Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Напряжение — вход | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Тип поставки | Функция | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Количество входов | Выход | Используемая микросхема/деталь | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Нормальное положение | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Ток - Выход | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Поставляемый контент | Основная цель | Максимальный ток сигнала | Номинальный объем | Тип платы | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Выходы и тип | Топология регулятора | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DG9232DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg9233dyt1-datasheets-2750.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 3 мм | 850 мкм | 3 мм | 1 мкА | 8 | 14 недель | 139,989945мг | 12 В | 2,7 В | 30Ом | 8 | да | неизвестный | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | ДГ9232 | 8 | 1 | 40 | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | Не квалифицирован | СПСТ | 75 нс | 50 нс | Одинокий | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 30Ом | 30Ом | 74 дБ | 0,4 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 1:1 | 2,7 В~12 В | СПСТ - НК | 100пА | 7пФ 13пФ | 75 нс, 50 нс | 2 шт. | 400 м Ом | -90 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4850BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si4850bdyt1ge3-datasheets-7901.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 8-СО | 60В | 2,5 Вт Ta 4,5 Вт Tc | 16мОм | N-канал | 790пФ при 30 В | 19,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 8,4 А Та 11,3 А Тс | 17 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9263DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg9263dy-datasheets-2747.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 8 | 540,001716мг | 12 В | 2,7 В | 60Ом | 8 | да | Нет | 2 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | ДГ9263 | 8 | 1 | 40 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | СПСТ | 75 нс | 50 нс | Одинокий | 2 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 60Ом | 74 дБ | 0,4 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 1:1 | 2,7 В~12 В | СПСТ - НЕТ | 100пА | 7пФ | 75 нс, 50 нс | 2 шт. | 400 м Ом | -90 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7772DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7772dpt1ge3-datasheets-9107.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 13МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 3,9 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 35,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 В | 3,9 Вт Ta 29,8 Вт Tc | 50А | 30 В | N-канал | 1084пФ при 15В | 2,5 В | 13 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 35,6 А Тс | 28 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG611AEQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg612aent1e4-datasheets-7227.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5,08 мм | 920 мкм | 4,4 мм | 100 мкА | 12 недель | 172,98879мг | 12 В | 2,7 В | 72Ом | 16 | да | Нет | 450мВт | ДГ611 | 16 | 450мВт | 720 МГц | СПСТ | 55 нс | 35 нс | 5В | Двойной, Одинарный | 2,7 В | 4 | 115Ом | 2,7 В~12 В ±2,7 В~5 В | 1:1 | СПСТ - НК | 100пА | 2пФ 3пФ | 55 нс, 35 нс | 1 шт. | 700 м Ом | -90 дБ @ 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR110TRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-irfr110trpbf-datasheets-0113.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,507 мм | 6,22 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 540мОм | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 150°С | Д-Пак | 180пФ | 6,9 нс | 16нс | 9,4 нс | 15 нс | 4.3А | 20 В | 100 В | 2В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 540мОм | 100 В | N-канал | 180пФ при 25В | 4 В | 540 мОм при 2,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,3 А Тс | 8,3 нК при 10 В | 540 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ407БДВ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 30 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg406bdnt1e3-datasheets-9186.pdf | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 17,91 мм | 2,34 мм | 7,49 мм | 15 В | 500 мкА | 28 | 10 недель | 792,000628мг | 36В | 7,5 В | 100Ом | да | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 450мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | ДГ407 | 28 | 8 | 40 | 2 | Не квалифицирован | 125 нс | 94 нс | 20 В | Мультиплексор | 148 нс | Двойной, Одинарный | 5В | -15В | 60Ом | 86 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 0,03 А | 8:1 | 500пА | 6пФ 54пФ | 107 нс, 88 нс | 11 шт. | 3 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ456ДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sib456dkt1ge3-datasheets-1763.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | 1,7 мм | 800 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 14 недель | 95,991485мг | Неизвестный | 185МОм | 6 | EAR99 | Нет | 1 | Одинокий | 2,4 Вт | Полномочия общего назначения FET | 15 нс | 45нс | 13 нс | 11 нс | 6.3А | 20 В | 1,6 В | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 100 В | N-канал | 130пФ при 50В | 185 мОм при 1,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,3 А Тс | 5 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP32429EVB | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sip32419dnt1ge4-datasheets-4738.pdf | 8 недель | Переключатель распределения питания (выключатель нагрузки) | СИП32429 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5476DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si5476dut1ge3-datasheets-5799.pdf | 8-PowerVDFN | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-N3 | 10 нс | 15нс | 10 нс | 22 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 25А | 0,034Ом | 60В | N-канал | 1100пФ при 30В | 34 мОм при 4,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Тс | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC461EVB | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sic464edt1ge3-datasheets-4714.pdf | 17 недель | 4,5 В~60 В | SIC461 | 10А | Совет(ы) | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7421DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si7421dnt1e3-datasheets-6759.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 25мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 10 нс | 13нс | 13 нс | 57 нс | -9,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1,5 Вт Та | 6,4А | 30А | -30В | P-канал | 25 мОм при 9,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6.4А Та | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC474EVB-B | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | /files/vishaysiliconix-sic473evbb-datasheets-7874.pdf | 9 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | $6,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq4470eyt1ge3-datasheets-7011.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 1 | 8-СО | 3,165 нФ | 13 нс | 12нс | 9 нс | 25 нс | 16А | 20 В | 60В | 3В | 7,1 Вт Тс | 12мОм | 60В | N-канал | 3165пФ при 25В | 3 В | 12 мОм при 6 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 16А Тс | 68 нК при 10 В | 12 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V30432-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIJ438DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sij438dpt1ge3-datasheets-7903.