Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактТехнология микрон (4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Устанавливать | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Частота | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Высота | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Количество булавок | PBFREE CODE | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Температура | Рабочая температура (макс) | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Подкатегория | Питания | Поставьте ток-макс | Квалификационный статус | Скорость передачи данных | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Вспомогательный ток-макс | Время доступа (макс) | Тип ввода/вывода | Обновления циклов | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT5VDDT1672HY-335F3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272hy335f2-datasheets-4254.pdf | 200-sodimm | 2,5 В. | Свободно привести | 2,7 В. | 2,3 В. | 200 | 333 МГц | 5 | 128 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 70 пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464AY-335F3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-Udimm | 512 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264HY-335G3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | 2,5 В. | Свободно привести | 200 | 2,7 В. | 2,3 В. | 200 | 333 МГц | неизвестный | Двойной | Нет лидерства | 2,5 В. | 0,6 мм | Коммерческий | 8 | Драмы | Не квалифицирован | 256 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 3-штат | 167 МГц | 32MX64 | 64 | 0,7 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16LSDF3264HG-13EG4 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 65 ° C. | 0 ° C. | 133 МГц | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16lsdf3264hg13eg4-datasheets-4413.pdf | 144-Sodimm | 31,8 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 144 | Нет | 133 МГц | 256 МБ | SDRAM | 64b | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDF6464HG-335G2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | CMOS | Не совместимый с ROHS | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt16vddf12864hg335f2-datasheets-4338.pdf | 200-sodimm | 38,1 мм | Содержит свинец | 200 | 200 | not_compliant | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 2,5 В. | 0,6 мм | Коммерческий | 70 ° C. | Драмы | 2,5 В. | 4,08 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | 3-штат | 167 МГц | 64mx64 | 64 | 4294967296 бит | 0,064а | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464AG-40BF3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464ay40bd3-datasheets-4252.pdf | 184-Udimm | 512 МБ | DDR SDRAM | 400 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF25664AY-40EA1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-уседания | 30 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 1,9 В. | 1,7 В. | 240 | Нет | 400 МГц | 16 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 64b | 400 мт/с | 60 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT12872DG-265D2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2003 | /files/micron-mt18vddt12872dg265d2-datasheets-5631.pdf | 184-Dimm | 43,2 мм | Содержит свинец | 184 | 1 ГБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18LSDT6472G-133D2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 55 ° C. | 0 ° C. | CMOS | 133 МГц | Не совместимый с ROHS | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt18lsdt6472y13ed2-datasheets-4491.pdf | 168-RDIMM | 43,2 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 168 | 3,6 В. | 3В | 168 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 8542.32.00.36 | 1 | E0 | Оловянный свинец | Двойной | 235 | 3,3 В. | 168 | Коммерческий | 30 | 18 | 512 МБ | SDRAM | 72b | 64mx72 | 72 | 5,4 нс | Страница с одним банком взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-40EB3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | CMOS | Синхронно | ROHS3 соответствует | 200-sodimm | 30 мм | Свободно привести | 200 | 200 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗОЛОТО | НЕТ | Зигзаг | Нет лидерства | 260 | 1,8 В. | 200 | Коммерческий | 70 ° C. | 1,9 В. | 1,7 В. | 30 | Не квалифицирован | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 мт/с | 32MX64 | 64 | 2147483648 бит | 0,6 нс | Страница с одним банком взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264HY-667B3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 200-sodimm | Свободно привести | 200 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36LSDT25672G-13EC2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 65 ° C. | 0 ° C. | 133 МГц | Не совместимый с ROHS | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt36lsdf12872g133d1-datasheets-4551.pdf | 168-RDIMM | 43,2 мм | 3,3 В. | Содержит свинец | 168 | Нет | 133 МГц | 2 ГБ | SDRAM | 72b | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5VDDT1672HG-335F3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | Не совместимый с ROHS | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272hg40bf2-datasheets-4286.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | 2,5 В. | Содержит свинец | 200 | 200 | нет | 1 | Ear99 | Авто/самообновление | Нет | 333 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | E0 | Оловянный свинец | НЕТ | Зигзаг | 235 | 2,5 В. | 0,6 мм | 200 | Коммерческий | 2,7 В. | 2,3 В. | 30 | Драмы | 2,2 мА | 128 МБ | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | 3-штат | 167 МГц | 16mx72 | 72 | 1207959552 бит | 0,02а | 0,9 нс | ОБЩИЙ | 8192 | Четыре банка страниц взрыва | ||||||||||||||||||
