Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактWeen Semiconductors (2134)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Статус ROHS | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Количество терминаций | Время выполнения завода | Код ECCN | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Справочный стандарт | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Рабочая температура (макс) | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Вперед | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Полярность/Тип канала | Приложение | Скорость | Сила - Макс | Диодный элемент материал | Rep PK обратное напряжение-макс | Обратный ток-макс | Jedec-95 код | Время восстановления обратного восстановления | Диод тип | Незащитный PK-обратный ток-ток-макс | Количество этапов | Напряжение - Off State | Current - On State (It (RMS)) (макс) | Current - Hold (ih) (макс) | Емкость @ vr, f | Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) | Напряжение - триггер затвора (VGT) (макс) | Current - Non Rep. Surge 50, 60 Гц (ITSM) | Ток - затворный триггер (IGT) (макс) | Current - On State (It (av)) (макс) | Тип SCR | Напряжение - на состоянии (VTM) (макс) | Ток - вне штата (макс) | Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) | Current - Collector (IC) (макс) | Тип триака | Ток - обратная утечка @ vr | Напряжение - вперед (vf) (max) @ if | Ток - средний исправление (IO) | Рабочая температура - соединение | Ток - срез коллекционера (макс) | Тип транзистора | DC ток усиление (HFE) (min) @ IC, VCE | Vce saturation (max) @ ib, ic | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYR29-800,127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | До-220-2 | 2 | E3 | Олово | IEC-134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | BYR29-800 | 150 ° C. | НЕ УКАЗАН | 1 | R-PSFM-T2 | ОДИНОКИЙ | Катод | Ультра быстрое мягкое восстановление | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Кремний | 800 В. | 10 мкА | До-220AC | 75NS | Стандартный | 66а | 1 | 800 В. | 10 мкА @ 800V | 1,5 В @ 8a | 8а | 150 ° C Макс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Медсестра360bj | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weensemiconductors-nurs360bj-datasheets-0031.pdf | DO-214AA, SMB | соответствие | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | 75NS | Стандартный | 600 В. | 1V @ 3A | 3A | 175 ° C Макс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV25FB-600,118 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/weensemiconductors-byv25fb600118-datasheets-1769.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 2 | not_compliant | E3 | Олово (SN) | IEC-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | BYV25-600 | 150 ° C. | 1 | R-PSSO-G2 | 5A | ОДИНОКИЙ | Катод | Ультра быстрого мягкого восстановления мощности | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Кремний | 600 В. | 50 мкА | 35NS | Стандартный | 1 | 600 В. | 50 мкА @ 600V | 1,9 В @ 5a | 150 ° C Макс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC75W-600PQ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | До-247-2 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | 50NS | Стандартный | 600 В. | 10 мкА @ 600V | 2.75V @ 75A | 75а | 175 ° C Макс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC15-1200PQ | Ween полупроводники | $ 0,54 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | ROHS COMPARINT | До-220-2 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | 61ns | Стандартный | 1200 В. | 100 мкА @ 1200 В. | 3,2 В @ 15a | 15A | 175 ° C Макс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXPSC08650BJ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | ROHS COMPARINT | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 260pf @ 1v 1MHZ | 650 В. | 230 мкА @ 650V | 1,7 В @ 8a | 8а | 175 ° C Макс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Phe13005,127 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | /files/weensemiconductors-phe13005127-datasheets-2956.pdf | До 220-3 | 3 | Ear99 | not_compliant | E3 | Олово (SN) | IEC-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | R-PSFM-T3 | Кремний | ОДИНОКИЙ | Коллекционер | Переключение | Npn | 75 Вт | До-220AB | 400 В. | 4а | 100 мкА | Npn | 10 @ 2a 5v | 1v @ 1a, 4a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buj105ad, 118 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 2 | Ear99 | not_compliant | E3 | Олово (SN) | IEC-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | 1 | R-PSSO-G2 | Кремний | ОДИНОКИЙ | Коллекционер | Переключение | Npn | 80 Вт | 400 В. | 8а | 100 мкА | Npn | 13 @ 500 мА 5 В | 1v @ 800ma, 4a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJD105AD, 118 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 2 | Ear99 | not_compliant | E3 | Олово (SN) | IEC-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | Крыло Печата | 1 | R-PSSO-G2 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | Npn | 80 Вт | 400 В. | 8а | 100 мкА | Npn | 13 @ 500 мА 5 В | 1v @ 800ma, 4a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WND08P16DJ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 6 недель | Стандартное восстановление> 500NS,> 200 мА (IO) | Стандартный | 1600v | 50 мкА @ 1600V | 1.25V @ 8a | 8а | 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT152-1200TQ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 6 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA206X-800CT/DG | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка | 6 недель | Одинокий | 800 В. | 6A | 1V | 60a 66a | 35 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OB2004V | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXPLQSC20650WQ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV29B-500 | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | Переключение диода | Да с исключениями | /files/weensemiconductors-byv29b500-datasheets-4320.pdf | 3 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV60W-600PT2Q | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | Переключение диода | Трубка | Поставщик неподтвержден | /files/weensemiconductors-byv60w600pt2q-datasheets-5024.pdf | 2 | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TYN50W-1400TQ | Ween полупроводники | Мин: 1 Mult: 1 | - | Через дыру | 150 ° C (TJ) | До 247-3 | До-247E | 1,4 кВ | 79 а | 200 мА | 1 V. | 650A при 50 Гц, 715A при 60 Гц | 50 мА | 50 а | Стандартное восстановление | 1,5 В. | 10 мкА | Ween полупроводники |
