Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактVishay Siliconix (12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Эксплуатационный ток снабжения | Операционный режим | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Операционное напряжение питания | Пропускная способность | Свободно привести | Максимальный ток снабжения | Количество терминаций | Время выполнения завода | Масса | Достичь SVHC | Максимальное напряжение снабжения | Мин напряжения питания | Сопротивление | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Контакт | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток снабжения | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Максимальная диссипация власти | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Температура | Количество каналов | Аналоговый IC - другой тип | Конфигурация элемента | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Питания | Количество схем | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | -3DB полосы пропускания | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Время падения (тип) | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Максимальное напряжение двойного питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | Задержка распространения | Тип поставки | Мин двойное напряжение питания | Отрицание напряжения подачи-нома (vsup) | DS Breakdown Trastage-Min | Количество выходов | Высокий выходной ток | Пороговое напряжение | Power Dissipation-Max | Jedec-95 код | Количество входов | Выход | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Сопротивление в штате (макс) | Утечь к сопротивлению источника | Вне государственного изоляции-нома | Сопротивление в штате | Переключение | Отключить время-макс | Время включения | Нормальное положение | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Напряжение - подача, одно/двойной (±) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Номинальные VGS | Мультиплексор/демольтиплексный схема | Напряжение - подача, одиночный (V+) | Переключить цепь | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | RDS на макс | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) | Ток - утечка (is (off)) (макс) | Емкость канала (CS (OFF), CD (OFF)) | Время переключения (тонна, тофф) (макс) | Зарядка впрыска | Сопоставление канала к каналу (ΔRON) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHD6N65E-GE3 | Вишай Силиконикс | $ 1,10 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление через отверстие | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihd6n65ege3-datasheets-5134.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | Свободно привести | 2 | 14 недель | Неизвестный | 3 | да | Нет | Крыло Печата | Одинокий | 78 Вт | 1 | R-PSSO-G2 | 14 нс | 12NS | 20 нс | 30 нс | 7A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 2 В | 78W TC | До 252AA | 7A | 0,6 Ом | 56 MJ | 650 В. | N-канал | 820pf @ 100v | 600 м ω @ 3A, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7A TC | 48NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411LEDJ-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | 5,08 мм | ROHS3 соответствует | 2016 | /files/vishaysiliconix-dg412ledyt1ge3-datasheets-1089.pdf | 16-PowerDIP (0,300, 7,62 мм) | 20,13 мм | 7,62 мм | 16 | 16 недель | 26ohm | 16 | 4 | Чистый матовый олово (SN) | НЕТ | Двойной | НЕ УКАЗАН | 5 В | 1 | НЕ УКАЗАН | 4 | -5V | 26ohm | 68 дБ | 60ns | 3 В ~ 16 В ± 3 В ~ 8 В | 1: 1 | Spst - nc | 1NA | 5pf 6pf | 50ns, 30ns | 6,6 шт | -114DB @ 1MHZ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7868ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trenchfet® | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | /files/vishaysiliconix-si7868adpt1e3-datasheets-5408.pdf | PowerPak® SO-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Свободно привести | 5 | 14 недель | 506.605978mg | Неизвестный | 2.25MOM | 8 | да | Ear99 | Нет | E3 | Матовая олова (SN) | Двойной | C Bend | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5,4 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | R-XDSO-C5 | 28 нс | 120ns | 12 нс | 58 нс | 40a | 16 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 5,4 Вт TA 83W TC | 35а | 70A | 45 MJ | 20 В | N-канал | 6110pf @ 10v | 600 мВ | 2,25 мм ω @ 20a, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 40a tc | 150NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 16 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG419BDY-T1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Не совместимый с ROHS | 2009 | /files/vishaysiliconix-dg418bdqt1e3-datasheets-1717.