Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМикрон Технология(4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Выходные характеристики | Программирование напряжения | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Режим доступа | Максимальная скорость передачи данных хоста | Скорость - Чтение | Скорость – запись | Форм-фактор |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTA36ASF4G72PZ-2G6J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 288-РДИММ | 6 недель | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 2,666 ГТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36JSF1G72PZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt36jsf1g72pz1g4d1-datasheets-1342.pdf | 240-РДИММ | 240 | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDVF12872DY-335J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy335j1-datasheets-1368.pdf | 184-РДИММ | 2,5 В | 184 | Нет | 333 МГц | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 72б | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36КСЗФ1Г72ЛЗ-1Г4М1А5 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt36kszf1g72lz1g4m1a5-datasheets-1393.pdf | 240-LRDIMM | 133,35 мм | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,45 В | 1,283 В | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1333 МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8KTF25664HZ-1G6M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microntechnologyinc-mt8ktf12864hz1g4g1-datasheets-0539.pdf | 204-SODIMM | 67,6 мм | 1,35 В | 204 | 12 недель | 1,45 В | 1,283 В | 204 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 1,6 ГГц | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ЗИГ-ЗАГ | 1,35 В | 0,6 мм | 204 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 1,76 мА | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 64б | 1600 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256MX64 | 64 | 0,096А | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА18АСФ1Г72ПДЗ-2Г6Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | 288-РДИММ | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | Р-XDMA-N288 | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18КСФ1Г72АЗ-1Г4Е1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18ksf1g72az1g4e1-datasheets-1506.pdf | 240-УДИММ | 1,35 В | 1,45 В | 1,235 В | 244 | Нет | 1,333 ГГц | 18 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF51272FDZ-667H1D6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt36htf51272fdz667h1d6-datasheets-1542.pdf | 240-ФБДИММ | 240 | 240 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1 мм | ДРУГОЙ | 95°С | 30 | Другие микросхемы памяти | 1,51,8 В | Не квалифицирован | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36ХВЗС1Г72ПЗ-667С1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microntechnologyinc-mt36hvzs1g72pz667c1-datasheets-1573.pdf | 240-РДИММ | 240 | 8 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8LSDT6464HIY-133C1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 3,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | Модуль | 67,585 мм | 31,75 мм | 144 | 144 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 144 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 3,6 В | 3В | 30 | Не квалифицирован | 512 МБ | SDRAM | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 5,4 нс | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KSF51272AZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microntechnologyinc-mt18ksf1g72az1g4d1-datasheets-1334.pdf | 240-УДИММ | 133,35 мм | 1,35 В | 240 | 12 недель | 1,45 В | 1,235 В | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; СИДЯЩИЙ HGT-НОМ | 1,333 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36КСФ2Г72ПЗ-1Г6Е1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt36ksf2g72pz1g4d1-datasheets-1344.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,35 В | 240 | 1,45 В | 1,283 В | 240 | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1,6 ГГц | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 1 мм | ДРУГОЙ | НЕ УКАЗАН | 36 | 16 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | 2GX72 | 72 | 154618822656 бит | 8 | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KDF51272PZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18kdf51272pz1g6m1-datasheets-1328.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,35 В | 240 | 1,45 В | 1,283 В | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 1,5 В; WD-MAX | 1,333 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBE004SAJ-1N2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 32 ГБ | 8542.31.00.01 | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-N10 | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672FDZ-80EM1D6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf25672fdz667h1n8-datasheets-0265.pdf | 240-ФБДИММ | 1,8 В | 5 недель | 240 | 400 МГц | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8KTF51264AZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microntechnologyinc-mt8ktf51264az1g6e1-datasheets-1742.pdf | 240-УДИММ | 240 | 240 | Золото | 800 МГц | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | DRAM | 1,35 В | 1,76 мА | Не квалифицирован | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 64б | 1600 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512MX64 | 64 | 34359738368 бит | 0,144А | 0,225 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF6472PZ-667H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt9hvf6472pz667h1-datasheets-1759.pdf | 240-РДИММ | 1,8 В | 5 недель | 240 | 333,33 МГц | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 72б | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18КСФ1Г72ХЗ-1Г4Е2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18ksf1g72hz1g4e2-datasheets-1776.pdf | 204-SODIMM | 204 | 666,6 МГц | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ16ХТФ25664АЗ-800М1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664az800m1-datasheets-1792.pdf | 240-УДИММ | 133,35 мм | 1,8 В | 240 | 12 недель | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 400 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 800 МТ/с | 256MX64 | 64 | 17179869184 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA4ATF51264HZ-2G3B1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,13 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microntechnologyinc-mta4atf51264hz2g1b1-datasheets-0732.pdf | 260-SODIMM | 69,6 мм | 1,2 В | 260 | 5 недель | 1,26 В | 1,14 В | 260 | 1 | EAR99 | WD-MAX | 1,2 ГГц | 1 | ЗИГ-ЗАГ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 64б | 2400 МТ/с | 512MX64 | 64 | 34359738368 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA9ASF51272PZ-2G3A2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mta9asf51272pz2g6b1-datasheets-0721.pdf | 288-РДИММ | 1,2 В | 288 | Золото | 1,2048 ГГц | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA8ATF51264AZ-2G1A2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta8atf51264az2g3b1-datasheets-1810.pdf | 288-УДИММ | 1,2 В | 1,26 В | 1,14 В | 288 | Золото | 1,07526 ГГц | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 64б | 2133МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDBTH008MBA-1K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | Модуль | 4 недели | 8 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA9ASF51272PZ-2G1A2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mta9asf51272pz2g6b1-datasheets-0721.pdf | 288-РДИММ | 133,35 мм | 3,9 мм | 1,2 В | 288 | 1,26 В | 1,14 В | 288 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Золото | 1,07526 ГГц | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТФДДАК960ТДД-1АТ1ЗАБЫЙ | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | 5200 | 0°С~70°С | 100,45x69,85x7,00 мм | 2018 год | 5 недель | 5В 12В | 960 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | 2,5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV1T0TBN-1AR1ZABDA | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | 1100 | 0°С~70°С | 80,00x22,00x2,30 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 5 недель | 0,353 унции 10 г | 3,3 В | 1 ТБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | Модуль М.2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK064SBD-1AK12ITYY | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | М500ИТ | -40°К~85°К | 100,45x69,85x7,00 мм | КМОП | Соответствует ROHS3 | 5 недель | 2,65 унции 75,51 г | 5В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 64 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 5В | 500 МБ/с | 350 МБ/с | 2,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV960TBY-1AR16ABYY | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | 5100 | 0°С~70°С | 80,00x22,00x3,80 мм | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 5 недель | 0,353 унции 10 г | да | 8542.31.00.01 | 3,3 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 960 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | Модуль М.2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHAK480MCH-1AN1ZABYY | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | NVMe | 7100 | 0°С~70°С | 100,24x69,85x7,00 мм | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 12 недель | да | неизвестный | 8542.31.00.01 | 12 В | 480 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 12 В | 2,4 ГБ/с | 500 МБ/с | Модуль У.2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDJAL1T6MBS-2AN16FCYY | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | S650DC | 0°К~50°К | 100,24x69,85x15,00 мм | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 12 недель | 5В 12В | 1,6 ТБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 3,3 В | 1,9 ГБ/с | 850 МБ/с | 2,5 |
