Вишай Силиконикс

Вишай Силиконикс(12746)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Текущий Достичь кода соответствия Код HTS Код JESD-609 Терминал отделки Напряжение Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Количество каналов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
SIHF23N60E-GE3 SIHF23N60E-GE3 Вишай Силиконикс $13,86
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihf23n60ege3-datasheets-4470.pdf ТО-220-3 Полный пакет Без свинца 3 18 недель 6.000006г Неизвестный 3 Нет 1 Одинокий 1 22 нс 38нс 34 нс 66 нс 23А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 600В 35 Вт Тс ТО-220АБ N-канал 2418пФ при 100 В 158 мОм при 12 А, 10 В 4 В при 250 мкА 23А Тк 95 нК при 10 В 10 В ±30 В
IRLR120TRL ИРЛР120ТРЛ Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlr120trlpbf-datasheets-9045.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 2 13 недель 3 нет EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет 8541.29.00.95 КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3 Одинокий 30 1 Мощность FET общего назначения Р-ПССО-Г2 9,8 нс 64нс 27 нс 21 нс 7,7А 10 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2,5 Вт Та 42 Вт Тс 0,27 Ом 210 мДж 100 В N-канал 490пФ при 25В 270 мОм при 4,6 А, 5 В 2 В @ 250 мкА 7,7 А Тс 12 нК при 5 В 4В 5В ±10 В
IRFL110PBF ИРФЛ110ПБФ Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год /files/vishaysiliconix-irfl110trpbf-datasheets-6072.pdf 100 В 1,5 А ТО-261-4, ТО-261АА 6,7 мм 1,8 мм 3,7 мм Без свинца 250,212891мг Неизвестный 540мОм 3 Нет 15А 100 В 1 Одинокий 2 Вт 1 СОТ-223 180пФ 6,9 нс 16 нс 9,4 нс 15 нс 1,5 А 20 В 100 В 2 Вт Та 3,1 Вт Тс 540мОм 100 В N-канал 180пФ при 25В 540 мОм при 900 мА, 10 В 4 В при 250 мкА 1,5 А Тс 8,3 нК при 10 В 540 мОм 10 В ±20 В
IRLI620GPBF ИРЛИ620ГПБФ Вишай Силиконикс $7,87
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irli620gpbf-datasheets-8644.pdf TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка Неизвестный 3 Нет Одинокий 30 Вт 1 ТО-220-3 360пФ 4,2 нс 31 нс 17 нс 18 нс 10 В 200В 30 Вт Тс 800мОм 200В N-канал 360пФ при 25В 800 мОм при 2,4 А, 5 В 2 В @ 250 мкА 4А Тк 16 нК при 10 В 800 мОм 4В 5В ±10 В
IRC540PBF IRC540PBF Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irc540pbf-datasheets-9263.pdf 100 В 28А ТО-220-5 10,67 мм 9,02 мм 4,83 мм Без свинца 3.000003г 1 150 Вт 1 ТО-220-5 1,3 нФ 13 нс 77нс 48 нс 40 нс 28А 20 В 100 В 150 Вт Тс 77мОм 100 В N-канал 1300пФ при 25В 77 мОм при 17 А, 10 В 4 В при 250 мкА 28А ТЦ 69 нК при 10 В Измерение тока 77 мОм 10 В ±20 В
IRFI734GPBF IRFI734GPBF Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi734gpbf-datasheets-9976.pdf TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка 10,63 мм 9,8 мм 4,83 мм 6.000006г 3 1 Одинокий 35 Вт 1 ТО-220-3 680пФ 5,9 нс 22нс 21 нс 40 нс 3,4А 20 В 450В 35 Вт Тс 1,2 Ом N-канал 680пФ при 25В 1,2 Ом при 2 А, 10 В 4 В при 250 мкА 3,4 А Тс 45 нК при 10 В 1,2 Ом 10 В ±20 В
SQJ431EP-T2_GE3 SQJ431EP-T2_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqj431ept2ge3-datasheets-3151.pdf ПауэрПАК® СО-8 12 недель ПауэрПАК® СО-8 200В 83 Вт Тс P-канал 4355пФ при 25 В 213 мОм при 3,8 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 12А Тс 106 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
