Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Микрон Технология

Микрон Технология(4828)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Устанавливать Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/кейс Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Напряжение Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Код JESD-30 Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Скорость Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем Время доступа Организация Ширина памяти Плотность памяти Тип микросхемы памяти Режим доступа Максимальная скорость передачи данных хоста
MTA18ASF1G72AZ-2G6B1 МТА18АСФ1Г72АЗ-2Г6Б1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) КМОП СИНХРОННЫЙ 31,4 мм Соответствует ROHS3 /files/microntechnologyinc-mta18asf1g72az2g3b1-datasheets-0689.pdf 288-УДИММ 133,35 мм 3,9 мм 288 288 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,2 В ДРУГОЙ 85°С 1,26 В 1,14 В 8 ГБ DDR4 SDRAM 2666МТ/с 1GX72 72 77309411328 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MTA16ATF2G64AZ-2G3B1 МТА16АТФ2Г64АЗ-2Г3Б1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) КМОП СИНХРОННЫЙ 31,4 мм Соответствует ROHS3 2017 год 288-УДИММ 133,35 мм 3,9 мм 288 5 недель 288 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,2 В ДРУГОЙ 85°С 1,26 В 1,14 В 16 ГБ DDR4 SDRAM 2400 МТ/с 2GX64 64 137438953472 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MTA9ASF51272PZ-2G6B1 MTA9ASF51272PZ-2G6B1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) КМОП СИНХРОННЫЙ 31,4 мм Соответствует ROHS3 2017 год /files/microntechnologyinc-mta9asf51272pz2g6b1-datasheets-0721.pdf 288-РДИММ 133,35 мм 3,9 мм 288 5 недель 288 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,2 В ДРУГОЙ 85°С 1,26 В 1,14 В 4ГБ DDR4 SDRAM 2666МТ/с 512MX72 72 38654705664 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
MTA4ATF51264HZ-2G1B1 MTA4ATF51264HZ-2G1B1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2017 год /files/microntechnologyinc-mta4atf51264hz2g1b1-datasheets-0732.pdf 260-SODIMM 5 недель 260 4ГБ DDR4 SDRAM 2133МТ/с
MTA18ASF2G72PKTZ-2G6B1 МТА18АСФ2Г72ПКТЗ-2Г6Б1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) КМОП СИНХРОННЫЙ 30,15 мм Соответствует ROHS3 /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pktz2g6b1-datasheets-1096.pdf 288-МиниRDIMM 80 мм 4 мм 288 5 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,2 В 0,5 мм ПРОМЫШЛЕННЫЙ 85°С -40°С 1,26 В 1,14 В R-XDMA-N288 16 ГБ DDR4 SDRAM 2666МТ/с 2GX72 72 154618822656 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MTA9ASF1G72HZ-2G6E1 MTA9ASF1G72HZ-2G6E1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) КМОП СИНХРОННЫЙ 30,13 мм Соответствует ROHS3 69,6 мм 3,7 мм 260 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,2 В ДРУГОЙ 95°С 1,26 В 1,14 В Р-XDMA-N260 1GX72 72 77309411328 бит МОДУЛЬ DDR DRAM ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
MTA36ASF4G72PZ-2G6H1 MTA36ASF4G72PZ-2G6H1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g1b1-datasheets-0706.pdf 288-РДИММ 32 ГБ DDR4 SDRAM 2666МТ/с
MT18JSF25672AZ-1G4J2 MT18JSF25672AZ-1G4J2 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 /files/microntechnologyinc-mt18jsf25672az1g4j2-datasheets-1237.pdf 240-УДИММ 5 недель 2 ГБ DDR3 SDRAM 1333 МТ/с
MT152KLS8G72M2Z-1G6N1B5 TR МТ152КЛС8Г72М2З-1Г6Н1Б5 ТР Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3
