| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Тип телекоммуникационных микросхем | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СТА2500DC | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1,25 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sta2500dctr-datasheets-9767.pdf | 48-ЛФБГА | 6 мм | 6 мм | 48 | 16 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | да | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 1,65~2,85 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 2,75 В | 0,8 мм | СТА2500 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,75 В | -88 дБм | 3 Мбит/с | 35,4 мА | 23 мА~35,4 мА | 8 дБм | Bluetooth | I2C, JTAG, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | Bluetooth v2.1 +EDR | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20707UA2KFFB4G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20707ua1kffb4gt-datasheets-3960.pdf | 49-ВФБГА, ФКБГА | 4,5 мм | 4 мм | 49 | 15 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | Р-ПБГА-Б49 | -96 дБм | 3 Мбит/с | 26 мА | 60 мА | 12 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | Bluetooth v4.2 | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 8 недель | 36 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 18 мА~29 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 13 дБм | Да | 4 | 11 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р69Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС1021РССР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 402–470 МГц 804–960 МГц | Соответствует ROHS3 | 32-VQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | 3В | Без свинца | 7,1 мм | 32 | 6 недель | 32 | СПИ, УАРТ | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 1 | 19,9 мА | е4 | 2,3 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | 0,65 мм | СС1021 | 32 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | -109 дБм | 153,6 кбод | 12,3 мА~27,1 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026-B-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 6 недель | 3,8 В | 1,8 В | I2C, SPI, УАРТ | 3,8 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | 53 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф32Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | 3В | 0,5 мм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 27 | 25 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG13P632F512IM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -126 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~9,5 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 10 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4420-D1-FTR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/siliconlabs-si4420d1ft-datasheets-1963.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5,4 В | 8 недель | 16 | 2,2 В~5,4 В | -109 дБм | 256 кбит/с | 11 мА~13 мА | 13 мА~24 мА | 8 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20706UA2KFFB4GT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20706ua2kffb4gt-datasheets-9802.pdf | 49-ТФБГА | 15 недель | 3,3 В | -96,5 дБм | 2 Мбит/с | 12,5 мА | 848 КБ ПЗУ 352 КБ ОЗУ | 26,5 мА | 12 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | Bluetooth v4.2 | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф64Р68Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2544RHBT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 1 мм | 5 мм | Без свинца | 6 недель | 32 | SPI, UART, USART, USB | 256 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | СС2544 | 3,6 В | 2В | -96 дБм | 2 Мбит/с | 22,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 2 КБ SRAM | 27 мА~30 мА | 2 КБ | 4 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | SPI, USART, USB | ГФСК, МСК | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1082-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 8 недель | 36 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 18 мА~29 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 20 дБм | Да | 4 | 11 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG1B732F256GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p732f256gm32c0-datasheets-2562.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА~9,8 мА | 768 КБ флэш-памяти, 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, УАРТ | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2400-РТР1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-cc2400rtr1-datasheets-5261.pdf | 48-VFQFN | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 мм | 48 | 48 | NRND (Последнее обновление: 2 дня назад) | 900 мкм | 8542.39.00.01 | 1 | 1,6 В~2 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | СС2400 | 48 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 0,005 мА | Не квалифицированный | -101 дБм | 1 Мбит/с | 24 мА | 11 мА~19 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ФСК, ГФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф64Р68Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24ЛЕ1-Ф16К48-Р | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1q32sample-datasheets-5813.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | Олово | 1,9 В~3,6 В | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, JTAG, SPI, UART | ГФСК | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG21A010F768IM32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32bg21a010f512im32br-datasheets-9189.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р68Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG13P732F512GM48-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 19 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NRF24LE1-O17Q24-T | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1o17q32s-datasheets-5816.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 3,6 В | 24 | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | 8542.31.00.01 | ДА | 1,9 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N24 | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ OTP 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | 7 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG13P632F512IM48-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24АП2-8CHQ32-Р | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24ap21chq32s-datasheets-5810.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 3В | 5 мм | 32 | 20 недель | Нет | 8542.39.00.01 | 1,9 В~3,6 В | КВАД | 3В | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | S-PQCC-N32 | -85 дБм | 1 Мбит/с | 17 мА | 11 мА~15 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | УСАРТ | ГФСК | АНТ™ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1064-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 283–350 МГц 425–525 МГц 850–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 8 недель | 36 | I2C, SPI, УАРТ | 25 МГц | 1,8 В~3,6 В | 36-QFN (5x6) | -116 дБм | -116 дБм | 500 кбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 18 мА~29 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 13 дБм | Да | 4 | 11 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДФ7025BCPZ-RL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 431–464 МГц 862–870 МГц 902–928 МГц | 28мА | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adf7025bcpzrl-datasheets-9131.pdf | 48-WFQFN Открытая колодка, CSP | 7 мм | 6,75 мм | 3,6 В | Содержит свинец | 7 мм | 48 | 8 недель | 48 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | 5А991.Б | Олово | 8542.39.00.01 | 1 | 27 мА | е3 | 2,3 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | АДФ7025 | 48 | 40 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/3,3 В | Не квалифицированный | -104,2 дБм | 384 кбит/с | 19 мА~21 мА | 14,6 мА~28 мА | 13 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55CCU6TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,402–2,48 ГГц | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 48-UFQFN Открытая площадка | 10 недель | совместимый | 1,71 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4128FNI-BL573T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 4,04 мм | 3,87 мм | 76 | 22 недели | ДА | 1,8 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б76 | -92 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 32 КБ SRAM | 16,5 мА~20 мА | 36 | 3 дБ | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | 32000 | И2С; СПИ; УАРТ | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20704UA2KFFB1GT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-bcm20704ua2kffb1g-datasheets-4233.pdf | 49-ВФБГА, ФКБГА | 15 недель | 3,3 В | -96 дБм | 3 Мбит/с | 38мА | 9 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART, USB | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | Bluetooth v4.1 +EDR | 8 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.