Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактATP Electronics, Inc. (2830)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Рабочая температура | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Время выполнения завода | Масса | Количество булавок | Достичь кода соответствия | HTS -код | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | UPS/UCS/Периферический тип ICS | Макс передачи данных хоста | Стандарт интерфейса хоста | Скорость - читать | Скорость - написать | Форм -фактор |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AF16GSDI-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | SLC | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-af16gsdioem-datasheets-3183.pdf | 10 недель | 16 ГБ | SDHC ™ | Класс 10 | |||||||||||||||||||||||||
| Af8gcfi-oem | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | SLC | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-af32gcfp7oem-datasheets-9884.pdf | 8 недель | неизвестный | 8542.31.00.01 | ДА | Верхний | Нет лидерства | R-xuuc-n | 8 ГБ | Compactflash® | Вторичный контроллер хранения, накопитель флэш -памяти | 61 Мбит / с | Ата | |||||||||||||||||
| AF4GSD3A-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -25 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | 85 ° C. | -25 ° C. | AMLC | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-af4gud3aoem-datasheets-2324.pdf | 10 недель | 4ГБ | SD ™ | Класс 10 | |||||||||||||||||||||||
| AF4GUFP1SV-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | USB 2.0 | 0 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 6 недель | 0,282 унции 8,0 г | 4ГБ | Flash - nand (MLC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Af8gufp3nc (i) -oem | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | USB 2.0 | -40 ° C ~ 85 ° C. | 26,60 мм LX12,00 мм WX4.50 мм ч | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-af1gufndncioem-datasheets-2934.pdf | 6 недель | 0,282 унции 8,0 г | 8 ГБ | Flash - nand (SLC) | 21 МБ/с | 16 МБ/с | ||||||||||||||||||||||
| Af4gssel-oem | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA II | -40 ° C ~ 85 ° C. | 54,00 ммх39,00 ммх .4,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 6 недель | 5 В | 4ГБ | Flash - nand (SLC) | 112 МБ/с | 91 МБ/с | Слим-сата | |||||||||||||||||||||||
| AF16GSMGH-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 0 ° C ~ 70 ° C. | 36,90mmx26.60mmx8.40mm | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 6 недель | 16 ГБ | Flash - nand (MLC) | 30 МБ/с | 22 МБ/с | Диск на модуле, EUSB | |||||||||||||||||||||||||
| AF512GSMIC-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх3,50 мм | 2016 | 6 недель | 512 ГБ | Flash - nand (MLC) | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||
| AF8GSSEH-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 6 недель | 8 ГБ | Flash - nand (SLC) | Диск на модуле, Sata Dom | ||||||||||||||||||||||||||||
| AF128GSMIA-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | -40 ° C ~ 85 ° C. | 42,00 ммх22,00 ммх .3,50 мм | 2016 | 6 недель | 128 ГБ | Flash - nand (MLC) | M.2 Модуль | |||||||||||||||||||||||||||
| Af2gufedbk (i) -8aaxx | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4B08QD8BNPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24P64B8BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24P6418BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4D08Q28BLPBME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||
| A4K08Q28BLPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 288-Miniudimm | 6 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AW24P7248BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-RDIMM | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW24P64F8BLK0MW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 240-уседания | 6 недель | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||
| AL24M72B8BLF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AL24P72B8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AL24P7218BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4D16Q28BNPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24P64B8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW48M7228BNF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 16 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AW24P64F8BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AL24P7218BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW24P7228BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-aw24p7228blk0m-datasheets-3672.pdf | 204-Sodimm | 6 недель | 204 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | |||||||||||||||||||||||||
| AW56P6438BKK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Непригодный | 204-Udimm | 6 недель | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ56P72D8BKH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ56M72X8BKH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 2 ГБ |