MT18JSF1G72PDZ-1G9N1 MT18JSF1G72PDZ-1G9N1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) КМОП СИНХРОННЫЙ 30,5 мм Соответствует ROHS3 /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72pdz1g9n1-datasheets-1296.pdf 240-РДИММ 133,35 мм 4 мм 240 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 8542.32.00.36 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,5 В 1 мм КОММЕРЧЕСКИЙ 70°С 1,575 В 1,425 В Р-XDMA-N240 8 ГБ DDR3 SDRAM 1866МТ/с 1GX72 72 77309411328 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MT18KDF51272PZ-1G6M1 МТ18КДФ51272ПЗ-1Г6М1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mt18kdf51272pz1g6m1-datasheets-1328.pdf 240-РДИММ 240 4ГБ DDR3 SDRAM 1600 МТ/с
MT72KSZS4G72LZ-1G4D1B3 МТ72КСЗС4Г72ЛЗ-1Г4Д1Б3 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 240-LRDIMM 240 32 ГБ DDR3L SDRAM 1333 МТ/с
MT36JSF51272PZ-1G4G1 MT36JSF51272PZ-1G4G1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 30,5 мм Соответствует ROHS3 240-РДИММ 133,35 мм 1,5 В 240 240 1 EAR99 Нет 1,333 ГГц 8542.32.00.36 1 е4 ЗОЛОТО НЕТ ДВОЙНОЙ 1,5 В 240 КОММЕРЧЕСКИЙ 1,575 В 1,425 В 4ГБ DDR3 SDRAM 72б 1333 МТ/с 512MX72 72 38654705664 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MT18KSF1G72HZ-1G4D1 МТ18КСФ1Г72ХЗ-1Г4Д1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Розетка 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2013 год 204-SODIMM 1,35 В Без свинца 1,45 В 1,283 В 204 Нет 1,333 ГГц 18 8 ГБ DDR3L SDRAM 72б 1333 МТ/с
MT8LSDT1664HY-13EL1 MT8LSDT1664HY-13EL1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Розетка 1 (без ограничений) 70°С 0°С 133 МГц Соответствует ROHS3 2002 г. /files/microntechnologyinc-mt8lsdt3264hg133d2-datasheets-4689.pdf 144-SODIMM 3,3 В 3,6 В 144 Нет 133 МГц 8 128 МБ SDRAM 64б 133 МГц
MT18JSF1G72AZ-1G6E1 MT18JSF1G72AZ-1G6E1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72az1g6d1-datasheets-0712.pdf 240-УДИММ 1,5 В 240 800 МГц 8 ГБ DDR3 SDRAM 72б 1600 МТ/с
MT18JDF1G72PZ-1G9E1 MT18JDF1G72PZ-1G9E1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mt18jdf1g72pz1g9e1-datasheets-1526.pdf 240-РДИММ 1,5 В 240 934,579 МГц 8 ГБ DDR3 SDRAM 72б 1866МТ/с
MT18KSF51272PZ-1G4K1 MT18KSF51272PZ-1G4K1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/microntechnologyinc-mt18ksf25672pz1g4g1-datasheets-0311.pdf 240-РДИММ 240 666,6 МГц 4ГБ DDR3L SDRAM 72б 1333 МТ/с
MT4LSDT1664HY-13EG1 MT4LSDT1664HY-13EG1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Розетка 3 (168 часов) 65°С 0°С 133 МГц Соответствует ROHS3 2002 г. /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664hg13ed1-datasheets-4598.pdf 144-SODIMM 3,3 В 3,6 В 144 Нет 133 МГц 4 128 МБ SDRAM 64б 133 МГц 5,4 нс
MT9KDF25672PZ-1G4K1 MT9KDF25672PZ-1G4K1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 18,9 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mt9kdf25672pz1g4d1-datasheets-0512.pdf 240-РДИММ 133,35 мм 1,35 В 240 240 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 1,5 В; WD-MAX Нет 1,333 ГГц 8542.32.00.36 1 НЕТ ДВОЙНОЙ 1,35 В 1 мм КОММЕРЧЕСКИЙ 1,45 В 1,283 В 2 ГБ DDR3L SDRAM 72б 1333 МТ/с 256MX72 72 19327352832 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
MT9JSF25672PZ-1G6K1 MT9JSF25672PZ-1G6K1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 30,5 мм Соответствует ROHS3 2015 год /files/microntechnologyinc-mt9jsf25672pz1g4d1-datasheets-0536.pdf 240-РДИММ 133,35 мм 1,5 В 240 12 недель 240 1 САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 1,6 ГГц 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,5 В КОММЕРЧЕСКИЙ 1,575 В 1,425 В 2 ГБ DDR3 SDRAM 72б 1600 МТ/с 256MX72 72 19327352832 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
MT9KDF51272PZ-1G4E1 MT9KDF51272PZ-1G4E1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 18,9 мм Соответствует ROHS3 133,35 мм 1,35 В 240 240 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 1,5 В; WD-MAX Нет 1,333 ГГц 8542.32.00.36 1 НЕТ ДВОЙНОЙ 1,35 В 1 мм КОММЕРЧЕСКИЙ 1,45 В 1,283 В 4ГБ DDR3 SDRAM 72б 1333 МТ/с 512MX72 72 38654705664 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
MT36KDZS2G72PZ-1G6E1 МТ36КДЗС2Г72ПЗ-1Г6Е1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Розетка 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/microntechnologyinc-mt36kdzs2g72pz1g4e1-datasheets-1652.pdf 240-РДИММ 240 1,6 ГГц 36 16 ГБ DDR3L SDRAM 1600 МТ/с
MTEDCAR016SAJ-1N2 MTEDCAR016SAJ-1N2 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) КМОП 9,7 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf 3,3 В Модуль 36,9 мм 26,6 мм 10 USB 128 ГБ 8542.31.00.01 3,3 В ДА НЕУКАЗАНО НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН 3,3 В КОММЕРЧЕСКИЙ 70°С НЕ УКАЗАН Р-XXMA-N10 16 ГБ ФЛЕШ-NAND (SLC) КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ 30 МБ/с
MT8HTF12864HDZ-800M1 MT8HTF12864HDZ-800M1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 30,15 мм Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt8htf12864hdz800m1-datasheets-1735.pdf 200-SODIMM 67,6 мм 1,8 В 200 200 1 EAR99 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX Нет 400 МГц 8542.32.00.36 1 НЕТ ДВОЙНОЙ 1,8 В КОММЕРЧЕСКИЙ 1,9 В 1,7 В 1 ГБ DDR2 SDRAM 64б 800 МТ/с 128MX64 64 8589934592 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MT18HVS25672PKZ-80EM1 МТ18ХВС25672ПКЗ-80ЭМ1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 18,3 мм Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt18hvs51272pkz80ec1-datasheets-0278.pdf 244-МиниRDIMM 82 мм 1,8 В 244 12 недель 244 1 EAR99 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX Нет 400 МГц 8542.32.00.36 1 НЕТ ДВОЙНОЙ 1,8 В КОММЕРЧЕСКИЙ 1,9 В 1,7 В 2 ГБ DDR2 SDRAM 72б 800 МТ/с 256MX72 72 19327352832 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MT16KTF1G64AZ-1G9E1 МТ16КТФ1Г64АЗ-1Г9Е1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2015 год /files/microntechnologyinc-mt16ktf51264az1g6m1-datasheets-0210.pdf 240-УДИММ 240 8 ГБ DDR3L SDRAM 1866МТ/с
MT9KDF51272AZ-1G6P1 MT9KDF51272AZ-1G6P1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 3 (168 часов) КМОП СИНХРОННЫЙ 18,9 мм Соответствует ROHS3 /files/microntechnologyinc-mt9kdf51272az1g6p1-datasheets-1784.pdf 240-УДИММ 133,35 мм 2,7 мм 240 5 недель 240 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,35 В 1 мм КОММЕРЧЕСКИЙ 70°С 1,45 В 1,283 В 4ГБ DDR3L SDRAM 1600 МТ/с 512MX72 72 38654705664 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
MTA8ATF1G64AZ-2G3B1 МТА8АТФ1Г64АЗ-2Г3Б1 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Розетка 3 (168 часов) 95°С 0°С Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mta8atf1g64az2g3h1-datasheets-1167.pdf 288-УДИММ 1,2 В 5 недель 1,26 В 1,14 В 288 8 ГБ DDR4 SDRAM 64б 2400 МТ/с
MTA8ATF51264HZ-2G3A2 MTA8ATF51264HZ-2G3A2 Микрон Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Розетка 3 (168 часов) 95°С 0°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/microntechnologyinc-mta8atf51264hz2g3a2-datasheets-1816.pdf 260-SODIMM 1,2 В 260 Золото 1,2048 ГГц 4ГБ DDR4 SDRAM 2400 МТ/с

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.