Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМикрон Технология(4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Длина продукта (мм) | Высота продукта (мм) | Стиль | Скорость | Выходные характеристики | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Самообновление | ФАПЧ | Форм-фактор | Производитель | Тип модуля |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT18HTF25672FDY-667E1D4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Да, с исключениями | /files/microntechnology-mt18htf25672fdy667e1d4-datasheets-7893.pdf | 240 | DDR2 SDRAM | 256Мх72 | 8К | Нет | Нет | 240FBDIMM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK1T0MAY-1AE12ABYY | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | /files/microntechnology-mtfddak1t0may1ae12abyy-datasheets-4953.pdf | 100,45 | 69,85 | Твердотельный накопитель | 2,5 дюйма 7 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT864AG-10EG2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | не соответствует RoHS | /files/microntechnology-mt4lsdt1664ag133g1-datasheets-0186.pdf | 168 | SDRAM | 8Мх64 | 168UDIMM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KSF51272HZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Да, с исключениями | /files/microntechnology-mt18ksf51272hz1g4k1-datasheets-3731.pdf | 204 | DDR3L SDRAM | 512Mx72 | 8К | Да | Нет | 204SODIMM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CT12864Z335 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | /files/microntechnology-ct12864z335-datasheets-0248.pdf | 184 | ГДР SDRAM | 128Мx64 | 184UDIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CT8G3ERSLD8160B | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | /files/microntechnology-ct8g3ersld8160b-datasheets-0432.pdf | 240 | DDR3 SDRAM | 1Gx72 | РДИММ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА18АДФ2Г72АЗ-3Г2Р1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | - | 288-УДИММ | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | Микрон Технология Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА9АСФ2Г72ПЗ-3Г2Ф1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | DDR4 SDRAM | 288-РДИММ | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | Микрон Технология Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTSD128AHC6MS-1WT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -25°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 4 недели | 128 ГБ | microSD™ | Класс 10, Класс UHS 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMC256BFJ6E | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -40°К~85°К | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microntechnologyinc-smc064bfe6e-datasheets-3539.pdf | 256 МБ | КомпактФлэш® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTSD032AHC6MS-1WT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -25°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 4 недели | 32 ГБ | microSD™ | Класс 10, Класс UHS 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36ВДФ25672Г-40БФ2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-РДИММ | 30,5 мм | 2,6 В | Содержит свинец | 184 | Нет | 400 МГц | 2 ГБ | ГДР SDRAM | 72б | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464AY-335D3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-УДИММ | Без свинца | 184 | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264AG-40BG6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464ay40bd3-datasheets-4252.pdf | 184-УДИММ | 184 | не_совместимо | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,6 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | DRAM | 2,6 В | 3,76 мА | Не квалифицирован | Р-ПДМА-N184 | 256 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 32MX64 | 64 | 2147483648 бит | 0,032А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464HY-40BF2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464hy335f2-datasheets-4334.pdf | 200-SODIMM | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hdy53eb3-datasheets-4368.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Нет | 533 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 267 МГц | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,04 А | 0,5 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472HG-40BF2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf | 200-SODIMM | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT6464AG-262G4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay335f3-datasheets-4328.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | Содержит свинец | 184 | Нет | 266 МГц | 512 МБ | ГДР SDRAM | 64б | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672AY-53EA1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872ay53eb1-datasheets-4422.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 533 МГц | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF3272Y-335G3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddf3272y335g3-datasheets-4497.pdf | 184-РДИММ | 28,6 мм | Без свинца | 184 | 256 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT6464AY-40BGB | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | Без свинца | 184 | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF1664AY-53EB1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt4htf1664ay40eb1-datasheets-4555.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 533 МГц | 128 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36VDDF25672Y-40BD2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-РДИММ | Без свинца | 184 | неизвестный | 2 ГБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36ВДФ12872Г-335Г3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-РДИММ | 43,2 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 184 | 2,7 В | 2,3 В | 184 | 333 МГц | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 36 | DRAM | 10,44 мА | Не квалифицирован | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 166 МГц | 128MX72 | 72 | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT464AG-13EG6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664ay13ed1-datasheets-4038.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 168 | Нет | 133 МГц | 32 МБ | SDRAM | 64б | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5LSDT472AG-13EG6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt5lsdt872ag133g1-datasheets-4629.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | Содержит свинец | 168 | 32 МБ | SDRAM | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HDY-40EA3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | 16 недель | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Нет | 400 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 1,92 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64 | 0,04 А | 0,6 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT3264WG-265C1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 172-УДИММ | Содержит свинец | 172 | 256 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264HY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/micron-mt8htf3264hy53eb3-datasheets-5721.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Нет | 533 МГц | 8 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872AY-53EA1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 533 МГц | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 533 МТ/с |
