Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Количество входов | Выход | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выключения-Макс. | Отрицательное напряжение питания-Макс (Vsup) | Отрицательное напряжение питания-мин (Vsup) | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Напряжение питания, двойное (В±) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 9204201ЕА | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | 5,08 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 16 | 44В | 13В | 1 | 900мВт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 2,54 мм | 16 | 8 | ОДНОСТОРОННИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | НЕ УКАЗАН | 1 | 20 В | 5В | -15В | 30 мА | 100Ом | 75 дБ | 15Ом | 225 нс | 8:1 | ±15 В | 500пА | 3пФ 26пФ | 150 нс, 150 нс | 20 шт. | 15 Ом (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihb24n65ege3-datasheets-2054.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 14 недель | 1,437803г | Неизвестный | 145 мОм | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Д2ПАК | 2,74 нФ | 24 нс | 84нс | 69 нс | 70 нс | 24А | 20 В | 650В | 2В | 250 Вт Тс | 145 мОм | 650В | N-канал | 2740пФ при 100В | 145 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 24А Тк | 122 нК при 10 В | 145 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9562302XA | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHG61N65EF-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihg61n65efge3-datasheets-2352.pdf | ТО-247-3 | 3 | 21 неделя | НЕТ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 520 Вт Тс | ТО-247АС | 64А | 199А | 0,047Ом | 1142 мДж | N-канал | 7407пФ при 100 В | 47 мОм при 30,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 64А Тк | 371 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8671602ЕА | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | КРИС | Содержит свинец | 16 | 25 В | 13В | 16 | 4 | ДВОЙНОЙ | 15 В | 16 | ВОЕННЫЙ | СПСТ | 900мВт | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | Не квалифицирован | 22В | 7В | -15В | 4 | 75Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 65нс | Северная Каролина | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFBF20LPBF | Вишай Силиконикс | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-irfbf20lpbf-datasheets-9860.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,67 мм | 9,65 мм | 4,83 мм | Без свинца | 8 недель | 2.387001г | 8Ом | Нет | 1 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | И2ПАК | 490пФ | 8 нс | 21нс | 32 нс | 56 нс | 1,7 А | 20 В | 900В | 3,1 Вт Та 54 Вт Тс | 8Ом | 900В | N-канал | 490пФ при 25В | 8 Ом при 1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,7 А Тс | 38 нК при 10 В | 8 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM188BCC | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHP25N50E-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-sihp25n50ege3-datasheets-3910.pdf | ТО-220-3 | 19,89 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 6.000006г | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | 150°С | Р-ПСФМ-Т3 | 19 нс | 36нс | 29 нс | 57 нс | 26А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт Тс | ТО-220АБ | 50А | 273 мДж | 500В | N-канал | 1980пФ при 100В | 145 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 26А Тк | 86 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2706DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2706dnt1e4-datasheets-4510.pdf | 16-WFQFN | 2,6 мм | 750 мкм | 1,8 мм | 1 мкА | 16 | 57,09594 мг | 4,3 В | 1,65 В | 5,5 Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 525 МВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,15 В | ДГ2706 | 16 | 1 | 30 | 525 МВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3,15 В | Не квалифицирован | 45 нс | 35 нс | Одинокий | 8 | 4 | 5,5 Ом | 70 дБ | 0,3 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 55нс | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 5нА | 16пФ | 45 нс, 35 нс | 3 шт. | 300 м Ом | -90 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHB33N60EF-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sihb33n60efge3-datasheets-4589.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 14 недель | 1,946308 г | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 28 нс | 43нс | 48 нс | 161 нс | 33А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 278 Вт Тс | 0,098Ом | N-канал | 3454 пФ при 100 В | 98 мОм при 16,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 33А Тц | 155 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411LDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg411ldqt1-datasheets-8917.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5,08 мм | 920 мкм | 4,4 мм | Без свинца | 1 мкА | 172,98879мг | 12 В | 2,7 В | 50Ом | 16 | Нет | 450мВт | ДГ411 | 4 | 450мВт | 4 | 16-ЦСОП | 280 МГц | СПСТ | 50 нс | 35 нс | 6В | Двойной, Одинарный | 3В | 4 | 4 | 17Ом | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 5пФ 6пФ | 19нс, 12нс | 5 шт. | -95 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4434DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4434dyt1e3-datasheets-5004.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | 16 нс | 23нс | 19 нс | 47 нс | 2.1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,56 Вт Та | 250 В | N-канал | 155 мОм при 3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2.1А Та | 50 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ2001ДВ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 10нА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg2001dvt1e3-datasheets-5296.