| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | Совместимость с шиной | Программирование напряжения | Тактовая частота |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFR32MG12P132F1024GL125-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gm48c-datasheets-9790.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | совместимый | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2511EEI+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | 200–440 МГц | 1,73 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/maximintegrated-max2511eeit-datasheets-0118.pdf | 28-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,89 мм | 3,9 мм | 28 | 10 недель | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,635 мм | МАКС2511 | 28 | 30 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3/5 В | 0,045 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G28 | 24 мА | 26 мА | -2 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1P332F256GJ43-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | 0,54 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1b232f256gj43c0-datasheets-8176.pdf | 43-УФБГА, ЦСПБГА | 3,295 мм | 3,143 мм | 43 | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,4 мм | Р-ПБГА-Б43 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 19,5 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 19 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3586-RT | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3585rtr-datasheets-1703.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-PQCC-N48 | -102 дБм | 12 Мбит/с | 23,5 мА~30 мА | 512 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~45 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART, USB | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ12П132Ф1024ГЛ125-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gm48c-datasheets-9790.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | совместимый | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2570RHAR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-trf370417irget-datasheets-0676.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 1 мм | 6 мм | 3,6 В | Без свинца | 40 | 6 недель | 40 | СПИ, УАРТ | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2570 | 40 | 1 | Другие ИБП/UC/периферийные микросхемы | 3В | -86 дБм | 1 Мбит/с | 23,7 мА | 25,9 мА~34,3 мА | 4 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ГФСК | АНТ™ | СПИ; УАРТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG12P132F1024GL125-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gl125b-datasheets-1951.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | да | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 10 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГМСК, О-КФСК | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 65 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2430F32RTC | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc2430zf128rtcr-datasheets-9555.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 900 мкм | 7 мм | Без свинца | 48 | 90,009736мг | 48 | 2-проводной, SPI, UART, USART | NRND (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2430 | 48 | -92 дБм | 250 кбит/с | 26,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ | 26,9 мА | 8 | 21 | ВСПЫШКА | 8051 | 8 КБ | 8б | 0 дБм | 4 | 802.15.4 | СПИ, ЮСАРТ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ13П732Ф512ИМ32-Д | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P432F1024GM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | -95 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026-B-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 6 недель | I2C, SPI, УАРТ | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG12P433F1024IM68-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–170 МГц 195–358 МГц 426–445 МГц 470–510 МГц 863–876 МГц 902–930 МГц 2,4–2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32bg12p432f1024gm48c-datasheets-0020.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 20 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth версия 5.0 | 46 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P431F1024GM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | -121 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG1P233F256IM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256im32c0-datasheets-3682.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW4390DKWBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw4390dkwbgt-datasheets-0839.pdf | 286-XFBGA, ВЛЦСП | 13 недель | 1,2 В~3,3 В | -98,4 дБм | 72 Мбит/с | 20,5 дБм | Wi-Fi | I2C, I2S, JTAG, SPI, UART | 16QAM, 64QAM, BPSK, CCK, DSSS, QPSK, OFDM | 802.11b/г/н | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20732IT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20732it-datasheets-0775.pdf | 13 недель | 1,4 В~3,6 В | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.0 | 14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2831ETM+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max2831etm-datasheets-0846.pdf | 48-WFQFN Открытая колодка | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 48 | Параллельный, SPI, последовательный | да | 5А991 | 8542.39.00.01 | 2,7 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | МАКС2831 | НЕ УКАЗАН | -78 дБм | -76 дБм | 54 Мбит/с | 62 мА | 82 мА~209 мА | 21 дБм | Wi-Fi | СПИ | CCK, OFDM, QPSK | 802.11б/г | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 мм | 6 мм | 85 | ДА | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3В | 0,5 мм | 3,8 В | 1,8 В | 53 | 25 МГц | МИКРОКОНТРОЛЛЕР | 8 | ДА | ДА | ДА | 30 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П232Ф256ИМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256im32c0-datasheets-3682.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ13П233Ф512ГМ48-Д | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 2 (1 год) | 169–170 МГц 195–358 МГц 426–445 МГц 470–510 МГц 863–876 МГц 902–930 МГц 2,4–2,4835 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg13p231f512gm48c-datasheets-9761.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 20 дБм | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW43569PKFFBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | 0°С~60°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц 5 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw43569pkffbgt-datasheets-0859.pdf | 254-ТФБГА, ФКБГА | 13 недель | 3,3 В | -94 дБм | 94 мА~240 мА | 640 КБ ПЗУ 768 КБ SRAM | 344 мА~694 мА | 12 дБм | Bluetooth, Wi-Fi | JTAG, УАРТ | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | 802.11ac, Bluetooth v4.1 +EDR | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П233Ф128ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 10 недель | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П132Ф256ИМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256im32c0-datasheets-3682.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P231F1024GL125-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 169 МГц 315 МГц 433 МГц 490 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p231f1024gl125b-datasheets-3661.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | да | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | 65 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ13П632Ф512ГМ32-Д | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 10 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM88335L2CUBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/cypresssemiconductorcorp-bcm88335l2cubgt-datasheets-0729.pdf | 145-УФБГА, ВЛБГА | 13 недель | 1,2 В~3,3 В | 145-ВБЛГА (4,87х5,41) | -98 дБм | 13 дБм | Bluetooth, Wi-Fi | И2С, СПИ, УАРТ | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1 | 9 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ13П231Ф512ИМ48-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg13p231f512gm48c-datasheets-9761.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | совместимый | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 32 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.