Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактATP Electronics, Inc. (2830)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Рабочая температура | Размер / измерение | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Время выполнения завода | Масса | Количество булавок | Напряжение - поставка | Размер памяти | Тип памяти | Скорость | Ток - макс | Скорость - читать | Скорость - написать | Форм -фактор | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AQ48M64B8BNF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 16 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||||||||||
| AQ48P72E8BNK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 16 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 мт/с | ||||||||||||||||||||||
| AQ24M72Y8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| A4F08QD8BNPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 2015 | /files/atpelectronicsInc-a4f08qd8bnpbse-datasheets-3717.pdf | 260-Sodimm | 6 недель | 260 | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133mt/s | |||||||||||||||||
| AW56M6438BKF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AQ56M64A8BKF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||||||||||
| AQ56P72D8BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||||||||||
| AQ56M72D8BKK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Не совместимый с ROHS | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | |||||||||||||||||||||||
| AQ56P72D8BKF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AL56P72A8BKH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 2 ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AW12M6438BLF8M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Udimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AW12P6438BLH9S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 204-Udimm | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| A4D04Q38BLRCME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | ||||||||||||||||||||||
| A4K04Q18BLPBSE | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 288-Miniudimm | 6 недель | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 мт/с | ||||||||||||||||||||||
| AQ12P72D8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AQ12M72D8BLH9M | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AW12M64B8BLMAMW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 6 недель | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1866mt/s | |||||||||||||||||||||||
| AL12M72A8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| AW12P7218BLH9MW | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 240-уседания | 6 недель | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1333mt/s | ||||||||||||||||||||||
| AL12M72L8BKF8S | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Модуль | 6 недель | 4ГБ | ||||||||||||||||||||||||
| A4D16QB8BNWEME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | 288-удруча | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||||
| AF8GUD4A-BBBXM | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | -25 ° C ~ 85 ° C. | PSLC | 8 ГБ | MicroSDHC? | Класс 10, класс EHS 3 | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||
| A4G16QE8BNWEME | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | - | 260-so-udimm | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||||||||||
| AF960GSTIC-7BFXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 960 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||
| AF480GSTJA-8BEIX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Nvme | N600S | -40 ° C ~ 85 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 480 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 3,42 ГБ/с | 3,05 ГБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||
| AF120GSTIC-7BEXP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | 0 ° C ~ 70 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 120 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||
| AF120GSTHI-7BEIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | -40 ° C ~ 85 ° C. | 50,80 мм x 29,85 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 120 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 440 МБ/с | Msata | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||
| AF240GSTCJ-7BFIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | SATA III | A600S | -40 ° C ~ 85 ° C. | 100,00 мм x 69,90 мм x 9,20 мм | - | 5 В | 240 ГБ | Твердотельный привод (SSD) Flash - NAND (TLC) | - | 560 МБ/с | 500 МБ/с | 2.5 " | ATP Electronics, Inc. | |||||||||||||||
| CF3T84STKA-CBAIX | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | * | ATP Electronics, Inc. | ||||||||||||||||||||||||||
| AF240GSTJA-8BDIP | ATP Electronics, Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | Nvme | N650SI | -40 ° C ~ 85 ° C. | 80,00 мм x 22,00 мм x 3,50 мм | - | 3,3 В. | 240 ГБ | Solid State Drive (SSD) Flash - NAND | - | 3,4 ГБ/с | 1,17 ГБ/с | M.2 Модуль | ATP Electronics, Inc. |