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | 1 мкА | 6 | 14 недель | 19,986414мг | 5,5 В | 1,8 В | 7Ом | 6 | да | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 570мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2В | 0,95 мм | ГД2001 | 6 | 1 | 30 | 570мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 37 нс | 27 нс | Одинокий | 2 | 1 | 7Ом | 71 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 33нс | 53нс | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 900пА | 17пФ | 20 нс, 10 нс | 7 шт. | -70 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR014 | Вишай Силиконикс | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlu014pbf-datasheets-7963.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | Неизвестный | 3 | Нет | Одинокий | Д-Пак | 400пФ | 9,3 нс | 110 нс | 26 нс | 17 нс | 7,7А | 10 В | 60В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 200мОм | 60В | N-канал | 400пФ при 25В | 2 В | 200 мОм при 4,6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 7,7 А Тс | 8,4 нК при 5 В | 200 мОм | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2307DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2307dlt1ge3-datasheets-7701.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1 мкА | 6 | 5,5 В | 2В | 20Ом | 6 | да | Нет | 1 | 10 мкА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | ДГ2307 | 6 | 2 | 40 | 250мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 250 МГц | 5,9 нс | 5,9 нс | Одинокий | 2 | 1 | 12Ом | 58 дБ | 0,31 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 2В~5,5В | SPDT | 100нА | 6,5 пФ | 2,6 нс, 2,6 нс | 7 шт. | 320 м Ом | -58,7 дБ при 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ457ЕДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sib457edkt1ge3-datasheets-8372.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | Без свинца | 3 | 14 недель | 95,991485мг | Неизвестный | 35мОм | 6 | да | EAR99 | Олово | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 2,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | S-XDSO-N3 | 340 нс | 900 нс | 1,9 мкс | 3 мкс | -9А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | -1В | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 9А | 25А | P-канал | 35 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А Тц | 44 нК при 8 В | 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ2521ДВ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 22 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg2521dvt1e3-datasheets-5374.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 22 мкА | 6 | 5,5 В | 1,8 В | 800мОм | 6 | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С 5 В. | неизвестный | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 570мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,95 мм | ДГ2521 | 6 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | 1 | Не квалифицирован | 40 МГц | 25 нс | 45 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 800мОм | 51 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 2нА | 50пФ | 25 нс, 35 нс | 224ПКС | 60 м Ом (макс.) | -57 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4435DDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4435ddyt1ge3-datasheets-8870.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 24мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | 42 нс | 35 нс | 16 нс | 40 нс | -11,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | -3В | 2,5 Вт Та 5 Вт Тс | -30В | P-канал | 1350пФ при 15В | 24 мОм при 9,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 11,4 А Тс | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG4052AEN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | -1мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg4051aent1e4-datasheets-4533.pdf | 16-WFQFN | 2,6 мм | 750 мкм | 1,8 мм | 450 МГц | Без свинца | 1 мкА | 16 | Неизвестный | 12 В | 2,7 В | 100Ом | 16 | да | 2 | ДА | 525 МВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,4 мм | ДГ4052 | 16 | 4 | 40 | 525 МВт | 2 | Не квалифицирован | 151 нс | 138 нс | 5В | 3В | Мультиплексор | 172 нс | Двойной, Одинарный | 2,5 В | -3В | 8 | 100Ом | 67 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 103нс | 119 нс | 2,7 В~12 В ±2,5 В~5 В | 4:1 | СП4Т | 1нА | 3пФ 7пФ | 108нс, 92нс | 0,25ПК | 3 Ом | -67 дБ при 10 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ2303ES-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq2303est1ge3-datasheets-1807.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 3 | Нет | 1,9 Вт | 1 | ТО-236 (СОТ-23) | 5 нс | 8нс | 8 нс | 12 нс | 2,5 А | 20 В | 30 В | 1,9 Вт Тс | P-канал | 210пФ при 25В | 170 мОм при 1,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 6,8 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2736DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg2735dnt1e4-datasheets-4508.pdf | 10-UFQFN | 1,8 мм | 550 мкм | 1,4 мм | 1 мкА | 10 | 7,002332мг | 4,3 В | 1,65 В | 500мОм | 10 | да | неизвестный | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 208мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | ДГ2736 | 10 | 1 | 40 | 208мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3В | Не квалифицирован | 50 МГц | 78 нс | 58 нс | Одинокий | 4 | 2 | 500мОм | 70 дБ | 0,06 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 60нс | 80нс | 2:1 | 1,65 В~4,3 В | SPDT | 2нА | 55пФ | 78нс, 58нс | 60 м Ом | -70 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA817EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sia817edjt1ge3-datasheets-3022.