IRF720LPBF IRF720LPBF Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2017 год /files/vishaysiliconix-irf720spbf-datasheets-8875.pdf ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм 3 12 недель 6.000006г 3 да Нет 1 Одинокий 1 10 нс 14 нс 13 нс 30 нс 3,3А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400В 400В 3,1 Вт Та 50 Вт Тс ТО-220АБ N-канал 410пФ при 25В 1,8 Ом при 2 А, 10 В 4 В при 250 мкА 3,3 А Тс 20 нК при 10 В 10 В ±20 В
SI4626ADY-T1-E3 SI4626ADY-T1-E3 Вишай Силиконикс 2,04 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4626adyt1ge3-datasheets-4309.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 5 мм 1,55 мм 4 мм 8 14 недель 186,993455мг 8 EAR99 Олово Нет е3 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 8 1 Одинокий 40 3 Вт 1 44 нс 21нс 18 нс 45 нс 30А 20 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 3 Вт Та 6 Вт Тс 0,0033Ом N-канал 5370пФ при 15 В 3,3 мОм при 15 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 30А Тс 125 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SUM75N06-09L-E3 СУМ75Н06-09Л-Е3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год /files/vishaysiliconix-sum75n0609le3-datasheets-7684.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 10,41 мм 4,83 мм 9,65 мм Без свинца 2 Неизвестный 9,3 мОм 3 да EAR99 Нет е3 Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером 3,75 Вт КРЫЛО ЧАЙКИ 4 Одинокий 3,75 Вт 1 Мощность FET общего назначения Р-ПССО-Г2 7 нс 30 нс 12 нс 25 нс 90А 20 В ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В N-канал 2400пФ при 25В 2 В 9,3 мОм при 30 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 90А Тс 75 нК при 10 В
SI1300BDL-T1-E3 SI1300BDL-T1-E3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2017 год /files/vishaysiliconix-si1300bdlt1e3-datasheets-7845.pdf СК-70, СОТ-323 2 мм 1 мм 1,25 мм Без свинца 3 Неизвестный 850мОм 3 да EAR99 Нет е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 Одинокий 40 190мВт 1 Полномочия общего назначения FET 7 нс 10 нс 10 нс 8 нс 320 мА КРЕМНИЙ 190 мВт Ta 200 мВт Tc 0,4 А 20 В N-канал 35пФ при 10В 1 В 850 мОм при 250 мА, 4,5 В 1 В при 250 мкА 400 мА Тс 0,84 нК при 4,5 В 2,5 В 4,5 В ±8 В
SI1419DH-T1-E3 SI1419DH-T1-E3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год /files/vishaysiliconix-si1419dht1e3-datasheets-7965.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Без свинца 6 Неизвестный 5МОм 6 да EAR99 Нет е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 6 40 1 Вт 1 Другие транзисторы 6 нс 12нс 12 нс 12 нс -380мА 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ -4,5 В 1 Вт Та 0,3 А 200В P-канал -4,5 В 5 Ом при 400 мА, 10 В 4,5 В @ 100 мкА 300 мА Та 6,2 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
SI3451DV-T1-E3 SI3451DV-T1-E3 Вишай Силиконикс 0,16 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3451dvt1e3-datasheets-8099.pdf СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 6 Одинокий 1,25 Вт 1 6-ЦОП 250пФ 30 нс 30 нс 32 нс -2,8А 12 В 20 В 1,25 Вт Ta 2,1 Вт Tc 115мОм 20 В P-канал 250пФ при 10В 115 мОм при 2,6 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 2,8 А Тс 5,1 нК при 5 В 115 мОм 2,5 В 4,5 В ±12 В
SI4322DY-T1-E3 SI4322DY-T1-E3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4322dyt1e3-datasheets-8262.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 5 мм 1,55 мм 4 мм Без свинца 186,993455мг 8 1 3,1 Вт 1 8-СО 1,64 нФ 12 нс 36нс 7 нс 36 нс 18А 20 В 30 В 3,1 Вт Ta 5,4 Вт Tc 8,5 мОм N-канал 1640пФ при 15В 8,5 мОм при 15 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 18А Тк 38 нК при 10 В 8,5 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