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 20 В | 1 млекс | 8 | 8 недель | 540.001716mg | 36 В | 13 В | 25om | 8 | нет | Нет | 4 | E0 | Оловянный свинец | 400 МВт | Крыло Печата | 240 | 15 В | 8 | 1 | 30 | 400 МВт | Мультиплексор или переключатели | 1 | 89 нс | 80 нс | 22 В | 15 В | Двойной, холост | 7 В | -15V | 2 | 25om | 82 дБ | Брейк-ранее-сделать | 12 В ± 15 В. | 2: 1 | SPDT | 250pa | 12pf 12pf | 89ns, 80ns | 38 шт | -88db @ 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUP60030E-GE3 | Вишай Силиконикс | $ 2,54 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trenchfet® | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup60030ege3-datasheets-5853.pdf | До 220-3 | 3 | 14 недель | Ear99 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | R-PSFM-T3 | 120a | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 80 В | 80 В | 375W TC | До-220AB | 250a | 0,0034om | 245 MJ | N-канал | 7910pf @ 40 В. | 3,4 мм ω @ 30a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 120A TC | 141NC @ 10V | 7,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG418LDY | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Bicmos | Не совместимый с ROHS | 2016 | /files/vishaysiliconix-dg419ldqt1e3-datasheets-6551.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 млекс | 8 | 540.001716mg | 12 В | 2,7 В. | 20om | 8 | нет | неизвестный | 1 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 400 МВт | Крыло Печата | 8 | 400 МВт | Мультиплексор или переключатели | Не квалифицирован | 41 нс | 32 нс | 6 В | Двойной, холост | 3В | 1 | 20om | Брейк-ранее-сделать | 75NS | НЕТ | 2,7 В ~ 12 В ± 3 В ~ 6 В. | 1: 1 | Spst - нет | 1NA | 5pf | 43ns, 31ns | 1 шт | -71DB @ 1MHZ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHH14N65E-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2016 | /files/vishaysiliconix-sihhhh14n65et1ge3-datasheets-5720.pdf | 8-Powertdfn | 4 | 18 недель | 8 | ОДИНОКИЙ | Нет лидерства | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | S-PSSO-N4 | 15A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 650 В. | 650 В. | 4 В | 156W TC | 0,26 Ом | 226 MJ | N-канал | 1712pf @ 100v | 260 м ω @ 7a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 15a tc | 96NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG419LAK/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 125 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Bicmos | Не совместимый с ROHS | 2012 | 8-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 8 | 16 недель | 12 В | 2,7 В. | 20om | 8 | нет | Нет | 1 | НЕТ | Двойной | 5 В | 2,54 мм | 8 | 2 | DPST | Мультиплексор или переключатели | 1 | 6 В | 3В | -5V | 20om | 71 дБ | Брейк-ранее-сделать | 32NS | 2,7 В ~ 12 В ± 3 В ~ 6 В. | 2: 1 | SPDT | 1NA | 5pf | 43ns, 31ns | 1 шт | -71DB @ 1MHZ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQP120P06-6M7L_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | До 220-3 | 12 недель | До-220AB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG643DY-T1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | Не совместимый с ROHS | 2016 | /files/vishaysiliconix-dg641dy-datasheets-2728.pdf | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | 500 МГц | 6ma | 16 | 665,986997 мг | 21В | 10 В | 15ohm | 16 | нет | Видео приложение | неизвестный | 2 | E0 | Оловянный свинец | ДА | 600 МВт | Двойной | Крыло Печата | 240 | 15 В | 16 | 1 | Аудио/видео переключатель | 30 | Мультиплексор или переключатели | 15-3В | 2 | Не квалифицирован | 70 нс | 50 нс | 15 В | Одинокий | 10 В | -3V | Отдельный выход | 15ohm | 60 дБ | 1 Ом | Брейк-ранее-сделать | 85ns | 140ns | Нет/NC | 3 В ~ 15 В ± 3 В ~ 15 В. | 2: 1 | SPDT | 10NA | 12pf 12pf | 70ns, 50ns | 19 шт | 1 Ом | -87db @ 5MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHP24N65E-GE3 | Вишай Силиконикс | $ 2,73 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihp24n65ege3-datasheets-6695.pdf | До 220-3 | 10,51 мм | 15,49 мм | 4,65 мм | Свободно привести | 18 недель | 6.000006G | Неизвестный | 145mohm | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 250 Вт | 1 | До-220AB | 2.74nf | 24 нс | 84ns | 69 нс | 70 нс | 24а | 20 В | 650 В. | 2 В | 