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 80А | 40В | 69,4 Вт Тс | N-канал | 9400пФ при 20 В | 1,35 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 80А Тс | 182 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФП31Н50ЛПБФ | Вишай Силиконикс | $4,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfp31n50l-datasheets-5920.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 8 недель | 38.000013г | Неизвестный | 180мОм | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 460 Вт | 1 | ТО-247-3 | 5нФ | 28 нс | 115 нс | 53 нс | 54 нс | 31А | 30 В | 500В | 5В | 460 Вт Тс | 180мОм | 500В | N-канал | 5000пФ при 25В | 5 В | 180 мОм при 19 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 31А Тц | 210 нК при 10 В | 180 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | $4,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq4483beeyt1ge3-datasheets-8469.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 7 Вт Тк | P-канал | 8,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22А Тк | 113 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA444DJT-T4-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sia444djtt1ge3-datasheets-2722.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Одиночный | 30 В | 3,5 Вт Та 19 Вт Тс | N-канал | 560пФ при 15В | 17 мОм при 7,4 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11А Та 12А Тс | 15 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛЗ14СТРЛПБФ | Вишай Силиконикс | 4,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlz14spbf-datasheets-8912.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 11 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Д2ПАК | 400пФ | 9,3 нс | 110 нс | 26 нс | 17 нс | 10А | 10 В | 60В | 3,7 Вт Та 43 Вт Тс | 200мОм | N-канал | 400пФ при 25В | 200 мОм при 6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 10А Тс | 8,4 нК при 5 В | 200 мОм | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛР120ПБФ | Вишай Силиконикс | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlr120trlpbf-datasheets-9045.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 8 недель | 1,437803г | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Д-Пак | 490пФ | 9,8 нс | 64нс | 27 нс | 21 нс | 7,7А | 10 В | 100 В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | 270мОм | N-канал | 490пФ при 25В | 270 мОм при 4,6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 7,7 А Тс | 12 нК при 5 В | 270 мОм | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR872ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir872adpt1ge3-datasheets-9670.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 14 недель | Нет СВХК | 18МОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 240 | Одинокий | 40 | 6,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С5 | 10 нс | 7 нс | 15 нс | 53,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 4,5 В | 6,25 Вт Та 104 Вт Тс | 45 мДж | N-канал | 1286пФ при 75В | 18 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 53,7А Тс | 47 нК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF820ASPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-irf820alpbf-datasheets-4820.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 3Ом | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Д2ПАК | 340пФ | 8,1 нс | 12нс | 13 нс | 16 нс | 2,5 А | 30 В | 500В | 4,5 В | 50 Вт Тс | 3Ом | N-канал | 340пФ при 25В | 3 Ом @ 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 17 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ85Н15-19-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sum85n1519e3-datasheets-1034.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,41 мм | 4,826 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 14 недель | 1,437803г | Неизвестный | 19мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | 85А | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 150 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 175°С | Р-ПССО-Г2 | 22 нс | 170 нс | 170 нс | 40 нс | 85А | 20 В | 150 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 3,75 Вт Та 375 Вт Тс | 130 нс | 150 В | N-канал | 4750пФ при 25В | 2 В | 19 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 85А Тс | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФИБЕ20ГПБФ | Вишай Силиконикс | 2,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfibe20g-datasheets-8616.pdf | 800В | 1,4 А | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 6,5 Ом | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 30 Вт | 1 | ТО-220-3 | 530пФ | 8,2 нс | 17нс | 27 нс | 58 нс | 1,4 А | 20 В | 800В | 4В | 30 Вт Тс | 6,5 Ом | 800В | N-канал | 530пФ при 25В | 6,5 Ом при 840 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,4 А Тс | 38 нК при 10 В | 6,5 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si4114dyt1e3-datasheets-4177.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 6МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 30 нс | 13нс | 30 нс | 60 нс | 20А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,1 В | 2,5 Вт Ta 5,7 Вт Tc | 20 В | N-канал | 3700пФ при 10 В | 6 м Ом при 10 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 20А Тс | 95 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ840ПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/vishaysiliconix-irf840-datasheets-7243.pdf | 500В | 8А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 11 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | 3 | 1 | Одинокий | 125 Вт | 1 | 14 нс | 23нс | 20 нс | 49 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 125 Вт Тс | ТО-220АБ | 970 нс | 8А | 0,85 Ом | 500В | N-канал | 1300пФ при 25В | 4 В | 850 мОм при 4,8 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 8А Тк | 63 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4459bdyt1ge3-datasheets-3519.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 8-СО | 30 В | 3,1 Вт Ta 5,6 Вт Tc | P-канал | 3490пФ при 15 В | 4,9 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20,5 А Та 27,8 А Тс | 84 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7111EDN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 3,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen III | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7111ednt1ge3-datasheets-8071.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 14 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -60А | 30 В | -1,6 В | 52 Вт Тс | P-канал | 5860пФ при 15 В | 8,55 мОм при 15 А, 4,5 В | 1,6 В @ 250 мкА | 60А Тс | 46 нК при 2,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7738DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-si7738dpt1ge3-datasheets-5509.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5,4 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 5,4 Вт Та 96 Вт Тс | 7,7А | 45 мДж | 150 В | N-канал | 2100пФ при 75В | 38 мОм при 7,7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Тс | 53 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
