Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактATP Electronics, Inc. (2830)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Рабочая температура | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Высота | Время выполнения завода | Масса | PBFREE CODE | Количество функций | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Скорость - читать | Скорость - написать | Форм -фактор |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AL12P72B8BKK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4C08QD8BNRCSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12M64B8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12M64F8BKK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AL56P72K8BKK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ56M6418BKH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12P64B8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12M64F8BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AF16GCS-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 0 ° C ~ 70 ° C. | MLC | 2016 | 10 недель | 16 ГБ | Cast | ||||||||||||||||||||||||||||
| Af4gudi-oem | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | SLC | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-af512udioem-datasheets-2216.pdf | 10 недель | да | 1 | ДА | Верхний | Нет лидерства | X-xuuc-n | 4ГБ | MicroSD ™ | 4GX8 | 8 | 34359738368 бит | ||||||||||||||||
| AF8GSD3-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -25 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | MLC | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-af16gsdioem-datasheets-3183.pdf | 10 недель | 8 ГБ | SDHC ™ | Класс 10 | ||||||||||||||||||||||||
| AF256UDI-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 1 (неограниченный) | SLC | ROHS COMPARINT | 10 недель | 256 МБ | MicroSD ™ | |||||||||||||||||||||||||||
| Af1gufedbk (i) -oem | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | USB 2.0 | Endura ™ | -40 ° C ~ 85 ° C. | 33,70 мм LX17.50 мм WX9,40 мм ч | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 9,4 мм | 6 недель | 0,282 унции 8,0 г | 1 ГБ | Flash - nand (SLC) | 21 МБ/с | 16 МБ/с | |||||||||||||||||||||
| AF2GSSGH-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | -40 ° C ~ 85 ° C. | 36,90mmx26.60mmx11.50mm | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 8 недель | 5 В | 2 ГБ | Flash - nand (SLC) | 30 МБ/с | 27 МБ/с | Диск на модуле, EUSB | |||||||||||||||||||||||
| AF64GSSCJ-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | -40 ° C ~ 85 ° C. | 100,0mmx69.90mmx9,20 мм | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2015 | 8 недель | 64 ГБ | Flash - nand (SLC) | 520 МБ/с | 420 МБ/с | 2.5 | ||||||||||||||||||||||
| AF64GSAEL-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA II | 0 ° C ~ 70 ° C. | 54,00 ммх39,00 ммх .4,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | 6 недель | 64 ГБ | Flash - nand (MLC) | 250 МБ/с | 190 МБ/с | Слим-сата | ||||||||||||||||||||||
| AF8GSACD-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA II | 0 ° C ~ 70 ° C. | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | 6 недель | 8 ГБ | Flash - nand (MLC) | 250 МБ/с | 180 МБ/с | 2.5 | |||||||||||||||||||||||
| AF128GSMIC-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 ммх22,00 ммх3,50 мм | 2016 | 6 недель | 128 ГБ | Flash - nand (MLC) | M.2 Модуль | ||||||||||||||||||||||||||
| AF512GSMEL-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA III | -40 ° C ~ 85 ° C. | 54,00 ммх39,00 ммх .4,00 мм | 2016 | 6 недель | 512 ГБ | Flash - nand (MLC) | Слим-сата | ||||||||||||||||||||||||||
| AF8GSAEL-OEM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SATA II | 0 ° C ~ 70 ° C. | 54,00 ммх39,00 ммх .4,00 мм | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2016 | 6 недель | 8 ГБ | Flash - nand (MLC) | 250 МБ/с | 190 МБ/с | Слим-сата | ||||||||||||||||||||||
| A4D08Q38BNRCSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | |||||||||||||||||||||||||||||
| AW24M64F8BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 8 ГБ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24P64B8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AW24M7228BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ROHS COMPARINT | 240-уседания | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| A4G08QE8BLPBME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 260-удруча | 6 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24P72E8BLF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24P72Y8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28L64Z8BHC4M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 2015 | 6 недель | 1 ГБ | DDR SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AL24P72B8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| A4B08QC4BLPBME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s |
