Вишай Силиконикс

Вишай Силиконикс(12746)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминал отделки Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Количество каналов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Максимальная температура перехода (Tj) Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение пробоя стока к источнику Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
SQJQ144AE-T1_GE3 SQJQ144AE-T1_GE3 Вишай Силиконикс $2,33
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqjq144aet1ge3-datasheets-1350.pdf PowerPAK® 8 x 8 PowerPAK® 8 x 8 40В 600 Вт Тс N-канал 9020пФ при 25В 900 мкОм при 20 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 575А Тк 145 нК при 10 В 10 В ±20 В
IRFZ48PBF ИРФЗ48ПБФ Вишай Силиконикс 1,99 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) 175°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год /files/vishaysiliconix-irfz48pbf-datasheets-1974.pdf ТО-220-3 10,41 мм 9,01 мм 4,7 мм 11 недель 6.000006г 3 Нет 1 Одинокий 190 Вт 1 ТО-220АБ 2,4 нФ 8,1 нс 250 нс 250 нс 210 нс 50А 20 В 60В 190 Вт Тс 18мОм 60В N-канал 2400пФ при 25В 4 В 18 мОм при 43 А, 10 В 4 В при 250 мкА 50А Тс 110 нК при 10 В 18 мОм 10 В ±20 В
SIHW21N80AE-GE3 SIHW21N80AE-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Э Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihw21n80aege3-datasheets-2452.pdf ТО-247-3 14 недель ТО-247АД 800В 32 Вт Тс N-канал 1388пФ при 100 В 235 мОм при 11 А, 10 В 4 В при 250 мкА 17,4 А Тс 72 нК при 10 В 10 В ±30 В
SQ7415AENW-T1_GE3 SQ7415AENW-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2018 год /files/vishaysiliconix-sq7415aenwt1ge3-datasheets-3802.pdf PowerPAK® 1212-8 12 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 60В 53 Вт Тс P-канал 1385пФ при 25В 65 мОм при 5,7 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 16А Тс 38 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SI9435BDY-T1-GE3 SI9435BDY-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/vishaysiliconix-si9435bdyt1e3-datasheets-9791.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 8 14 недель 186,993455мг Неизвестный 42мОм 8 да EAR99 Нет е3 Чистая матовая банка ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 8 1 Одинокий 30 1,3 Вт 1 Другие транзисторы 14 нс 14 нс 14 нс 42 нс -4,1А 20 В КРЕМНИЙ 30 В 30 В -3В 1,3 Вт Та P-канал 42 мОм при 5,7 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 4.1А Та 24 нК при 10 В 10 В ±20 В
SIR494DP-T1-GE3 SIR494DP-T1-GE3 Вишай Силиконикс $6,30
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir494dpt1ge3-datasheets-5105.pdf ПауэрПАК® СО-8 4,9 мм 1,04 мм 5,89 мм 506,605978мг Нет 1 ПауэрПАК® СО-8 6,9 нФ 42 нс 60нс 54 нс 54 нс 60А 20 В 12 В 6,25 Вт Та 104 Вт Тс 1мОм 12 В N-канал 6900пФ при 6В 1,2 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 60А Тс 150 нК при 10 В 1,2 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
SQD97N06-6M3L_GE3 SQD97N06-6M3L_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysiliconix-sqr97n066m3lge3-datasheets-3737.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 12 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 97А 60В 136 Вт Тс N-канал 6060пФ при 25 В 6,3 мОм при 25 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 97А Тц 125 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SIS822DNT-T1-GE3 SIS822DNT-T1-GE3 Вишай Силиконикс 1,08 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sis822dntt1ge3-datasheets-7907.pdf PowerPAK® 1212-8 14 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 30 В 15,6 Вт Тс N-канал 435пФ при 15В 24 мОм при 7,8 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 12А Тс 12 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/vishaysiliconix-si4497dyt1ge3-datasheets-9111.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 1,75 мм Без свинца 8 14 недель 506,605978мг Неизвестный 3,3 мОм 8 EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 1 3,5 Вт 1 150°С 19 нс 13нс 25 нс 115 нс -24,8А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В -2,5 В 3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc 36А -30В P-канал 9685пФ при 15 В -1 В 3,3 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 36А Тк 285 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SQM47N10-24L_GE3 SQM47N10-24L_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sqm47n1024lge3-datasheets-9876.