250 Вт TC | 145mohm | 650 В. | N-канал | 2740pf @ 100v | 145mohm @ 12a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 24a tc | 122NC @ 10V | 145 МОм | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM181BIA01 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHG180N60E-GE3 | Вишай Силиконикс | $ 2,43 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Эн | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihg180n60ege3-datasheets-7378.pdf | До 247-3 | 14 недель | До-247ac | 600 В. | 156W TC | N-канал | 1085pf @ 100v | 180mohm @ 9.5a, 10v | 5 В @ 250 мкА | 19A TC | 33NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM185BXC | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD50P04-13L_GE3 | Вишай Силиконикс | $ 2,42 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trenchfet® | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 175 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd50p0413lge3-datasheets-8473.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | Свободно привести | 12 недель | 1.437803G | Неизвестный | 13 мом | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 83 Вт | 1 | До 252, (d-pak) | 3.59nf | 10 нс | 12NS | 16 нс | 40 нс | 50а | 20 В | 40 В | -1,5 В. | 3W TA 136W TC | 10 мох | P-канал | 3590PF @ 20 В. | 13mohm @ 17a, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 50A TC | 90NC @ 10V | 13 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM201BEAP1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Sum40010el-Ge3 | Вишай Силиконикс | $ 28,59 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Thunderfet® | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum40010elge3-datasheets-8898.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 2 | 14 недель | Ear99 | E3 | Матовая олова (SN) | ДА | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | R-PSSO-G2 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 40 В | 40 В | 375W TC | 120a | 300а | 0,0016om | 320 MJ | N-канал | 11155PF @ 30V | 1,6 мм ω @ 30a, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 120A TC | 230NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG444BDY | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | CMOS | Не совместимый с ROHS | /files/vishaysiliconix-dg44444444bdj-datasheets-7580.pdf | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 млекс | 16 | 665,986997 мг | 36 В | 13 В | 80om | 16 | нет | неизвестный | 4 | E0 | Оловянный свинец | ДА | 640 МВт | Крыло Печата | 240 | 15 В | 1,27 мм | 16 | 1 | 30 | Мультиплексор или переключатели | 4 | Не квалифицирован | 300 нс | 200 нс | 22 В | 15 В | Двойной, холост | 7 В | -15V | Отдельный выход | 80om | 90 дБ | Брейк-ранее-сделать | Северо -запад | 12 В ± 15 В. | 1: 1 | Spst - nc | 500pa | 5pf 5pf | 300NS, 200NS | 1 шт | -95db @ 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHB35N60EF-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Эф | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihb35n60efge3-datasheets-9754.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 21 неделя | D2pak (до 263) | 600 В. | 250 Вт TC | N-канал | 2568pf @ 100v | 97mohm @ 17a, 10v | 4 В @ 250 мкА | 32A TC | 134NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG417LDY | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Трубка | 1 (неограниченный) | Bicmos | Не совместимый с ROHS | 2016 | /files/vishaysiliconix-dg419ldqt1e3-datasheets-6551.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 млекс | 8 | 540.001716mg | 12 В | 2,7 В. | 20om | 8 | нет | Нет | 1 | E0 | Олово/свинец (SN/PB) | 400 МВт | Крыло Печата | 8 | 400 МВт | Мультиплексор или переключатели | 41 нс | 32 нс | 6 В | Двойной, холост | 3В | 1 | 20om | 20om | Брейк-ранее-сделать | 75NS | Северо -запад | 2,7 В ~ 12 В ± 3 В ~ 6 В. | 1: 1 | Spst - nc | 1NA | 5pf | 43ns, 31ns | 1 шт | -71DB @ 1MHZ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHP050N60E-GE3 | Вишай Силиконикс | $ 6,66 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Эн | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihp050n60ege3-datasheets-0118.pdf | До 220-3 | 14 недель | До-220AB | 600 В. | 278W TC | N-канал | 3459pf @ 100v | 50mohm @ 23a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 51A TC | 130NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9408DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Bicmos | 1 млекс | ROHS3 соответствует | 2008 | /files/vishaysiliconix-dg9409dnt1e4-datasheets-6670.pdf | 16-VQFN открытая площадка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | Свободно привести | 1 млекс | 16 | 57.09594mg | Неизвестный | 12 В | 2,7 В. | 7om | 16 | да | Нет | 1 | 1 млекс | E4 | Никель/палладий/золото (Ni/pd/au) | ДА | 1,88 Вт | Квадратный | 260 | 5 В | 0,65 мм | DG9408 | 16 | 8 | 40 | 1,88 Вт | 1 | 162 нс | 97 нс | 6 В | 5 В | Мультиплексор | 71 нс | Двойной, холост | 3В | -5V | 100 мА | 7om | 3,9 Ом | 81 дБ | 3,6 Ом | Брейк-ранее-сделать | 94ns | 2,7 В ~ 12 В ± 3 В ~ 6 В. | 8: 1 | 2NA | 21pf 211pf | 70ns, 44ns | 29шт | 3,6 Ом (макс) | -85db @ 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHP12N50C-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2007 | /files/vishaysiliconix-sihf12n50ce3-datasheets-6578.pdf | До 220-3 | Свободно привести | 3 | 8 недель | 6.000006G | Неизвестный | 555mohm | 3 | да | Лавина оценена | Нет | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 208 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | 18 нс | 35NS | 6 нс | 23 нс | 12A | 500 В. | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 3В | 208W TC | До-220AB | 28а | N-канал | 1375pf @ 25V | 555m ω @ 4a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12A TC | 48NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9073102EA | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -55 ° C. | Не совместимый с ROHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-9073102ea-datasheets-0541.pdf | Поступок | 36 В | 13 В | 16 | Нет | 900 МВт | 22 В | 7 В | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHG47N60EF-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2014 | /files/vishaysiliconix-sihg47n60efge3-datasheets-2218.pdf | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 22 недели | 38.000013G | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 1 | 30 нс | 56NS | 56 нс | 91 нс | 47а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 600 В. | 600 В. | 4 В | 379W TC | До-247ac | 0,065ohm | N-канал | 4854PF @ 100V | 67 м ω @ 24а, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 47A TC | 225NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7801401xa | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 1 (неограниченный) | 125 ° C. | -55 ° C. | Биполярный | Не совместимый с ROHS | 14 | 14 | 2 | Двойной | ПЛОСКИЙ | 14 | ВОЕННЫЙ | 2 | DPST | Мультиплексор или переключатели | Не квалифицирован | 18В | 30 мА | 4 | Защитник | 600NS | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Siud401ed-t1-ge3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Trenchfet® Gen III | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siud401edt1ge3-datasheets-2675.pdf | PowerPak® 0806 | 14 недель | PowerPak® 0806 | 30 В | 1,25 Вт TA | P-канал | 33pf @ 15v | 1.573OM @ 200 мА, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 500 мА та | 2NC @ 10V | 2,5 В 10 В. | ± 12 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM188BXC | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFSL9N60APBF | Вишай Силиконикс | $ 1,34 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfsl9n60apbf-datasheets-3597.pdf | До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA | 10,67 мм | 9,65 мм | 4,83 мм | Свободно привести | 8 недель | 2.387001G | Неизвестный | 750 мох | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 170 Вт | 1 | I2pak | 1.4nf | 13 нс | 25NS | 22 нс | 30 нс | 9.2a | 30 В | 600 В. | 4 В | 170 Вт TC | 750 мох | 600 В. | N-канал | 1400pf @ 25V | 750mohm @ 5,5a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 9.2A TC | 49NC @ 10V | 750 МОм | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2735DN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | CMOS | 1 млекс | ROHS3 соответствует | 2016 | /files/vishaysiliconix-dg2735dnt1e4-datasheets-4508.pdf | 8-Ufqfn | 1,8 мм | 550 мкм | 1,4 мм | 1 млекс | 10 | 14 недель | 7.002332mg | 4,3 В. | 1,65 В. | 500 мох | 8 | да | неизвестный | 2 | E4 | Никель/палладий/золото (Ni/pd/au) | 208 МВт | Квадратный | Нет лидерства | 260 | 3В | DG2735 | 10 | 1 | 40 | 208 МВт | Мультиплексор или переключатели | 3В | Не квалифицирован | R-XQCC-N10 | 50 МГц | 78 нс | 58 нс | Одинокий | 4 | 2 | 500 мох | 70 дБ | 0,06 Ом | Брейк-ранее-сделать | 60ns | 2: 1 | 1,65 В ~ 4,3 В. | SPDT | 2NA | 55pf | 78ns, 58ns | 60 метров | -70db @ 100 кГц |
