Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр корпуса | Ширина тела | Жилье | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Спектральный отклик (нм) | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP_1.05MRCSRW FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV120_F2.8_6W FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02170-FBA-JD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02170fbajdae-datasheets-3163.pdf | Модуль 67-BFCPGA | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 | 1920 Г х 1080 В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2093-АБА-CB-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kai2093aaacpae-datasheets-3048.pdf | Модуль 32-CDIP | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 УФ/ЭЛЕКТРОН | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,42 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 30 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90_F4.0_TUBE FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0143ATSC00XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2017 год | 80-ЛФБГА | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 3 мкмx3 мкм | 30 | 1344Г х 968В | ||||||||||||||||||||||||
| КАФ-0402-ААА-CB-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf0402aaacbae-datasheets-3108.pdf | Модуль 24-CDIP | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 10 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,75 В~15,5 В | 10 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 76 дБ | 768 | 768 х 512 В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-4011-АБА-CD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-kai4011abacdae-datasheets-3110.pdf | Модуль 34-CDIP | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||
| КАИ-04050-FBA-JB-X2-T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | Модуль 67-BFCPGA | 14,5 В~15,5 В | 67-ЦПГ (33,02х20,07) | 5,5 мкмx5,5 мкм | 32 | 2336 х 1752 В | |||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-0402-ААА-CP-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf0402aaacbae-datasheets-3108.pdf | Модуль 24-CDIP | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 10 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,75 В~15,5 В | 10 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 76 дБ | 768 | 768 х 512 В | ||||||||||||||||||||
| AR0261CSSC30SMD20 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0261cssc30smd20-datasheets-3067.pdf | Без свинца | 111 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | 1,4 мкмx1,4 мкм | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||
| KAI-02170-QBA-JD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02170qbajdae-datasheets-3117.pdf | Модуль 67-BFCPGA | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 8,7 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН НИЗКОЙ И 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН ВЫСОКОЙ; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР; ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН, РАСШИРЕННЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ 82,5 | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,2 дБ | 60 | 1920 Г х 1080 В | 1 дюйм | ||||||||||||||||||
| 4LS_7K5_B&W_CERAMIC_PGA_V1.0 FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04022-FBA-CR-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Модуль 34-CDIP | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,65 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 72 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||
| КАИ-29052-FXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-kai29052axajdb1-datasheets-2942.pdf | 71-БКПГА | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 35 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,61 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 4 | 6576Г х 4384В | |||||||||||||||||||
| NE2D_B&W_F2.7_FOV90_LCC_V1.0 FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02050-АБА-FD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | Модуль 67-BFCPGA | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | ДА | 14,5 В~15,5 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV120_F2.8_3M_S FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0260LCSC28SUW90 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_B&W_FOV120_F2.8_STEREO FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-40000-FXA-JD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 0°К~60°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf40000fxajdae-datasheets-3088.pdf | 52-BCPGA | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 18 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,43 мм | 57,5 мм | 49 мм | КЕРАМИКА | 6 мкмx6 мкм | 70,2 дБ | 350-1100 | 7304Г х 5478В | ||||||||||||||||
| NE2D_B&W_F2.7_FOV90_LCC FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9P111D00STCK28AC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9p111d00stck28ac1200-datasheets-3091.pdf | Править | Без свинца | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ ИМЕЕТ АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2,50-3,10 В. | 1,7 В~1,95 В 2,5 В~3,1 В | 0,40-1,40 В | 1,4 мкмx1,4 мкм | 62 дБ | 30 | 2592Г х 1944В | 1/4 дюйма | 48 МГц | 15 кадров в секунду | |||||||||||||||||||
| КАИ-2001-ААА-CP-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-kai2001abacdae-datasheets-3013.pdf | Модуль 32-CDIP | да | совместимый | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 30 | 1600 В х 1200 В | ||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-4320-ААА-БА-ГЕ-ТРОФИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -70°К~50°К | 1 (без блокировки) | 84-БПГА | 21В | 84-ПГА (73,66х73,66) | 24 мкмx24 мкм | 2084Г х 2085В | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT9D115W00STCK25AC1-750 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТДж | Поставщик не определен | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9d115d00stck25ac1200-datasheets-3014.pdf | Править | Без свинца | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,50–3,10 В. | 1,7 В~1,95 В 2,5 В~3,1 В | 1,75 мкмx1,75 мкм | 63,9 дБ | 15 | 1600 В х 1200 В | 1/5 дюйма | 85 МГц | ||||||||||||||||||||
| КАИ-01150-АБА-ФД-АЕ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai01150abafdae-datasheets-3095.pdf | Модуль 67-BFCPGA | да | ДА | 14,5 В~15,5 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 138 | 1280 Г х 720 В | 1/2 дюйма | |||||||||||||||||
| КАИ-04022-FBA-CD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacdae-datasheets-3098.pdf | Модуль 34-CDIP | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||
| КАФ-0402-АБА-CP-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf0402abacdae-datasheets-3005.pdf | Модуль 24-CDIP | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 10 МИКРОВОЛЬТ НА ОДИН ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,75 В~15,5 В | 10 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 76 дБ | 768 | 768 х 512 В | ||||||||||||||||||||
| МТ9Д115Д00СТК25АС1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9d115d00stck25ac1200-datasheets-3014.pdf | Править | Без свинца | 111 недель | да | 1,7 В~1,95 В 2,5 В~3,1 В | 1,75 мкмx1,75 мкм | 30 | 1600 В х 1200 В |
