Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Особенность | Терминал отделки | Приложения | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение – нагрузка | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Напряжение пробоя | Пороговое напряжение | Конфигурация выхода | Защита от неисправностей | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Рассеиваемая мощность-Макс. | Ограничение пикового выходного тока-ном. | Время подъема/спада (типичное) | Ток – пиковый выход | Выходной ток на канал | Драйвер высокой стороны | Тип канала | Ток — выход/канал | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – VIL, VIH | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Тип нагрузки | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7366DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si7366dpt1ge3-datasheets-2897.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,7 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C5 | 21 нс | 16 нс | 16 нс | 58 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 1,7 Вт Та | 50А | 0,0055Ом | 20 В | N-канал | 5,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13А Та | 25 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBC40STRR | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfbc40spbf-datasheets-1879.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | нет | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 6.2А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 3,1 Вт Ta 130 Вт Tc | 25А | 570 мДж | N-канал | 1300пФ при 25В | 1,2 Ом при 3,7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,2 А Тс | 60 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBF20STRL | Вишай Силиконикс | 0,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 490пФ | 8 нс | 21нс | 32 нс | 56 нс | 1,7 А | 20 В | 900В | 3,1 Вт Та 54 Вт Тс | 8Ом | 900В | N-канал | 490пФ при 25В | 8 Ом при 1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,7 А Тс | 38 нК при 10 В | 8 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR014TRR | Вишай Силиконикс | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr014trlpbf-datasheets-8479.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 300пФ | 7,7А | 60В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 300пФ при 25В | 200 мОм при 4,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7,7 А Тс | 11 нК при 10 В | 200 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR214TRL | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu214pbf-datasheets-4957.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-Пак | 140пФ | 2.2А | 250 В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 140пФ при 25В | 2 Ом при 1,3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,2 А Тс | 8,2 нК при 10 В | 2 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9014NTRR | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9014trpbf-datasheets-0184.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 5.1А | 60В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | P-канал | 270пФ при 25В | 500 мОм при 3,1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5.1А Тс | 12 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFZ14STRR | Вишай Силиконикс | 0,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz14spbf-datasheets-7501.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | 300пФ | 10А | 60В | 3,7 Вт Та 43 Вт Тс | N-канал | 300пФ при 25В | 200 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 10А Тс | 11 нК при 10 В | 200 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP41109DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sip41109dyt1e3-datasheets-5412.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 3,18 мм | 3,9 мм | 8 | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 10,8 В~13,2 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | СИП41109 | 8 | 40 | Драйверы МОП-транзисторов | 0,2 А | 45 нс 35 нс | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 800мА 1А | 48В | 1В 4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ34Л | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz34strlpbf-datasheets-9466.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262-3 | 1,2 нФ | 30А | 60В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | N-канал | 1200пФ при 25В | 50 мОм при 18 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Тс | 46 нК при 10 В | 50 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4117A | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | 50 мА | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | Нет | 300мВт | Одинокий | 300мВт | ТО-206АФ (ТО-72) | 3пФ | -40В | -40В | 300мВт | 11 кОм | N-канал | 3пФ @ 10В | 600 мВ при 1 нА | 40В | 30 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI520G | Вишай Силиконикс | $4,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi520g-datasheets-4976.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220-3 | 360пФ | 8,8 нс | 30 нс | 20 нс | 19 нс | 7.2А | 20 В | 100 В | 37 Вт Тс | 270мОм | N-канал | 360пФ при 25В | 270 мОм при 4,3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7,2 А Тс | 16 нК при 10 В | 270 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4392 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Нет | 1,8 Вт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 14пФ | 25 мА | -40В | -40В | 1,8 Вт | 60Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 25 мА при 20 В | 60 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛЗ34Л | Вишай Силиконикс | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlz34spbf-datasheets-5430.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262-3 | 1,6 нФ | 30А | 60В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 50 мОм при 18 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 30А Тс | 35 нК при 5 В | 50 мОм | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4857JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ3102L | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irl3102-datasheets-0738.