| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр корпуса | Ширина тела | Жилье | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Спектральный отклик (нм) | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DR4K7_INVAR_B&W_V4_NOVREFC FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV120_F2.8_NOCABLE FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-50140-AXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~60°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai50140axajdb1-datasheets-3251.pdf | 71-БФКПГА | да | совместимый | 14,5 В~15,5 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 3,9 | 10440Г х 4800В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-43140-AXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai43140axajpb1-datasheets-3228.pdf | 72-БФКПГА | да | совместимый | 14,5 В~15,5 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 4 | 8040Г х 5360В | ||||||||||||||||||||||||||||
| AS0260CSSC28SUD20 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 1 (без блокировки) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-as0260cssc28sud20-datasheets-3270.pdf | 54-ВФБГА, КСПБГА | Без свинца | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,4 мкмx1,4 мкм | 30 | ||||||||||||||||||||||||||
| AR0542MBSC25SUD20 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТДж | Поставщик не определен | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0542mbsc25sud20-datasheets-3272.pdf | Править | 111 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,60-3,10В. | 1,7 В~1,9 В 2,4 В~3,1 В | 1,4 мкмx1,4 мкм | 66 дБ | 15 | 2592Г х 1944В | 1/4 дюйма | 27 МГц | |||||||||||||||||||||
| AR1335CSSC32SMD20-HW | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТДж | Поставщик не определен | 1,7 В~1,9 В | 1,1 мкмx1,1 мкм | 30 | 4208 х 3120 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90_F2.7_0.19M FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024D00XTMC13CC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-mt9v024d00xtrc13cc1400-datasheets-3233.pdf | 52-БГА | 3В~3,6В | 6 мкмx6 мкм | 60 | 752Г х 480В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-0261-ААА-CD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -70°К~50°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf0261aaacdae-datasheets-3280.pdf | Модуль 24-CDIP | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 10 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 15 В~17,5 В | 5 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | КЕРАМИКА | 20 мкмx20 мкм | 87 дБ | 512 | 400-1000 | 512Г х 512В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-50140-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~60°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai50140axajdb1-datasheets-3251.pdf | 71-БФКПГА | да | 14,5 В~15,5 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 3,9 | 10440Г х 4800В | |||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-47052-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~60°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai47052axajdb1-datasheets-3282.pdf | 201-БФПГА | 52 недели | совместимый | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 7 | 8856Г х 5280В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-50140-AXA-JP-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~60°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai50140axajpb1-datasheets-3253.pdf | 71-БФКПГА | 52 недели | да | совместимый | 14,5 В~15,5 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 3,9 | 10440Г х 4800В | |||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-43140-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai43140axajpb1-datasheets-3228.pdf | 72-БФКПГА | 9 недель | да | совместимый | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,61 мм | КЕРАМИКА | 4,5 мкмx4,5 мкм | 60 дБ | 4 | 8040Г х 5360В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-QXA-JX-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 72-БФКПГА | 52 недели | да | совместимый | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 4 | 6576Г х 4384В | |||||||||||||||||||||||||||
| MT9V136W00STCK22BC1-750 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v136w00stck22bc1750-datasheets-3286.pdf | 48-CLCC | 111 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,66-2,94 В. | 2,66~2,94 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 74,6 дБ | 680 | 60 | 680 х 512 В | 1/4 дюйма | 27 МГц | 30 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||
| КАИ-50140-FXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~60°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai50140axajdb1-datasheets-3251.pdf | 71-БФКПГА | да | совместимый | 14,5 В~15,5 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 3,9 | 10440Г х 4800В | ||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_B&W_F2.7_FOV90_LCC_V2.0 FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90F4.0_ST_2M_PF FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-4011-АБА-CR-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kai4011aaacrae-datasheets-3143.pdf | Модуль 34-CDIP | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||
| DR2K7_INVAR_B&W_V5 FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0143ATSC00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2017 год | 80-ЛФБГА | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 3 мкмx3 мкм | 30 | 1344Г х 968В | |||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024D00XTRC13CC1-IM-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 52-БГА | 3В~3,6В | 52-ИБГА (9х9) | 6 мкмx6 мкм | 60 | 752Г х 480В | ||||||||||||||||||||||||||||
| KAE-08151-FBA-JP-FA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -70°К~50°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kae08151abajpfa-datasheets-2766.pdf | 12 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 44 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР; ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,75 В~15,25 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,5 мкмx5,5 мкм | 86 дБ | 14 | 2856Г х 2856В | 4/3 дюйма | |||||||||||||||||||||
| МТ9В128Д00ХТСК22ВС1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v128d00xtck22bc1200-datasheets-3262.pdf | 63-ЛБГА | 111 недель | ДА | 2,26~2,94 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | 5,6 мкмx5,6 мкм | 74,8 дБ | 680 | 60 | 680 х 512 В | 1/4 дюйма | 27 МГц | ||||||||||||||||||
| MT9E013D00STCC4BAC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТДж | Поставщик не определен | 1,7 В~1,95 В | 1,4 мкмx1,4 мкм | 15 | 3264Г х 2448В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ASX340AT2C00XPED0-KY-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°С~105°С ТА | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 63-ЛФБГА | 2,66~2,94 В | 63-ИБГА (7,5х7,5) | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 | 728Г х 560В | |||||||||||||||||||||||||||||
| AS0143ATSC00XESM0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP_1.05MRCS FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9В124Д00СТК22ДК1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v124d00stck22dc1200-datasheets-3236.pdf | 25-ВФБГА, КСПБГА | 111 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,50-3,10 В. | 1,7 В~1,95 В 2,5 В~3,1 В | 0,40-2,50 В | 1,75 мкмx1,75 мкм | 58 дБ | 648 | 30 | 648Г х 488В | 1/13 дюйма | 44 МГц |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.