| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Защита от ЭСР | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Режим доступа | Максимальная скорость передачи данных хоста | Стандарт хост-интерфейса |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT8HTF6464AY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HY-667B3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 200-SODIMM | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 667 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-53VB9 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472Y-53EB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 55°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | 240-РДИММ | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 9 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 500 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT464HG-133G4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664hg13ed1-datasheets-4598.pdf | 144-SODIMM | 25,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 3,6 В | 3В | 144 | 133 МГц | 4 | 32 МБ | SDRAM | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472AY-335D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,18 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 184-УДИММ | 133,35 мм | 31,75 мм | Без свинца | 184 | 184 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | 184 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 2,7 В | 2,3 В | 30 | Другие микросхемы памяти | 2,5 В | 3,645 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 0,045А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464AY-335F4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-УДИММ | 31,2 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 184 | 2,7 В | 2,3 В | 184 | Нет | 333 МГц | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 3,24 мА | 512 МБ | ГДР SDRAM | 64б | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,04 А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472AY-40BD1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | 184-УДИММ | Без свинца | 184 | 184 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | Другие микросхемы памяти | 2,5 В | 4,05 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 0,045А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9ВДВФ6472Г-40БФ1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf | 184-РДИММ | 18 мм | Содержит свинец | 184 | 184 | не_совместимо | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,6 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | DRAM | 2,6 В | 4,05 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 0,045А | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9ВДДТ3272Г-26АГ3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272g262g3-datasheets-4759.pdf | 184-РДИММ | 43,2 мм | Содержит свинец | 184 | 184 | не_совместимо | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | Другие микросхемы памяти | 2,5 В | 3,15 мА | Не квалифицирован | 256 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 133 МГц | 32MX72 | 72 | 2415919104 бит | 0,036А | 0,75 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF3272PY-667B1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 55°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-РДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 667 МГц | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 72б | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472FY-53EB4D3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472fy53eb4d3-datasheets-4969.pdf | 240-ФБДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872FY-53EB5D3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fy53eb5e3-datasheets-4961.pdf | 240-ФБДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF25664AY-667EA3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HY-53ED3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/micron-mt8htf12864hy53ed3-datasheets-5937.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | Без свинца | 200 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5HTF6472PKY-667A2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt5htf3272ky53eb2-datasheets-4931.pdf | 244-DIMM | 30 мм | Без свинца | 244 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864HY-53ED3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf12864hy40eb3-datasheets-4372.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 533 МГц | 16 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 50 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF6472KY-40ED2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 55°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-МиниRDIMM | 18 мм | 1,8 В | Без свинца | 244 | Нет | 400 МГц | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 72б | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872PDY-53ED2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672dy53ea1-datasheets-4423.pdf | 240-РДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | 240 | да | Нет | 533 МГц | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | DRAM | 2,088 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 533 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 267 МГц | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | 0,126А | 0,5 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-800D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872Y-53ED6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-РДИММ | 29,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 18 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 50 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF25664HY-667E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt16htf12864hy40eb3-datasheets-4372.pdf | 200-SODIMM | 1,8 В | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 667 МГц | 16 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 45 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF6472PY-80ED1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt9hvf6472py667d1-datasheets-9955.pdf | 240-РДИММ | 240 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF51272PY-667E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36htf25672py53eb1-datasheets-4971.pdf | 240-РДИММ | 240 | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDCAE001SAF-1D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | RealSSD™ | Винт | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mtfdcae008saf1b1it-datasheets-0142.pdf | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 5В | 5,25 В | 4,75 В | 10 | USB | 8 ГБ | 8542.31.00.01 | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-XXMA-X | 1 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | Нет | 33 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDCAE001SAF-1D1IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | RealSSD™ | Винт | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mtfdcae008saf1b1it-datasheets-0142.pdf | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 5В | 5,25 В | 4,75 В | 10 | 8 ГБ | неизвестный | 8542.31.00.01 | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 5В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | Р-XXMA-X | 1 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 33 МБ/с | USB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16LSDT3264AY-133G3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 65°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16lsdt3264ay133g3-datasheets-0257.pdf | 168-УДИММ | 3,3 В | 168 | 3,6 В | 3В | 168 | Нет | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 16 | DRAM | 4,96 мА | 256 МБ | SDRAM | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32MX64 | 64 | 2147483648 бит | 0,032А | 5,4 нс | ОБЩИЙ | 4096 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HVF25672PZ-667H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 18,05 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18hvf12872pz667g1-datasheets-0285.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 17,9 мм | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | DRAM | 1,8 В | 3,33 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 256MX72 | 72 | 19327352832 бит | 0,126А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KSF25672PDZ-1G4G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mt18ksf25672pdz1g4g1-datasheets-0326.pdf | 240-РДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF25672FZ-667G1N8 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt36htf51272fz80eh1d6-datasheets-0354.pdf | 240-ФБДИММ | 240 | 240 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 мм | Другие микросхемы памяти | 1,51,8 В | 4,48 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 256MX72 | 72 | 19327352832 бит | ОБЩИЙ | 8192 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.