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262-3 | 2,5 нФ | 61А | 20 В | 89 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 15В | 13 мОм при 37 А, 7 В | 700 мВ при 250 мкА | 61А Тк | 58 нК при 4,5 В | 13 мОм | 4,5 В 7 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5115JTXL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 18 недель | ТО-206АА (ТО-18) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФИ620 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi620gpbf-datasheets-3357.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ТО-220-3 | 260пФ | 4.1А | 200В | 30 Вт Тс | N-канал | 260пФ при 25В | 800 мОм при 2,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4.1А Тс | 14 нК при 10 В | 800 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| У430-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-u430e3-datasheets-4252.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | Без свинца | 7 | 9 недель | Неизвестный | 6 | да | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 8 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Малый сигнал общего назначения на полевом транзисторе | Не квалифицирован | О-MBCY-W7 | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | -35В | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА B | 2,5 пФ | 2 N-канала (двойной) | 5пФ @ 10В | 1 В при 1 нА | 25 В | 12 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7382DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7382dpt1e3-datasheets-6112.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 8 | 506,605978мг | 4,7 мОм | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 18 нс | 16 нс | 16 нс | 67 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30 В | 1,8 Вт Та | 24А | 50А | 45 мДж | N-канал | 4,7 мОм при 24 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А Та | 40 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U430 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-u430e3-datasheets-4252.pdf | 10 мА | ТО-78-6 Металлическая банка | 7 | 500мВт | Двойной | 500мВт | ТО-78-6 | 5пФ | 30 мА | -25В | -25В | 500мВт | 2кОм | 2 N-канала (двойной) | 5пФ @ 10В | 1 В при 1 нА | 25 В | 12 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8407DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8407dbt2e1-datasheets-6218.pdf | 6-МИКРО ФУТ®CSP | 2,3876 мм | 355,6 мкм | 2,0066 мм | Без свинца | 6 | 27мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1,47 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 нс | 45нс | 45 нс | 520 нс | -8,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 1,47 Вт Та | 5,8А | -20В | P-канал | 27 мОм при 1 А, 4,5 В | 900 мВ при 350 мкА | 5,8А Та | 50 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ4118-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200,998119мг | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 350 мВт | Одинокий | 300мВт | Другие транзисторы | 80 мкА | -40В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 3пФ @ 10В | 1 В при 1 нА | 40В | 80 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE820DF-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie820dft1ge3-datasheets-4394.pdf | 10-ПоларПАК® (С) | 4 | 10 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 40 | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-N4 | 35 нс | 10 нс | 55 нс | 50А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 5,2 Вт Та 104 Вт Тс | 136А | 80А | 0,0035Ом | 45 мДж | N-канал | 4300пФ при 10 В | 3,5 мОм при 18 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 50А Тс | 143 нК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5116JTX02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 13 недель | 3 | Одинокий | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ412ДК-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sib412dkt1e3-datasheets-6377.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | 1,6 мм | 750 мкм | 1,6 мм | 95,991485мг | 34мОм | 1 | Одинокий | PowerPAK® SC-75-6L Одиночный | 535пФ | 6,6 нс | 16 нс | 14 нс | 50 нс | 9А | 8В | 20 В | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 34мОм | 20 В | N-канал | 535пФ при 10 В | 34 мОм при 6,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А Тц | 10,16 нК при 5 В | 34 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC830AED-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | /files/vishaysiliconix-sic830aedt1ge3-datasheets-2915.pdf | 19 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1046R-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1046rt1ge3-datasheets-0104.pdf | СК-75А | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 250мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 17 нс | 19нс | 19 нс | 76 нс | 606мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250мВт Та | 0,42 Ом | 20 В | N-канал | 66пФ при 10 В | 420 мОм при 606 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 1,49 нК при 5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC634CD-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | VRPower® | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sic634cdt1ge3-datasheets-7820.pdf | PowerPAK® MLP55-31L | 16 недель | ШИМ | Схема начальной загрузки | Синхронные понижающие преобразователи, регуляторы напряжения | 4,5 В~5,5 В | PowerPAK® MLP55-31L | 4,5 В~24 В | Половина моста | УВЛО | 55А | 50А | Индуктивный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA408DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-sia408djt1ge3-datasheets-0264.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | Неизвестный | 36мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 3,4 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | S-XDSO-C3 | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 35 нс | 4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 В | 3,4 Вт Ta 17,9 Вт Tc | 20А | 30 В | N-канал | 830пФ при 15В | 1,6 В | 36 мОм при 5,3 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 24 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC772CD-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДрМОС | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sic772cdt1ge3-datasheets-0674.pdf | Модуль 40-PowerWFQFN | 6 мм | Нет СВХК | 40 | ШИМ | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | Схема начальной загрузки, эмуляция диода, флаг состояния | Синхронные понижающие преобразователи | 4,5 В~5,5 В | 4,5 В~24 В | Половина моста | Перегрев, прострел, UVLO | 40А | Индуктивный |