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 12 недель 1,437803г Неизвестный 3 да EAR99 Нет КРЫЛО ЧАЙКИ 260 4 1 Одинокий 40 136 Вт 1 Мощность FET общего назначения Р-ПССО-Г2 10 нс 6нс 6 нс 32 нс 47А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ 100 В 136 Вт Тс 0,024 Ом 92 мДж N-канал 3620пФ при 25В 2 В 24 мОм при 40 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 47А ТЦ 72 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SI5404BDC-T1-E3 SI5404BDC-T1-E3 Вишай Силиконикс 0,10 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5404bdct1e3-datasheets-1082.pdf 8-SMD, плоский вывод 3,0988 мм 1,0922 мм 1,7018 мм Без свинца 84,99187мг Неизвестный 28мОм 8 Нет 1 Одинокий 1,3 Вт 1 1206-8 ЧипFET™ 12 нс 12нс 12 нс 25 нс 7,5 А 12 В 20 В 600мВ 1,3 Вт Та 28мОм 20 В N-канал 28 мОм при 5,4 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 5,4А Та 11 нК при 4,5 В 28 мОм 2,5 В 4,5 В ±12 В
SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год /files/vishaysiliconix-si8800edbt2e1-datasheets-6624.pdf 4-XFBGA, CSPBGA Без свинца 4 30 недель 80мОм 4 да EAR99 Нет е3 МАТОВАЯ ТУНКА НИЖНИЙ МЯЧ 260 4 2 Двойной 30 900мВт 1 Мощность FET общего назначения 350 нс 2,8А КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500мВт Та 20 В N-канал 80 мОм при 1 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 8,3 нК при 8 В 1,5 В 4,5 В ±8 В
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqj431aept1ge3-datasheets-7828.pdf 8-PowerTDFN 12 недель ПауэрПАК® СО-8 200В 68 Вт Тк P-канал 3700пФ при 25В 305 мОм при 3,8 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 9,4 А Тс 85 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс 0,76 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sisha04dnt1ge3-datasheets-8402.pdf PowerPAK® 1212-8SH 14 недель PowerPAK® 1212-8SH 30 В 3,7 Вт Та 52 Вт Тс N-канал 3595пФ при 15 В 2,15 мОм при 15 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 30,9 А Та 40 А Тс 77 нК при 10 В 4,5 В 10 В +20 В, -16 В
SQD40020EL_GE3 SQD40020EL_GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd40020elge3-datasheets-8870.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 14 недель ТО-252АА 40В 107 Вт Тс N-канал 8800пФ при 25В 2,2 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 100А Тс 165 нК при 20 В 4,5 В 10 В ±20 В
SI4668DY-T1-E3 SI4668DY-T1-E3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4668dyt1e3-datasheets-9151.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 13 недель EAR99 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 8 Одинокий 40 2,5 Вт 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Г8 12нс 18 нс 73 нс 16,2А 16 В КРЕМНИЙ 2,5 Вт Та 5 Вт Тс 11,5А 0,0105Ом 25 В N-канал 1654пФ при 15В 10,5 мОм при 15 А, 10 В 2,6 В @ 250 мкА 16,2 А Тс 42 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±16 В
SIRA60DP-T1-RE3 SIRA60DP-T1-RE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sira60dpt1ge3-datasheets-7211.pdf ПауэрПАК® СО-8 14 недель ПауэрПАК® СО-8 30 В 57 Вт Тс N-канал 7650пФ при 15 В 0,94 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 100А Тс 125 нК при 10 В 4,5 В 10 В +20 В, -16 В
SI6469DQ-T1-GE3 SI6469DQ-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6469dqt1ge3-datasheets-0848.pdf 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 8 15 недель 28мОм 8 да EAR99 неизвестный е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 8 Одинокий 40 1,5 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,5 Вт Та 30А P-канал 28 мОм при 6 А, 4,5 В 450 мВ при 250 мкА (мин) 40 нК при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
IRFD320PBF ИРФД320ПБФ Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysiliconix-irfd320pbf-datasheets-1231.pdf 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 5 мм 3,37 мм 6,29 мм Без свинца 3 8 недель Неизвестный 4 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет ДВОЙНОЙ 4 1 Вт 1 Мощность FET общего назначения Р-ПДИП-Т3 10 нс 14 нс 14 нс 30 нс 490 мА 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1 Вт Та 400В N-канал 410пФ при 25В 4 В 1,8 Ом при 210 мА, 10 В 4 В при 250 мкА 490 мА Та 20 нК при 10 В 10 В ±20 В
SIHG80N60E-GE3 SIHG80N60E-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Э Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihg80n60ege3-datasheets-1933.pdf ТО-247-3 14 недель е3 600В 520 Вт Тс N-канал 6900пФ при 100В 30 мОм при 40 А, 10 В 4 В при 250 мкА 80А Тс 443 нК при 10 В 10 В ±30 В
