм 5295~6085лм 1,08А Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDNE27YHT34J SPHWW1HDNE27YHT34J Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC040B 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год Белый, Нейтральный 6 недель да 1,9 А Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 121 лм/Вт 25°С 4634lm Тип 1,08А 90
SPHWHAHDNL271ZW3D2 SPHWHHAHDNL271ZW3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC060D Gen2 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 52В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 124 лм/Вт 85°С 6959lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
SPHWH2HDNA08YHV2C1 SPHWH2HDNA08YHV2C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC010C Поднос 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 115° Прямоугольник 34,5 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 88 лм/Вт 85°С 840 лм тип. 270 мА 405 мА Плоский 92 Диаметр 6,00 мм
SPHWHAHDNH25YZV2D2 SPHWHHAHDNH25YZV2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC033D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 149 лм/Вт 85°С 4643lm Тип 900 мА 2,3А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNA28YHU21E SPHWW1HDNA28YHU21E Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC013B Коробка 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,60 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 660 мА 115° Квадрат 35,5 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 107 лм/Вт 25°С 1369 лм 1232 лм~1506 лм 360 мА Плоский 95 Диаметр 11,00 мм
SPHWW1HDNB27YHV22J SPHWW1HDNB27YHV22J Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019B Коробка 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 980 мА 115° Квадрат 35,5 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 113 лм/Вт 25°С 2165 лм 1894 лм~2435 лм 540 мА Плоский 90 Диаметр 12,40 мм
SPHWHAHDNH25YZV3D2 SPHWHHAHDNH25YZV3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC033D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2017 год 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 149 лм/Вт 85°С 4643lm Тип 900 мА 2,3А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNB25YHW31G SPHWW1HDNB25YHW31G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

 скачать Чип на плате (COB) LC019B Gen2 Поднос 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 980 мА 115° Квадрат 35,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 138 лм/Вт 25°С 2650лм 2487~2813лм 540 мА Плоский 80 Диаметр 12,40 мм
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)