| MT8HTF3264HDY-667B3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-sodimm | 30 мм | Свободно привести | 200 | 200 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,8 В. | 0,6 мм | Коммерческий | 70 ° C. | Драмы | 1,8 В. | 1,44 мА | Не квалифицирован | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 3-штат | 333 МГц | 32MX64 | 64 | 2147483648 бит | 0,04а | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-53EB4 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hdy53eb3-datasheets-4368.pdf | 200-sodimm | 30 мм | Свободно привести | 200 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF3272Y-40EB3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | Свободно привести | 240 | 400 кбит / с | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT1664HG-335B2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | Содержит свинец | 200 | 128 МБ | DDR SDRAM | 333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272G-265G3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | Не совместимый с ROHS | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt3272g262g3-datasheets-4759.pdf | 184-RDIMM | 43,2 мм | 2,5 В. | Содержит свинец | 184 | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 266 МГц | not_compliant | Двойной | Нет лидерства | 2,5 В. | 1,27 мм | Коммерческий | 9 | Другое память ICS | 3.285MA | Не квалифицирован | 256 МБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | 3-штат | 750 пс | 133 МГц | 32mx72 | 72 | 0,036а | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264AG-262G4 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | Содержит свинец | 184 | 256 МБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672AY-53ED1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872ay53eb1-datasheets-4422.pdf | 240-уседания | 30 мм | Свободно привести | 240 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472PHG-265D2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | 2002 | 200-sodimm | 31,8 мм | Содержит свинец | 200 | 512 МБ | DDR SDRAM | 266 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDVF6472G-335F1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | Не совместимый с ROHS | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf | 184-RDIMM | 18 мм | 2,5 В. | Содержит свинец | 184 | 184 | Нет | 333 МГц | НЕТ | Двойной | 2,5 В. | 1,27 мм | Коммерческий | Драмы | 3.645MA | 512 МБ | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | 3-штат | 166 МГц | 64mx72 | 72 | 4831838208 бит | 0,045а | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT12864AG-335F2 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Гнездо | Масса | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | Не совместимый с ROHS | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay335f3-datasheets-4328.pdf | 184-Udimm | 31,2 мм | 2,5 В. | Содержит свинец | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | 333 МГц | 16 | 1 ГБ | DDR SDRAM | 333mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872PY-667B1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 30 мм | Свободно привести | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5HTF3272PKY-40EB1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt5htf3272ky53eb2-datasheets-4931.pdf | 244-Minirdimm | 30 мм | Свободно привести | 244 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872FDY-53EB5D3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fdy667b5d3-datasheets-4973.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | Свободно привести | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672FY-667A5E3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | 95 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872fy53eb5e3-datasheets-4961.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | 1,8 В. | Свободно привести | 240 | Нет | 667 МГц | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72b | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472PKY-667B3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf | 244-Minirdimm | 30 мм | Свободно привести | 244 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872FY-53EA4D3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472fy53eb4d3-datasheets-4969.pdf | 240-FBDIMM | 30,4 мм | Свободно привести | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTS51272FY-53EA2D3 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2006 | /files/microntechnologyinc-mt36hts51272fy53ea3d3-datasheets-9662.pdf | 240-FBDIMM | 30 мм | Свободно привести | 240 | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s |
