Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактТехнология микрон (4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Количество булавок | Интерфейс | Плотность | Количество портов | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Количество функций | Напряжение | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Температура | Рабочая температура (макс) | Поставка напряжения-макс (VSUP) | Поставка напряжения мимин (VSUP) | Время@Пиковой температуру (я) | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Защита ESD | Напряжение программирования | Скорость передачи данных | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Режим доступа | Макс передачи данных хоста | Стандарт интерфейса хоста | Скорость - читать | Скорость - написать | Форм -фактор |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MTA4ATF51264AZ-2G6B1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2017 | /files/microntechnologyinc-mta4atf51264az2g3b1-datasheets-0723.pdf | 288-удруча | 5 недель | 288 | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2666 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KDF2G72AZ-1G6A1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | CMOS | Синхронно | 18,9 мм | ROHS3 соответствует | 2016 | /files/microntechnologyinc-mt18kdf2g72az1g6a1-datasheets-1850.pdf | 240-уседания | 133,35 мм | 4 мм | 240 | 5 недель | 240 | 1 | Ear99 | Авто/самообновление; Wd-max; Также работает на номинальном поставке 1,5 В | 1 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,35 В. | 1 мм | Коммерческий | 70 ° C. | 1,45 В. | 1.235V | 16 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | 2GX72 | 72 | 154618822656 бит | Двойной банк страниц взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HVS51272PZ-80EM1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70 ° C. | 0 ° C. | CMOS | Синхронно | 18,05 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | /files/microntechnologyinc-mt36hvs51272pz80em1-datasheets-1924.pdf | 240-RDIMM | 133,35 мм | 1,8 В. | 240 | 240 | 1 | Самостоятельно обновление; WD-MAX | 400 МГц | 1 | НЕТ | Двойной | Нет лидерства | 1,8 В. | Коммерческий | 1,9 В. | 1,7 В. | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 72b | 800 мт/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | Двойной банк страниц взрыва | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfdhbl512tdq-1at12atyy | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | M500IT | -40 ° C ~ 105 ° C. | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 3 недели | 512 ГБ | Flash - nand (TLC) | 2 ГБ/с | 1,55 ГБ/с | BGA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHBA800TDG-1AW1ZABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK1T0TBN-1AR12ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | CMOS | ROHS3 соответствует | 2017 | 1,98 унции 56 г | 8542.31.00.01 | 5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 ТБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK2T0TDL-1AW15ABHA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1300 | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2 ТБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 520 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfddav1t9tds-1AW16abyy | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfdhal2t4mcf-1an1zabyy | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | 9100 | 0 ° C ~ 85 ° C. | 100,50 ммх69,85 ммх15,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 12 недель | 8542.32.00.71 | 12 В | 2,4 ТБ | Flash - nand (MLC) | 3,0 ГБ/с | 2,0 ГБ/с | U.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAA240MBB-2AE1ZABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M500DC | 0 ° C ~ 70 ° C. | 78,50 ммх54,00 ммх .5,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | 5,35 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | Модуль | 78,5 мм | 54 мм | 16 | 7 недель | неизвестный | 8542.31.00.01 | ДА | 3,3 В. | Верхний | Нет лидерства | 3,3 В. | R-Xuuc-N16 | 240 ГБ | Flash - nand (MLC) | 750 Мбит / с | 425 Мбит / с | ATA-8; ACS-2 | 425 МБ/с | 330 МБ/с | 1.8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK1T0MBF-1AN1ZABLA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M600 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | 70 ° C. | 0 ° C. | ROHS3 соответствует | 7 недель | 2,29 унции 65,25 г | 5 В | 1 ТБ | Flash - nand (MLC) | 560 МБ/с | 510 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK480MBP-1AN1ZABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M510DC | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | 7 мм | ROHS3 соответствует | 100,5 мм | 69,85 мм | 22 | 12 недель | неизвестный | 8542.31.00.01 | 1 | ДА | 5 В | Верхний | Нет лидерства | R-Xuuc-N22 | 480 ГБ | Flash - nand (MLC) | 5 В | 420 МБ/с | 380 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV256TBN-1AR1ZABHA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх2,15 