Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Интерфейс | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Тип телекоммуникационных микросхем | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | Программирование напряжения | Тактовая частота |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFR32FG12P231F1024GM68-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 110–191 МГц 1,95–358 МГц 390–574 МГц 779–956 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 38,4 кбит/с | 8,4 мА~13 мА | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 20,3 мА~134,3 мА | 20 дБм | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART | 2GFSK, 4GFSK, ASK, DSSS, BPSK, DBPSK, GMSK, O-QPSK, OOK | Флекс Геккон | 46 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П232Ф1024ГЛ125-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | совместимый | -95 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW88335L2CUBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 145-УФБГА, ВЛБГА | 13 недель | 3,3 В | -95,5 дБм | 433,3 Мбит/с | 46 мА~110 мА | 640 КБ ПЗУ 768 КБ SRAM | 76 мА~147 мА | 13 дБм | Bluetooth, Wi-Fi | И2С, СПИ, УАРТ | ССК, ДССС, ОФДМ | 802.11ac, Bluetooth v4.1 | 9 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW43243KFFBG | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -10°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц 5 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw43243kffbg-datasheets-0694.pdf | 252-ТФБГА, ФКБГА | 13 недель | 1,2 В~3,3 В | -94 дБм | 300 Мбит/с | 23 мА | 20 дБм | Wi-Fi | JTAG, SPI, UART | 802.11a/b/g/n | 13 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П231Ф1024ГЛ125-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | совместимый | -121 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 65 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ13П231Ф512ИМ32-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg13p231f512gm48c-datasheets-9761.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -102,7 дБм | 1 Мбит/с | 9,5 мА~10,2 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 19 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART, USART | 2ГФСК, 4ГФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГМСК, ООК, ОКФСК | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ13П733Ф512ИМ48-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–170 МГц 195–358 МГц 426–445 МГц 470–510 МГц 863–876 МГц 902–930 МГц 2,4–2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 20 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1020-B-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 мм | 6 мм | 85 | ДА | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3В | 0,5 мм | 3,8 В | 1,8 В | 53 | 25 МГц | МИКРОКОНТРОЛЛЕР | 8 | ДА | ДА | ДА | 30 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW43907KWBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw43907kwbgt-datasheets-0641.pdf | 316-XFBGA, ВЛЦСП | 16 недель | 1,2 В~3,3 В | -98 дБм | 150 Мбит/с | 20,5 дБм | Wi-Fi | I2C, I2S, JTAG, SPI, UART | 16QAM, 64QAM, BPSK, CCK, DSSS, OFDM, QPSK | 802.11a/b/g/n | 17 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BGT24AR4E6433XUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | БИПОЛЯРНЫЙ | 24 ГГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/infineontechnologies-bgt24ar4e6433xuma1-datasheets-0713.pdf | 32-PowerVFQFN | 5,5 мм | 4,5 мм | 32 | 16 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3135~3465В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | НЕ УКАЗАН | Р-PQCC-N32 | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П233Ф128ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1030-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 10 недель | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П132Ф256ИМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256im32c0-datasheets-3682.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1025-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P231F1024GL125-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 169 МГц 315 МГц 433 МГц 490 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p231f1024gl125b-datasheets-3661.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | да | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | 65 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG13P733F512GM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169 МГц 315 МГц 433 МГц 490 МГц 868 МГц 915 МГц 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~11 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 | 20 дБм | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГМСК, О-КФСК | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG13P733F512IM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | совместимый | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -126 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА | 20 дБм | 802.15.4, Блютуз | И2С, СПИ, УАРТ | 2ГФСК, АСК, БПСК, ДПСК, ДССС, ГФСК, ООК, ОКФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 28 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ13П732Ф512ГМ48-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ14П733Ф256ИМ48-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П131Ф256ИМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | Флекс Геккон | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1352R1F3RGZT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | SimpleLink™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 287–351 МГц 359–527 МГц 861–1054 ГГц 1076–1315 ГГц 2,36–2,5 ГГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | ДОСТУПНЫЕ КРУГЛЫЕ ЧАСЫ С НОМИНАЛЬНОЙ ЧАСТОТОЙ 32 768 КГЦ | ДА | 1,8 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | СС1352 | -121 дБм | 250 кбит/с | 5,8 мА~6,9 мА | 352 КБ флэш-памяти 80 КБ ОЗУ | 7,1 мА~24,9 мА | 28 | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 14 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ГФСК | Bluetooth v5.1, резьба, Zigbee® | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1021-B-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 мм | 6 мм | 85 | 8 недель | ДА | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3В | 0,5 мм | 3,8 В | 1,8 В | 53 | 25 МГц | МИКРОКОНТРОЛЛЕР | 8 | ДА | ДА | ДА | 30 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1024-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕМ356-РТ | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P232F1024GL125-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | совместимый | -95 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1000-РТР1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 315 МГц 433 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 28-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 9,7 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | 3В | Содержит свинец | 4,5 мм | 28 | 117,508773мг | 28 | 1 | NRND (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1 мм | Золото | Нет | 1 | е4 | 2,1 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | СС1000 | 28 | Другие телекоммуникационные микросхемы | -110 дБм | 76,8 кбод | 7,4 мА~9,6 мА | 5,3 мА~26,7 мА | 10 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | УАРТ | ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1021-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В |
