Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМикрон Технология(4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT18HTF25672PY-40EA2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-РДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 400 МГц | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-53ED3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hdy53eb3-datasheets-4368.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 533 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472AY-40ED4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ay53ed1-datasheets-4791.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 400 МГц | 9 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 60 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-667D3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-SODIMM | 67,6 мм | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 667 МГц | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,6 мм | 200 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 8 | DRAM | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 64MX64 | 4294967296 бит | 0,056А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864AY-800D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HVF12872Y-40ED1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18hvf12872py667d1-datasheets-9983.pdf | 240-РДИММ | 18 мм | Без свинца | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16JTF25664AY-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16jtf25664ay1g4d1-datasheets-0055.pdf | 240-УДИММ | 240 | 240 | неизвестный | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | DRAM | 1,53,3 В | 4,64 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 667 МГц | 256MX64 | 64 | 17179869184 бит | 0,16 А | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HDY-667E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hdy53eb3-datasheets-4368.pdf | 200-SODIMM | 1,8 В | 200 | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 667 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 2,16 мА | Не квалифицирован | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 64 | 0,056А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT6464AY-40BK1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf | 184-УДИММ | 2,6 В | 184 | 2,7 В | 2,5 В | 184 | Нет | 400 МГц | ДВОЙНОЙ | 2,6 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 16 | DRAM | 2,56 мА | 512 МБ | ГДР SDRAM | 64б | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,064А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5VDDT1672AY-335K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272ag40bf1-datasheets-4288.pdf | 184-УДИММ | 2,5 В | 184 | 2,7 В | 2,3 В | 184 | 333 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5 | DRAM | 2,2 мА | Не квалифицирован | 128 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 16MX72 | 72 | 0,02 А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDF6464HY-40BK1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddf12864hg335f2-datasheets-4338.pdf | 200-SODIMM | 200 | 200 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 225 | 2,6 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | DRAM | 2,6 В | 2,56 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,064А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF12872PDZ-667G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872pdz667g1-datasheets-0274.pdf | 240-РДИММ | 1,8 В | 240 | 1,9 В | 1,7 В | 240 | да | Нет | 667 МГц | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 18 | DRAM | 1,32 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | 0,126А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF51272PZ-1G6M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf51272pz1g6m1-datasheets-0309.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,5 В | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1,6 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | 1,5 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,575 В | 1,425 В | Другие микросхемы памяти | 7,83 мА | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 800 МГц | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | 0,216А | 0,225 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF51272PZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf51272pz1g6m1-datasheets-0309.pdf | 240-РДИММ | 1,5 В | 240 | 1,575 В | 1,425 В | 240 | да | Нет | 1,333 ГГц | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 225 | 1,5 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | Другие микросхемы памяти | 6,93 мА | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 667 МГц | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | 0,216А | 0,255 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KSF51272PZ-1G4M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microntechnologyinc-mt18ksf25672pz1g4g1-datasheets-0311.pdf | 240-РДИММ | 1,35 В | 240 | Нет | 1,333 ГГц | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF12864AZ-800C1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF25664HZ-667C1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf25664hz667c1-datasheets-0432.pdf | 200-SODIMM | 200 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT12832UY-6F1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6432uy5k1-datasheets-0148.pdf | 100-UDIMM | 2,5 В | 100 | 2,7 В | 2,3 В | 100 | 333 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 1,64 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700 пс | 167 МГц | 64MX32 | 32 | 0,04 А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36RTF51272FDZ-667H1D6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 240-ФБДИММ | 240 | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF12872PZ-667H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 18 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472fy53eb4d3-datasheets-4969.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,8 В | 240 | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 667 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 9 | Другие микросхемы памяти | 1,665 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 128MX72 | 72 | 0,063А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||
| MT9JSF12872AZ-1G6G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microntechnologyinc-mt9jsf12872az1g4g1-datasheets-0514.pdf | 240-УДИММ | 240 | 1 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872FZ-80EH1N8 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872fz667h1n8-datasheets-0532.pdf | 240-ФБДИММ | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT12872AG-40BJ1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vddt12872ay40bj1-datasheets-0392.pdf | 184-УДИММ | 2,6 В | 184 | Нет | 400 МГц | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 72б | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4KSF12864HZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microntechnologyinc-mt4ksf12864hz1g1d1-datasheets-0582.pdf | 204-SODIMM | 67,6 мм | 30 мм | 1,35 В | 204 | 1,45 В | 1,283 В | 204 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1,333 ГГц | неизвестный | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ЗИГ-ЗАГ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,5 В | 0,6 мм | 204 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 4 | DRAM | Не квалифицирован | 1 ГБ | DDR3L SDRAM | 1333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 667 МГц | 64 | ОБЩИЙ | 8192 | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||
| MT4KTF25664AZ-1G6P1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt4ktf25664az1g6p1-datasheets-0662.pdf | 240-УДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4KTF25664HZ-1G6P1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt4ktf25664hz1g6p1-datasheets-0686.pdf | 204-УДИММ | 5 недель | 204 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА36АСФ4Г72ЛЗ-2Г3Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72lz2g3a1-datasheets-0699.pdf | 288-LRDIMM | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 288 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | 4GX72 | 72 | 309237645312 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА72АСС8Г72ЛЗ-2Г3А1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta72ass8g72lz2g3a1-datasheets-0717.pdf | 288-LRDIMM | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 6 недель | 288 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | неизвестный | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | 64 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | 4GX72 | 72 | 309237645312 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF25672PDZ-1G4G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf25672pdz1g6g1-datasheets-0670.pdf | 240-РДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF51272PDZ-1G6M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf51272pdz1g1d1-datasheets-0324.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,5 В | 240 | 1,575 В | 1,425 В | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1,6 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ЗИГ-ЗАГ | 260 | 1,5 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 18 | Другие микросхемы памяти | 4,023 мА | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 800 МГц | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | 0,216А | 0,225 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ |
