Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМикрон Технология(4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный ток питания | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Режим доступа | Максимальная скорость передачи данных хоста | Скорость - Чтение | Скорость — запись | Форм-фактор |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МТА18АСФ2Г72ПДЗ-2Г6Х1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pdz2g6h1tr-datasheets-1259.pdf | 288-РДИММ | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18КДФ51272ПДЗ-1Г4М1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 18,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18kdf51272pdz1g4m1-datasheets-1324.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 4 мм | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 1,5 В; WD-MAX | 8542.32.00.36 | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,45 В | 1,283 В | Р-XDMA-N240 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1333МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT1664HY-335M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 31,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-datasheets-4060.pdf | 200-SODIMM | 67,6 мм | 2,5 В | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 333 МГц | 1 | ЗИГ-ЗАГ | 2,5 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 4 | 128 МБ | ГДР SDRAM | 64б | 333 МТ/с | 64 | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KSF25672HZ-1G4G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 204-SODIMM | 1,35 В | Без свинца | 1,45 В | 1,283 В | 204 | Нет | 1,333 ГГц | 18 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9KSF25672AZ-1G4M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt9ksf25672az1g6m1-datasheets-1384.pdf | 240-УДИММ | 133,35 мм | 1,35 В | 1,45 В | 1,283 В | 240 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 1,333 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | 1,35 В | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 9 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333МТ/с | 256MX72 | 72 | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT12832UY-40BJ1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 100-UDIMM | 2,5 В | 100 | Нет | 512 МБ | ГДР SDRAM | 32б | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18ХВС25672ПКЗ-80ЭХ2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt18hvs51272pkz80ec1-datasheets-0278.pdf | 244-МиниRDIMM | 244 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18КСФ1Г72ПДЗ-1Г4Е1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18ksf51272pdz1g4m1-datasheets-1336.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,35 В | 240 | 1,45 В | 1,283 В | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 1,5 В; WD-MAX | 1,333 ГГц | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1333МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36JSF1G72PZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt36jsf1g72pz1g4d1-datasheets-1342.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,5 В | 240 | 240 | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1,333 ГГц | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,5 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,575 В | 1,425 В | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1333МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36JDZS2G72PZ-1G9E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microntechnologyinc-mt36hvzs1g72pz667c1-datasheets-1573.pdf | 240-РДИММ | 1,5 В | 240 | 934,579 МГц | 16 ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1866МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF25632HZ-667H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 200-SODIMM | Без свинца | 200 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT1664AY-133G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 65°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt864ay13el1-datasheets-1631.pdf | 168-УДИММ | 3,3 В | Без свинца | 168 | 3,6 В | 3В | 168 | Нет | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 4 | DRAM | 1,08 мА | 128 МБ | SDRAM | 64б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 64 | 0,008А | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36КСС2Г72РХЗ-1Г6Е1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt36kss2g72rhz1g6e1-datasheets-1662.pdf | 204-SODIMM | 67,6 мм | 204 | 204 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | Золото | 800 МГц | неизвестный | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,45 В | 1,283 В | 16 ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | 2GX72 | 72 | 154618822656 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBE004SAJ-1N2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 32 ГБ | 8542.31.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 5В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 30 | Р-XXMA-N10 | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBR004SAJ-1N2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | USB | 32 ГБ | 8542.31.00.01 | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | Р-XXMA-N10 | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF51272PZ-80EM1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt36htf51272pz80em1-datasheets-1730.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,8 В | 240 | 5 недель | 240 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 400 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472RHZ-667H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872rhz80em1-datasheets-1727.pdf | 200-СОРДИММ | 1,8 В | 12 недель | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Золото | 333,33 МГц | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 72б | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9KSF51272PZ-1G6P1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mt9ksf51272pz1g6p1-datasheets-1763.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 4 мм | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,45 В | 1,283 В | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF6464HZ-800M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt4htf3264hz800h1-datasheets-1757.pdf | 200-SODIMM | 1,8 В | 12 недель | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Золото | 400 МГц | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА18АДФ1Г72ПЗ-2Г3Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 18,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mta18adf1g72pz2g3b1-datasheets-1796.pdf | 288-РДИММ | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 4 недели | 288 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА16АТФ1Г64АЗ-2Г1А2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mta16atf1g64az2g3a2-datasheets-1802.pdf | 288-УДИММ | 1,2 В | 1,26 В | 1,14 В | 288 | Золото | 1,07526 ГГц | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 64б | 2133МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA8ATF51264HZ-2G1A2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta8atf51264hz2g3a2-datasheets-1816.pdf | 260-SODIMM | 1,2 В | 1,26 В | 1,14 В | 260 | Золото | 1,07527 ГГц | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36JSF2G72PZ-1G6P1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mt36jsf2g72pz1g9n1-datasheets-0700.pdf | 240-РДИММ | 12 недель | 240 | 16 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ16КТФ1Г64АЗ-1Г6Н1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 240 | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAK480TCB-1AR1ЗАБЫЙ | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | 5100 | 0°С~70°С | 100,45x69,85x7,00 мм | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 11 недель | 2,47 унции 70,38 г | 8542.31.00.01 | 5В 12В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 480 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 540 МБ/с | 410 МБ/с | 2,5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHBK512TDP-AAT12AIYYES | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | NVMe | М500ИТ | -40°К~95°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 512 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 2 ГБ/с | 1,55 ГБ/с | Модуль М.2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDDAV1T0TBN-1AR12ABYY | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | 1100 | 0°С~70°С | 80,00 ммx22,00 ммx2,30 мм | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 5 недель | 0,353 унции 10 г | 8542.31.00.01 | 3,3 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 ТБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 530 МБ/с | 500 МБ/с | Модуль М.2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТФДДАК960ТДН-1АТ1ЗАБЫЙ | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | 5100 | 0°С~70°С | 100,45x69,85x7,00 мм | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 5 недель | 5В 12В | 960 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 540 МБ/с | 520 МБ/с | 2,5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHBG1T9TDF-1AW1ZABYY | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDHAK800MCG-1AN1ZABYY | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | NVMe | 7100 | 0°С~70°С | 100,24x69,85x7,00 мм | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | да | неизвестный | 8542.31.00.01 | 12 В | 800 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 12 В | 2,5 ГБ/с | 900 МБ/с | Модуль U.2 |
