Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Подкатегория | Источники питания | Скорость передачи данных | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Рабочий ток-Макс. | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9V022IA7ATM-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v022ia7atcdr-datasheets-5596.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2C19SUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0135cs2c19suea0drbr-datasheets-2242.pdf | 63-ЛБГА | 19 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9В111IA7ATC-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v111ia7atcdr1-datasheets-5625.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 1,8 В 2,8 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 90 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTM-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmtp-datasheets-5548.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | 0,30-3В | 6x6 мкм | 100 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||
| МТ9В022ИА7АТМ-ТП | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v022ia7atcdr-datasheets-5596.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ АНАЛОГОВОГО ПИТАНИЯ 3–3,60 В, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 80–100 ДБ В РЕЖИМЕ ХИДЫ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 85°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЙ ТОК | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | -9-9мА | 6x6 мкм | 54,4 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 26,6 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||
| AR0331SRSC00SUCA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0331srsc00xuee0drbr-datasheets-5542.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmtp-datasheets-5548.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | 0,30-3В | 6x6 мкм | 100 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||
| AR0144ATSM20XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/onsemiconductor-ar0144atsm20xuea0dpbr-datasheets-5540.pdf | 20 недель | да | совместимый | 3 мкмx3 мкм | 60 | 1280 х 800 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9T001C12STC-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -0°К~60°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 14 недель | 3В~6В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 2048Г х 1536В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6C00XPEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 19 недель | 63 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||||||
| AR0132AT6R00XPEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 130 мА | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | ||||||||||||||||||||
| AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Соответствует ROHS3 | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 3 мкмx3 мкм | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTR-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmtp-datasheets-5548.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | 0,30-3В | 6x6 мкм | 100 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||
| MT9V023IA7XTC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v023ia7xtcdr-datasheets-5615.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | 0,30-3В | 6x6 мкм | 110 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | ||||||||||||||||||||
| MT9M001C12STC-TP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m001c12stcdr-datasheets-5617.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0331SRSC00XUEE0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0331srsc00xuee0drbr-datasheets-5542.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0331SRSC00SUCA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-ar0331srsc00xuee0drbr-datasheets-5542.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M032C12STC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 14 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,60-3,10 В. | ДА | 70°С | -30°С | 1,9 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,3 мм | 11,43 мм | 11,43 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 30 мА | 0,20-3,05 В | 2,20x2,20 мкм | 70,1 дБ | 1472 | 1096 | 1/4,5 дюйма | 49,5 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||||
| AS0140AT2C00XUSM0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~105°С ТА | /files/onsemiconductor-as0140at2c00xusm0tpbr-datasheets-5506.pdf | 130-ЛФБГА | 27 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ ИМЕЮТ АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2,50-3,10 В. | совместимый | ДА | 1,7 В~1,98 В 3 В~3,6 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,57 мм | 8,5 мм | 8,5 мм | 0,56-2,24 В | 3 мкмx3 мкм | 60 | 1280 х 800 В | 1/4 дюйма | 27 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ARX550AT2C00XPEA0-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | Без свинца | 16 недель | 64 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V128IA3XTC-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v128ia3xtcdp-datasheets-5500.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M032C12STMU-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 15 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,60-3,10 В. | ДА | 70°С | -30°С | 1,9 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,3 мм | 11,43 мм | 11,43 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 30 мА | 0,20-3,05 В | 2,20x2,20 мкм | 70,1 дБ | 1472 | 1096 | 1/4,5 дюйма | 49,5 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||||
| MT9V032C12STC-TP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v032c12stmdr-datasheets-5543.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ASX350AT3C00XPEA0-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-asx350at3c00xpea0dp1-datasheets-5467.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 1,8 В 2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 720 х 560 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V022IA7ATC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v022ia7atcdr-datasheets-5596.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ АНАЛОГОВОГО ПИТАНИЯ 3–3,60 В, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 80–100 ДБ В РЕЖИМЕ ХИДЫ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 85°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЙ ТОК | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | -9-9мА | 6x6 мкм | 54,4 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 26,6 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||
| AR0522SRSM09SURA0-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0522srsc09sura0dp-datasheets-5432.pdf | 52-ЛЦК | 20 недель | да | 2,2 мкмx2,2 мкм | 60 | 2592Г х 1944В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9P006I12STCU-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mt9p006i12stcudp-datasheets-5485.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V126IA3XTC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v126ia3xtctp-datasheets-5515.pdf | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,66-2,94 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,9 В | 1,7 В | ПЗС-датчики изображения | 1,8 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 50 мА | -0,30-2,80 В | 5,60x5,60 мкм | 74,6 дБ | 680 | 512 | 1/4 дюйма | 27 МГц | 30 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||
| НОИП1SE0480A-STI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip1sn0480asti-datasheets-5502.pdf | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 340 МГц (10-БИТ) И 272 МГц (8-БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В 3,3 В | 68 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 0,75 мм | 6,13 мм | 4,93 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 59 дБ | 808 | 120 | 808Г х 608В | 1/3,6 дюйма | 68 МГц | |||||||||||||||||||||||||||
| MT9V126IA3XTC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v126ia3xtctp-datasheets-5515.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,66-2,94 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,9 В | 1,7 В | ПЗС-датчики изображения | 1,8 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 50 мА | -0,30-2,80 В | 5,60x5,60 мкм | 74,6 дБ | 680 | 512 | 1/4 дюйма | 27 МГц | 30 кадров в секунду | РАМКА |