SIHB12N50E-GE3 SIHB12N50E-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2005 г. /files/vishaysiliconix-sihb12n50ege3-datasheets-2665.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 18 недель 1,437803г Неизвестный 3 ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 1 НЕ УКАЗАН 1 Р-ПССО-Г2 10,5 А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 114 Вт Тс 500В N-канал 886пФ при 100 В 380 мОм при 6 А, 10 В 4 В при 250 мкА 10,5 А Тс 50 нК при 10 В 10 В ±30 В
SIRA84BDP-T1-GE3 SIRA84BDP-T1-GE3 Вишай Силиконикс 0,41 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sira84bdpt1ge3-datasheets-2985.pdf ПауэрПАК® СО-8 14 недель ПауэрПАК® СО-8 30 В 3,7 Вт Та 36 Вт Тс N-канал 1050пФ при 15В 4,6 мОм при 15 А, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 22А Та 70А Тс 32 нК при 10 В 4,5 В 10 В +20 В, -16 В
SIS444DN-T1-GE3 SIS444DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2015 год /files/vishaysiliconix-sis444dnt1ge3-datasheets-3872.pdf PowerPAK® 1212-8 5 14 недель 8 EAR99 неизвестный ДВОЙНОЙ С ИЗГИБ НЕ УКАЗАН 8 1 НЕ УКАЗАН 3,7 Вт 1 Мощность FET общего назначения Р-ПДСО-С5 14 нс 13нс 8 нс 33 нс 35А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 52 Вт Тс 70А 0,0033Ом 20 мДж N-канал 3065пФ при 15В 3,3 мОм при 10 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 35А Тс 102 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SQD23N06-31L_T4GE3 SQD23N06-31L_T4GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd23n0631lge3-datasheets-4018.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 12 недель ТО-252АА 60В 37 Вт Тс N-канал 845пФ при 25 В 31 мОм при 15 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 23А Тк 24 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SI3442BDV-T1-GE3 SI3442BDV-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysiliconix-si3442bdvt1e3-datasheets-3334.pdf СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 6 14 недель 19,986414мг Нет СВХК 6 да EAR99 Нет Чистая матовая банка (Sn) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 6 1 Одинокий 30 860мВт 1 Мощность FET общего назначения 35 нс 50 нс 15 нс 20 нс 4.2А 12 В КРЕМНИЙ 20 В 20 В 1,8 В 860мВт Та 0,057Ом N-канал 295 пФ при 10 В 1,8 В 57 мОм при 4 А, 4,5 В 1,8 В @ 250 мкА 3А Та 5нК при 4,5 В 2,5 В 4,5 В ±12 В
SI5414DC-T1-GE3 SI5414DC-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5414dct1ge3-datasheets-6087.pdf 8-SMD, плоский вывод 15 недель 8 Нет 1206-8 ЧипFET™ 1,5 нФ 14 нс 12нс 14 нс 36 нс 12 В 20 В 2,5 Вт Ta 6,3 Вт Tc 40мОм 20 В N-канал 1500пФ при 10В 17 мОм при 9,9 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 6А Тк 41 нК при 10 В 17 мОм 2,5 В 4,5 В ±12 В
SI3467DV-T1-GE3 SI3467DV-T1-GE3 Вишай Силиконикс 1,30 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3467dvt1e3-datasheets-7206.pdf СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 6 15 недель да EAR99 неизвестный е3 Чистая матовая банка ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 6 Одинокий 30 1,14 Вт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПДСО-Г6 3,8А 20 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1,14 Вт Та 0,054 Ом 20 В P-канал 54 мОм при 5 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 3,8А Та 13 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SIHB4N80E-GE3 SIHB4N80E-GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Э Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihb4n80ege3-datasheets-8192.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 18 недель Д2ПАК (ТО-263) 800В 69 Вт Тс N-канал 622пФ при 100 В 1,27 Ом при 2 А, 10 В 4 В при 250 мкА 4,3 А Тс 32 нК при 10 В 10 В ±30 В
SIDR220DP-T1-GE3 SIDR220DP-T1-GE3 Вишай Силиконикс 2,26 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-ezr32lg330f256r55gc0-datasheets-6189.pdf ПауэрПАК® СО-8 14 недель PowerPAK® SO-8DC 25 В 6,25 Вт Ta 125 Вт Tc N-канал 1085пФ при 10В 5,8 мОм при 20 А, 10 В 2,1 В @ 250 мкА 87,7 А Та 100 А Тс 200 нК при 10 В 4,5 В 10 В +16В, -12В
SQD90P04_9M4LT4GE3 SQD90P04_9M4LT4GE3 Вишай Силиконикс
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd90p049m4lge3-datasheets-0446.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 12 недель ТО-252АА 40В 136 Вт Тс P-канал 6675пФ при 20 В 9,4 мОм при 17 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 90А Тс 155 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.