Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Скорость передачи данных | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Рабочий ток-Макс. | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AR0132AT6M00XPEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 130 мА | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||||
| МТ9П401И12СТЦ-ДР1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mt9p401i12stcdr-datasheets-5654.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 2,2 мкмx2,2 мкм | 60 | 2592Г х 1944В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3C00XUEA0-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0dpbr-datasheets-5818.pdf | 87-ЛБГА | 4,2 мкмx4,2 мкм | 60 | 1828 х 948 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M25XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 3,75 мкмx3,75 мкм | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTR-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~105°C со снижением номинальных характеристик | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmdp2-datasheets-4903.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | АЭК-Q100; ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 6 мкмx6 мкм | 60 | 752Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0138AT3R00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0138at3r00xuea0drbr-datasheets-5777.pdf | 109-ЛФБГА | 20 недель | да | 4,2 мкмx4,2 мкм | 1288 х 968 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3B00XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~125°С ТДж | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0drbr-datasheets-5809.pdf | 87-ЛБГА | 18 недель | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,8 В. | совместимый | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,14–1,26 В 2,6–3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,65 мм | 12 мм | 9 мм | 0,40-1,20 В | 4,2 мкмx4,2 мкм | 120 дБ | 1828 г. | 60 | 1820 х 940 В | 1/1,8 дюйма | 27 МГц | ||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2C19SUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0135cs2c19suea0dpbr1-datasheets-2427.pdf | 63-ЛБГА | 19 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M00XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3,75 мкмx3,75 мкм | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН0480А-СТИ1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~85°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip1sf0480asti-datasheets-5585.pdf | 67-ВФБГА, КСПБГА | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 340 МГц (10-БИТ) И 272 МГц (8-БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3,2 В~3,4 В | 68 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 0,75 мм | 6,13 мм | 4,93 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 59 дБ | 808 | 808Г х 608В | 1/3,6 дюйма | 68 МГц | 120 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||||||
| AR0231AT7C00XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~125°С ТДж | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ar0231at7c00xuea0drbr-datasheets-5784.pdf | 121-ЛФБГА | 21 неделя | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ ОТ 2,6 ДО 3,0 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,14–1,26 В 2,6–3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,55 мм | 11 мм | 10 мм | 3 мкмx3 мкм | 120 дБ | 60 | 1928Г х 1208В | 1/2,7 дюйма | 27 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTR-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~105°C со снижением номинальных характеристик | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmdp2-datasheets-4903.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | АЭК-Q100; ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 6 мкмx6 мкм | 60 | 752Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSC00SPCA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Золото | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | ||||||||||||||||||||
| MT9T031C12STC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 14 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3–3,60 В. | ДА | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,25 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 27,8 мА | 0,30-3,30 В | 3,20x3,20 мкм | 61 дБ | 2048 | 1536 | 1/2 дюйма | 48 МГц | 12 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||||||
| MT9V032C12STC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v032c12stmdr-datasheets-5543.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 3,3 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,95 В | 1,7 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,40 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 67,7 дБ | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | |||||||||||||||||||||||||
| MT9M031I12STC-ДРБР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SF0480A-STI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°C~85°C, ТиДжей | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-noip1sf0480asti-datasheets-5585.pdf | 67-ВФБГА, КСПБГА | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 340 МГц (10-БИТ) И 272 МГц (8-БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,9 В 3,2 В~3,4 В | 68 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 0,75 мм | 6,13 мм | 4,93 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 59 дБ | 808 | 120 | 808Г х 608В | 1/3,6 дюйма | 68 МГц | ||||||||||||||||||||||||||
| МТ9М031И12СТМ-ДПБР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M00XUEA0-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3,75 мкмx3,75 мкм | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V127IA3XTC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v127ia3xtcdr-datasheets-5567.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ТАКЖЕ ИМЕЕТ АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2,66-2,94 В, ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,9 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,35 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ПЛАСТИК | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 50 мА | 5,60x5,60 мкм | 74,8 дБ | 1/4 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||
| AR0132AT6R00XPEA0-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 17 недель | 63 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||||
| MT9P031I12STC-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-mt9p031i12stmdp1-datasheets-4561.pdf | 48-LCC | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,7 В~1,9 В 2,6 В~3,1 В | 2,2 мкмx2,2 мкм | 53 | 2592Г х 1944В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6C00XPEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 130 мА | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||||
| МТ9П031И12СТМ-ДР1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mt9p031i12stmdp1-datasheets-4561.pdf | 48-LCC | Без свинца | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,7 В~1,9 В 2,6 В~3,1 В | 2,2 мкмx2,2 мкм | 53 | 2592Г х 1944В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M25XUEA0-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135at2m00xuea0drbr-datasheets-5779.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 3,75 мкмx3,75 мкм | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSC00SPCA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | ДА | 70°С | -30°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | ||||||||||||||||||||||
| AR0231AT7B00XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0231at7b00xuea0drbr-datasheets-5802.pdf | 121-БГА | 26 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 мкмx3 мкм | 40 | 1928Х × 1208В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0140AT3C00XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0140at3c00xuea0tpbr-datasheets-5774.pdf | 63-БГА | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 3 мкмx3 мкм | 60 | 1280 х 800 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2C19SUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0135cs2c19suea0dpbr-datasheets-2403.pdf | 63-ЛБГА | 19 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В |