мм | ROHS3 соответствует | 5 недель | 0,353 унции 10 г | 3,3 В. | 256 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | M.2 Модуль | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK256TBN-1AR1ZABLA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | ROHS3 соответствует | 5 недель | 1,98 унции 56 г | 5 В | 256 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV512TDL-1AW1ZABGA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1300 | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 5 недель | 512 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 520 МБ/с | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHBA512TCK-1AS15ABHA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | 2200 | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 512 ГБ | Flash - nand (TLC) | 3 ГБ/с | 1,6 ГБ/с | M.2 Модуль | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK064MBD-1AH12ITYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | M500IT | -40 ° C ~ 85 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | CMOS | ROHS3 соответствует | 2016 | 5 недель | 2,65 унции 75,51 г | 8542.31.00.01 | 5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 64 ГБ | Flash - nand (MLC) | 500 МБ/с | 130 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV480TDS-1AW16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV512TBN-1AR1ZABHA | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх2,15 мм | ROHS3 соответствует | 5 недель | 0,353 унции 10 г | 3,3 В. | 512 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | M.2 Модуль | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK480TDT-1AW1ZABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfdhba1t0tck-1at1aabda | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Nvme | 2200 | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 6 недель | 1 ТБ | Flash - nand (TLC) | 3 ГБ/с | 1,6 ГБ/с | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK1T9TDD-1AT16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5200 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 5 недель | 5 В 12 В. | 1,92 ТБ | Flash - nand (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK1T9TDN-1AT1ZABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 5 недель | 5 В 12 В. | 1,92 ТБ | Flash - nand (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfddak7t6qde-2av1zabyy | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5210 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 5 недель | 7,68 ТБ | Flash - nand (QLC) | 540 МБ/с | 360 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK3T8TDD-1AT16ABYY | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 5100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,45mmx69.85mmx7,00 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 8 недель | 5 В 12 В. | 3,84 ТБ | Flash - nand (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDBAA030MAE-1C1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA II | C200 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 78,50 ммх54,00 ммх .5,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 3,3 В. | Модуль | 5 мм | Сата | неизвестный | 3,3 В. | 30 ГБ | Flash - nand (MLC) | 170 МБ/с | 45 МБ/с | 1.8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAT064MAM-1J1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | C400V | 0 ° C ~ 70 ° C. | 50,80 ммх29,85 ммх3,75 мм | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 2012 | /files/microntechnologyinc-mtfddat064mam1j1-datasheets-2607.pdf | Модуль | 3,3 В. | Сата | 64 ГБ | Flash - nand (MLC) | Нет | 500 МБ/с | 95 МБ/с | Msata | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtfdgar700SAH-1N1AB | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | P320H | 0 ° C ~ 50 ° C. | 167,65mmx68,90mmx18,71 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | ROHS3 соответствует | 2015 | 12 В | Модуль | 4,77 унции 135,3 г | PCIE | неизвестный | 12 В | 700 ГБ | Flash - nand (SLC) | 3,2 ГБ/с | 1,9 ГБ/с | PCIE 2.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK256MAM-1K1 | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | C400 | Винт | 0 ° C ~ 70 ° C. | 100,50 ммх69,85 ммх7,00 мм | 1 (неограниченный) | CMOS | 7 мм | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mtfddac128mam1j1-datasheets-2591.pdf | Модуль | 100,2 мм | 69,85 мм | 5 В | 22 | 2 ТБ | Нет | 1 | Неуказано | R-xxma-n | 256 ГБ | Flash - nand (MLC) | 5 В | 500 МБ/с | 260 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV256TBN-1AR1ZABCB | Микрон технологии | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 1100 | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх2,15 мм | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 4 недели | 3,3 В. | 256 ГБ | Flash - nand (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | M.2 Модуль |