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 14 недель | да | EAR99 | Нет | Двойной | 6,5 Вт | 20нс | 10 нс | 23 нс | 4,5 А | 12 В | 30 В | 1,9 Вт Ta 6,5 Вт Tc | -30В | P-канал | 600пФ при 15В | 65 мОм при 3 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 23 нК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ3408ДБ-Т2-Е1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | БИКМОС | 1 мкА | 0,753 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg3408dbt2e1-datasheets-5460.pdf | 16-ВФБГА | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 16 | 12 В | 2,7 В | 7Ом | 16 | да | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 719 МВт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 5В | 0,5 мм | ДГ3408 | 16 | 8 | 40 | 719 МВт | 1 | 162 нс | 97 нс | 6В | 5В | Мультиплексор | 165 нс | Двойной, Одинарный | 3В | -5В | 8 | 7Ом | 3,6 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 94нс | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 8:1 | 2нА | 21пФ 211пФ | 70 нс, 44 нс | 29ПК | 3,6 Ом (макс.) | -85 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2328DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si2328dst1ge3-datasheets-5062.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,12 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 1,437803г | Неизвестный | 250мОм | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 730мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 150°С | 7 нс | 11нс | 11 нс | 9 нс | 1,15 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 4В | 730мВт Та | 100 В | N-канал | 2 В | 250 мОм при 1,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,15 А Та | 5 нК @ 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG3157DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg3157dlt1ge3-datasheets-5486.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1 мкА | 6 | 14 недель | 5,5 В | 1,65 В | 15Ом | 6 | да | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | ДГ3157 | 6 | 1 | 40 | 250мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 300 МГц | 10,2 нс | 10,2 нс | Одинокий | 2 | 1 | 15Ом | 58 дБ | 0,31 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,65 В~5,5 В | SPDT | 7пФ | 25 нс, 21 нс | 7 шт. | 800 м Ом | -64 дБ при 10 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7326DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7326dnt1ge3-datasheets-6495.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,3 мм | 1,04 мм | 3,3 мм | 5 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | S-XDSO-C5 | 8 нс | 12нс | 12 нс | 32 нс | 10А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | 6,5 А | 40А | 30 В | N-канал | 1,8 В | 19,5 мОм при 10 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6,5 А Та | 13 нК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG459DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 100 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg458dj-datasheets-2781.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | Без свинца | 100 мкА | 16 | 1,627801г | 36В | 13В | 1,5 кОм | 16 | да | АКТИВНАЯ ЗАЩИТА ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ | 1 | 50 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ459 | 16 | 4 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | 250 нс | 250 нс | 22В | Мультиплексор | 500 нс | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 1,5 кОм | 90 дБ | 90Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | -18В | -4,5 В | 4:1 | СП4Т | ±4,5 В~18 В | 1нА | 5пФ 10пФ | 250 нс, 250 нс | 90 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sq4431eyt1ge3-datasheets-7356.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 6 Вт | 1 | 8-СО | 1,265 нФ | 10 нс | 12нс | 15 нс | 33 нс | 10,8А | 20 В | 30 В | -1,5 В | 6 Вт Тк | 30мОм | -30В | P-канал | 1265пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,8 А Тс | 25 нК при 10 В | 30 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9433DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg9433dqt1e3-datasheets-5516.pdf | СОТ-23-8 | 2,9 мм | 1,2 мм | 1,65 мм | -1мкА | 8 | 40,001177мг | 12 В | 2,7 В | 60Ом | 8 | да | Нет | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 515 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | ДГ9433 | 8 | 1 | 10 | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | СПСТ | 35 нс | 18 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 30Ом | 77 дБ | 0,4 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 100 нс | 1:1 | 2,7 В~12 В | СПСТ - НЕТ | 1нА | 7,5 пФ 7,8 пФ | 35 нс, 18 нс | 0,36 пКл | 300 м Ом | -96 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ423EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | $36,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqj423ept1ge3-datasheets-8262.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 12 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 40В | 68 Вт Тк | P-канал | 4500пФ при 25В | 14 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 55А Тс | 130 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