SI4435BDY-T1-E3 SI4435BDY-T1-E3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4435bdyt1e3-datasheets-8372.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 5 мм 1,55 мм 4 мм Без свинца 186,993455мг 8 1 Одинокий 1,5 Вт 1 8-СО 10 нс 15нс 15 нс 110 нс 20 В 30 В 1,5 Вт Та 20мОм -30В P-канал 20 мОм при 9,1 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 7А Та 70 нК при 10 В 20 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
SI5484DU-T1-E3 SI5484DU-T1-E3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5484dut1e3-datasheets-8519.pdf PowerPAK® ChipFET™ Одиночный 3 мм 750 мкм 1,9 мм 1 Одинокий PowerPAK® ChipFet Single 1,6 нФ 5 нс 15нс 10 нс 35 нс 12А 12 В 20 В 3,1 Вт Та 31 Вт Тс 16мОм 20 В N-канал 1600пФ при 10В 16 мОм при 7,6 А, 4,5 В 2 В @ 250 мкА 12А Тс 55 нК при 10 В 16 мОм 2,5 В 4,5 В ±12 В
IRFB16N50K ИРФБ16Н50К Вишай Силиконикс 0,24 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfb16n50kpbf-datasheets-9165.pdf 500В 17А ТО-220-3 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм Содержит свинец 6.000006г 1 Одинокий ТО-220АБ 2,21 нФ 20 нс 77нс 30 нс 38 нс 17А 30 В 500В 280 Вт Тс 350мОм N-канал 2210пФ при 25 В 350 мОм при 10 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 17А Тк 89 нК при 10 В 350 мОм 10 В ±30 В
IRFPG40 ИРФПГ40 Вишай Силиконикс $3,98
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfpg40pbf-datasheets-4247.pdf 1кВ 4.3А ТО-247-3 15,87 мм 20,7 мм 5,31 мм Содержит свинец 38.000013г 3 1 Одинокий 150 Вт ТО-247-3 1,6 нФ 15 нс 33нс 30 нс 100 нс 4.3А 20 В 1000В 150 Вт Тс 3,5 Ом 1кВ N-канал 1600пФ при 25В 3,5 Ом @ 2,6 А, 10 В 4 В при 250 мкА 4,3 А Тс 120 нК при 10 В 3,5 Ом 10 В ±20 В
IRFR9010 IRFR9010 Вишай Силиконикс $4,41
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr9010pbf-datasheets-4325.pdf -50В -5,3А ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 6,73 мм 2,39 мм 6,22 мм Содержит свинец 1,437803г Неизвестный 3 1 Одинокий Д-Пак 240пФ 6,1 нс 47нс 35 нс 13 нс 5.3А 20 В 50В 25 Вт Тс 500мОм -50В P-канал 240пФ при 25В -4 В 500 мОм при 2,8 А, 10 В 4 В при 250 мкА 5,3 А Тс 9,1 нК при 10 В 500 мОм 10 В ±20 В
IRFR9210TR IRFR9210TR Вишай Силиконикс 0,44 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu9210pbf-datasheets-5149.pdf -200В -1,9 А ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 6,73 мм 2,39 мм 6,22 мм Содержит свинец 1,437803г 3Ом 3 1 Одинокий 2,5 Вт 1 Д-Пак 170пФ 8 нс 12нс 13 нс 11 нс 1,9 А 20 В 200В 2,5 Вт Та 25 Вт Тс 3Ом -200В P-канал 170пФ при 25В 3 Ом при 1,1 А, 10 В 4 В при 250 мкА 1,9 А Тс 8,9 нК при 10 В 3 Ом 10 В ±20 В
IRFU320 ИРФУ320 Вишай Силиконикс 0,56 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu320pbf-datasheets-8190.pdf TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA 3 Одинокий 2,5 Вт 1 ТО-251АА 350пФ 10 нс 14 нс 13 нс 30 нс 3.1А 20 В 400В 2,5 Вт Та 42 Вт Тс 1,8 Ом N-канал 350пФ при 25В 1,8 Ом @ 1,9 А, 10 В 4 В при 250 мкА 3,1 А Тс 20 нК при 10 В 1,8 Ом 10 В ±20 В
