Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМикрон Технология(4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9HVF3272PKY-53EB1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-МиниRDIMM | 18,2 мм | Без свинца | 244 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5HTF3272KY-53EB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt5htf3272ky53eb2-datasheets-4931.pdf | 244-МиниRDIMM | 30 мм | Без свинца | 244 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5HTF3272KY-40EB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt5htf3272ky53eb2-datasheets-4931.pdf | 244-МиниRDIMM | 30 мм | Без свинца | 244 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872FY-667B5D3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fy53eb5e3-datasheets-4961.pdf | 240-ФБДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF6472KY-53EB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 55°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-МиниRDIMM | 18 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 9 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 500 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872PKY-40EA2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 244-МиниRDIMM | 30 мм | Без свинца | 244 | 244 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 30 | DRAM | 1,8 В | 2,34 мА | Не квалифицирован | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTS51272Y-53EA2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36htj51272y40ea2-datasheets-4366.pdf | 240-ФБДИММ | Без свинца | 240 | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864AY-80ED3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264AY-80ED3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4htf1664ay40eb1-datasheets-4555.pdf | 240-УДИММ | 29,5 мм | Без свинца | 240 | 240 | неизвестный | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | DRAM | 1,8 В | 1,48 мА | Не квалифицирован | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | 32MX64 | 64 | 2147483648 бит | 0,4 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872PY-40ED2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-РДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 400 МГц | 18 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 60 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872FY-667D5E3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fy53eb5e3-datasheets-4961.pdf | 240-ФБДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF25672Y-53ED1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py53eb1-datasheets-4971.pdf | 240-РДИММ | 29,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 36 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 50 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF25672Y-40ED1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py53eb1-datasheets-4971.pdf | 240-РДИММ | 29,5 мм | Без свинца | 240 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF12872PY-800E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt9hvf6472py667d1-datasheets-9955.pdf | 240-РДИММ | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9JSF12872AY-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9jsf12872ay1g4d1-datasheets-0106.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 1,575 В | 1,425 В | 240 | 1,333 ГГц | 9 | 1 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF25664AZ-800H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664az800h1-datasheets-0161.pdf | 240-УДИММ | 1,8 В | Без свинца | 240 | 1,9 В | 1,7 В | 240 | Нет | 800 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 16 | DRAM | 2,736 мА | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 800 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | 256MX64 | 64 | 17179869184 бит | 0,112А | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16JTF51264AZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microntechnologyinc-mt16jtf51264az1g4d1-datasheets-0219.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | Без свинца | 240 | 1,575 В | 1,425 В | 240 | да | Нет | 1,333 ГГц | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 225 | 1,5 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 16 | DRAM | 3,176 мА | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 64б | 1333МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 667 МГц | 512MX64 | 64 | 34359738368 бит | 0,192А | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672PKZ-80EH1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672pkz80eh1-datasheets-0250.pdf | 244-МиниRDIMM | 1,8 В | 244 | 1,9 В | 1,7 В | 244 | да | Нет | 800 МГц | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 18 | Другие микросхемы памяти | 4,23 мА | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | 256MX72 | 72 | 19327352832 бит | 0,4 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF51272AZ-80EC1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872az80eg1-datasheets-0258.pdf | 240-УДИММ | 240 | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HVF25672PZ-80EH1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18hvf12872pz667g1-datasheets-0285.pdf | 240-РДИММ | 1,8 В | 240 | 1,9 В | 1,7 В | 240 | да | 800 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 18 | DRAM | 3,78 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | 256MX72 | 72 | 19327352832 бит | 0,126А | 0,4 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF51272FZ-80EH1D6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | КМОП | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt36htf51272fz80eh1d6-datasheets-0354.pdf | 240-ФБДИММ | 133,35 мм | 1,8 В | 240 | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 1 | EAR99 | WD-MAX | Нет | 800 МГц | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1 мм | 240 | 36 | Другие микросхемы памяти | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОБЩИЙ | 8192 | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF1G72FZ-667C1D6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 95°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt36htf51272fz80eh1d6-datasheets-0354.pdf | 240-ФБДИММ | 133,35 мм | 1,8 В | 240 | 5 недель | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 667 МГц | неизвестный | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 1 мм | 36 | 8 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 667МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4JSF12864HZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mt4jsf12864hz1g4d1-datasheets-0415.pdf | 204-SODIMM | 67,6 мм | 1,5 В | 204 | 1,575 В | 1,425 В | 204 | 1 | EAR99 | WD-MAX | 1,333 ГГц | неизвестный | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,6 мм | 204 | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | DRAM | 1,7 мА | Не квалифицирован | 1 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 667 МГц | 64 | 0,255 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||
| MT18HTF51272AZ-667C1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872az80eg1-datasheets-0258.pdf | 240-УДИММ | 5 недель | 240 | Нет | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4JTF12864AZ-1G6D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4jtf12864az1g1d1-datasheets-0382.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 1,575 В | 1,425 В | 240 | 1,6 ГГц | 4 | 1 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8JSF25664HZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microntechnologyinc-mt8jsf25664hz1g1d1-datasheets-0427.pdf | 204-SODIMM | 67,6 мм | 1,5 В | 204 | 1,575 В | 1,425 В | 204 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1,333 ГГц | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,5 В | 0,6 мм | 204 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 8 | DRAM | 1,53,3 В | 2,92 мА | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 64б | 1333МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 667 МГц | 256MX64 | 64 | 0,096А | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||
| MT9HTF12872FZ-667H1N8 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872fz667h1n8-datasheets-0532.pdf | 240-ФБДИММ | 240 | 240 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1 мм | ДРУГОЙ | 95°С | 30 | Другие микросхемы памяти | 1,51,8 В | Не квалифицирован | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9JSF25672AKZ-1G4D2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt9jsf25672akz1g4d2-datasheets-0553.pdf | 244-МиниУДИММ | 244 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36VDDF25672Y-335J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf3-datasheets-0368.pdf | 184-РДИММ | 2,5 В | 184 | Нет | 333 МГц | 2 ГБ | ГДР SDRAM | 72б | 333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8KTF12864AZ-1G1G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt8ktf12864az1g1g1-datasheets-0612.pdf | 240-УДИММ | 240 | 1 ГБ | DDR3L SDRAM | 1066МТ/с |
