Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактATP Electronics, Inc. (2830)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Рабочая температура | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Время выполнения завода | Масса | Количество булавок | Напряжение - поставка | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | Ток - макс | Скорость - читать | Скорость - написать | Форм -фактор | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Al24m72l8blmam | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1866mt/s | ||||||||||||||||||||||
| AQ48M72E8BNF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 16 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||||||||||
| AY48P7288BNH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Miniudimm | 6 недель | 16 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||||||||||
| AL24M72B8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | |||||||||||||||||||||||
| AW12P6438BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsinc-aw12p6438blk0m-datasheets-3749.pdf | 204-Sodimm | 6 недель | 204 | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | |||||||||||||||||
| AJ28K64J8BJF7M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 мт/с | ||||||||||||||||||||||
| AQ56P72D8BKF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AY56M7268BKF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Miniudimm | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AQ56P64A8BKK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||||||||||
| AW56M7258BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-RDIMM | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AL56P72A8BKK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AL56P72A8BKH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||||||||||
| AW12M6438BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Udimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AW12M7218BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Udimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AQ12P6418BKF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AW12P7218BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AQ12P72X8BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AQ12P72X8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AW12P64B8BLMAMW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 6 недель | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1866mt/s | |||||||||||||||||||||||
| AW12P7218BLMAMW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1866mt/s | ||||||||||||||||||||||
| AL12P72L8BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| A4F16QG8BNWEME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | 260-удруча | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||||
| AF64GUD4A-BBBXM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -25 ° C ~ 85 ° C. | PSLC | 64 ГБ | MicroSDXC? | Класс 10, класс EHS 3 | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||
| Af1gufndnc (i) -aaaxx | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | USB 2.0 | - | -40 ° C ~ 85 ° C. | 0,282 унции (8,0 г) | 1 ГБ | Flash - nand (SLC) | 31 МБ/с | 21 МБ/с | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||
| AF240GSTIA-7BFXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | 0 ° C ~ 70 ° C. | 42,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 240 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||||||||
| AF16GUD3A-WAAXX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -25 ° C ~ 85 ° C. | AMLC | 16 ГБ | MicroSDHC? | UHS класс 1 | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||
| AF480GSTIC-7BEIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | -40 ° C ~ 85 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 480 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||
| AF480GSTHI-7BEXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | 0 ° C ~ 70 ° C. | 50,80 мм x 29,85 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 480 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | Msata | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||
| AF8GUD3A-WAAXX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -25 ° C ~ 85 ° C. | AMLC | 8 ГБ | MicroSDHC? | UHS класс 1 | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||
| AF480GSTCJ-7BDIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600SI | -40 ° C ~ 85 ° C. | 100,00 мм x 69,85 мм x 7,00 мм | - | 5 В | 480 ГБ | Solid State Drive (SSD) Flash - NAND | - | 560 МБ/с | 500 МБ/с | 2.5 " | ATP Electronics, Inc. |