IRFZ40 ИРФЗ40 Вишай Силиконикс 0,99 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz40pbf-datasheets-1903.pdf ТО-220-3 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм 3 6.000006г 3 нет EAR99 Нет е0 Оловянный свинец 3 1 Одинокий 126 Вт 1 Мощность FET общего назначения 15 нс 25нс 12 нс 35 нс 35А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В 150 Вт Тс ТО-220АБ 50А 200А 0,028 Ом N-канал 1900пФ при 25В 28 мОм при 31 А, 10 В 4 В при 250 мкА 50А Тс 67 нК при 10 В 10 В ±20 В
IRL640 ИРЛ640 Вишай Силиконикс 0,22 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irl640pbf-datasheets-2042.pdf 200В 17А ТО-220-3 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм Содержит свинец 6.000006г 3 Нет 1 Одинокий ТО-220АБ 1,8 нФ 8 нс 83нс 52 нс 44 нс 17А 10 В 200В 125 Вт Тс 180мОм 200В N-канал 1800пФ при 25В 180 мОм при 10 А, 5 В 2 В @ 250 мкА 17А Тк 66 нК при 5 В 180 мОм 4В 5В ±10 В
IRFS9N60A ИРФС9Н60А Вишай Силиконикс 0,69 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfs9n60apbf-datasheets-3643.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 10,67 мм 4,83 мм 9,65 мм Содержит свинец 1,437803г 750мОм 3 1 Одинокий 170 Вт 1 Д2ПАК 1,4 нФ 13 нс 25нс 22 нс 30 нс 9.2А 30 В 600В 170 Вт Тс 750мОм N-канал 1400пФ при 25В 750 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В при 250 мкА 9,2 А Тс 49 нК при 10 В 750 мОм 10 В ±30 В
IRFZ48R ИРФЗ48Р Вишай Силиконикс 1,33 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz48rpbf-datasheets-5378.pdf 60В 50А ТО-220-3 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм Содержит свинец 6.000006г 3 Нет 1 Одинокий 190 Вт ТО-220АБ 2,4 нФ 8,1 нс 250 нс 250 нс 210 нс 50А 20 В 60В 190 Вт Тс 18мОм 60В N-канал 2400пФ при 25В 18 мОм при 43 А, 10 В 4 В при 250 мкА 50А Тс 110 нК при 10 В 18 мОм 10 В ±20 В
IRF510L ИРФ510Л Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм 6.000006г 3,7 Вт 1 Одинокий ТО-262-3 180пФ 6,9 нс 16 нс 9,4 нс 15 нс 5,6А 20 В 100 В 540мОм 100 В N-канал 180пФ при 25В 540 мОм при 3,4 А, 10 В 4 В при 250 мкА 5,6 А Тс 8,3 нК при 10 В 540 мОм
IRF630L ИРФ630Л Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf630pbf-datasheets-0717.pdf ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 3 Вт И2ПАК 800пФ 200В N-канал 800пФ при 25В 400 мОм при 5,4 А, 10 В 4 В при 250 мкА 9А Тц 43 нК при 10 В 400 мОм 10 В ±20 В
IRF720STRL IRF720STRL Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS 2017 год /files/vishaysiliconix-irf720spbf-datasheets-8875.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 неизвестный ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3 НЕ УКАЗАН 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 3,3А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 400В 400В 3,1 Вт Та 50 Вт Тс 13А 190 мДж N-канал 410пФ при 25В 1,8 Ом при 2 А, 10 В 4 В при 250 мкА 3,3 А Тс 20 нК при 10 В 10 В ±20 В
IRF740ASTRR IRF740ASTRR Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf740alpbf-datasheets-5440.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 10,67 мм 4,83 мм 9,65 мм 1,437803г 1 Одинокий Д2ПАК 1,03 нФ 10 нс 35 нс 22 нс 24 нс 10А 30 В 400В 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc 550мОм N-канал 1030пФ при 25В 550 мОм при 6 А, 10 В 4 В при 250 мкА 10А Тс 36 нК при 10 В 550 мОм 10 В ±30 В
IRF9510L IRF9510L Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9510pbf-datasheets-9175.pdf ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 3,7 Вт И2ПАК 200пФ 100 В P-канал 200пФ при 25В 1,2 Ом @ 2,4 А, 10 В 4 В при 250 мкА 4А Тк 8,7 нК при 10 В 1,2 Ом 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.