| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Базовый номер детали | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Код JESD-30 | Прямой ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип триака | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БТ138С-600Ф/Л01К | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Одинокий | 600В | 12А | 30 мА | 1В | 95А 105А | 70 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ137С-600Ф/Л02К | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Одинокий | 600В | 8А | 20 мА | 1В | 65А 71А | 70 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА316С-600С/Л02К | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Одинокий | 600В | 16А | 1В | 140А 150А | 35 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ138-600G0Q | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | ТО-220-3 | Одинокий | 600В | 12А | 60 мА | 1В | 95А 105А | 100 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ138С-800/Л02К | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 12А | 30 мА | 1В | 95А 105А | 70 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА330Y-800CTQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | ТО-220-3 | EAR99 | Одинокий | БЕЗДЕМПФЕРИРУЮЩИЙ СИМИСТОР | 800В | 30А | 50 мА | 1,3 В | 270А 297А | 35 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА208-600Д,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | НЕТ | БТА208 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 8А | 15 мА | 1,5 В | 65А 72А | 5мА | Логика — чувствительные ворота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ138Б-800Э,118 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | БТ138 | 1 | Р-ПССО-Г2 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 12А | 30 мА | 1,5 В | 95А 105А | 10 мА | Логика — чувствительные ворота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА216-800Б,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | 8541.30.00.80 | МЭК-134 | НЕТ | БТА216 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | ТО-220АБ | БЕЗДЕМПФЕРИРУЮЩИЙ СИМИСТОР | 800В | 800В | 16А | 60 мА | 1,5 В | 140А 150А | 50 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА2008-800Д,412 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | 3 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | НЕТ | НИЖНИЙ | БТА2008 | 1 | О-PBCY-T3 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 800мА | 10 мА | 2В | 9А 10А | 5мА | Логика — чувствительные ворота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АКТ108-600Д,412 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | EAR99 | АКТ108-600 | Одинокий | ТРИАК | 600В | 800мА | 20 мА | 900 мВ | 8А 8,8А | 5мА | Логика — чувствительные ворота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z0103MA0,116 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | EAR99 | Z0103 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 1А | 7мА | 1,3 В | 12,5 А 13,8 А | 3мА | Логика — чувствительные ворота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACTT4S-800E,118 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | АКТТ4-800 | 1 | Р-ПДСО-Г2 | Одинокий | ТО-252АА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 4А | 20 мА | 1В | 35А 39А | 10 мА | Логика — чувствительные ворота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА310-800Э,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | БТА310-800 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 10А | 15 мА | 1,5 В | 85А 93А | 10 мА | Логика — чувствительные ворота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА204В-600Д,135 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БТА204 | 1 | Р-ПДСО-Г4 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 1А | 6мА | 1,5 В | 10А 11А | 5мА | Логика — чувствительные ворота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА410Y-800CT,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-3 Изолированная вкладка | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | БТА410-800 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 10А | 1,5 В | 100А 110А | 35 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ137-800G0TQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | Одинокий | 800В | 8А | 40 мА | 1В | 65А 71А | 50 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА308X-800C0Q | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Одинокий | 800В | 8А | 50 мА | 1В | 60А 65А | 35 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYQ28E-200E, 127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-byq28e200e127-datasheets-1160.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 10 мкА | ТО-220АБ | 25нс | Стандартный | 1 | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,25 В при 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV32G-200,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | БИВ32-200 | 150°С | 2 | Р-ПСИП-Т3 | СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 30 мкА | 25нс | Стандартный | 137А | 1 | 200В | 30 мкА при 200 В | 850 мВ при 8 А | 20А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV32EB-200PJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25нс | Стандартный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,15 В при 20 А | 20А | 175°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC30X-600P, 127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | 2 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 175°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | МОЩНОСТЬ СВЕРХБЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 10 мкА | ТО-220АС | 35 нс | Стандартный | 220А | 1 | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,8 В при 30 А | 30А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC100W-1200PQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕЕПП™ | Сквозное отверстие | Непригодный | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weensemiconductors-byc100w1200pq-datasheets-6692.pdf | ТО-247-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 90 нс | Стандартный | 1200В | 250 мкА при 1200 В | 3,3 В при 100 А | 100А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 29-600 127 рублей | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-2 | 2 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | МЭК-134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 10 мкА | ТО-220АС | 75нс | Стандартный | 66А | 1 | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,5 В при 8 А | 8А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НУР460П,133 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weensemiconductors-nur460pl04u-datasheets-3019.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НУР460 | 175°С | 1 | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 10 мкА | 75нс | Стандартный | 110А | 1 | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | 4А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC5-600PQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 3,3 В при 5 А | 5А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC30-600P, 127 | ВеЭн Полупроводники | $7,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | ТО-220-2 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,8 В при 30 А | 30А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXPSC06650DJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 190пФ @ 1В 1МГц | 650В | 200 мкА при 650 В | 1,7 В при 6 А | 6А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYT79B-600PJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,38 В @ 15 А | 15А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHD13003C,126 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-phd13003c126-datasheets-4730.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | EAR99 | 2,1 Вт | 400В | 1,5 А | 100 мкА | НПН | 5 @ 1А 2В | 1,5 В при 500 мА, 1,5 А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.